检索结果-内蒙古大学图书馆

强激光与粒子束 2018年第12期30卷 76-82页

作者：郭帆王贵林邹文康陈林谢卫平中国工程物理研究院流体物理研究所四川绵阳621900 中国科学技术大学工程与应用物理系合肥230026

聚龙一号装置由24路模块并联组成,通过调整24路模块中激光触发气体开关的导通时序可实现负载电流波形的精确调节,以满足磁驱动加载实验所要求的负载电流波形灵活调节的需求。针对聚龙一号装置开展的磁驱动加载实验,建立了能够描述能量从... 详细信息

聚龙一号装置由24路模块并联组成,通过调整24路模块中激光触发气体开关的导通时序可实现负载电流波形的精确调节,以满足磁驱动加载实验所要求的负载电流波形灵活调节的需求。针对聚龙一号装置开展的磁驱动加载实验,建立了能够描述能量从Marx发生器开始至负载整个传输过程的全电路模型,开发了相应的电路计算程序,并基于实验结果对计算程序进行了校验,电路模拟结果与实验结果符合较好。电路模拟程序的计算效率比采用Pspice软件进行全电路计算的效率显著提高,其不仅可应用于在给定激光触发气体开关导通时序的情况下对聚龙一号装置的输出特性进行预测和评估,同时也为负载电流波形调节的方案设计提供了一种有效工具。

关键词：聚龙一号装置波形调节电路模拟磁驱动加载

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电路模拟及其在人机工程中的应用

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机械设计与制造 2005年第8期 3-4页

作者：孟俊焕展如新左龙贺廉云德州学院机电系德州253015 德州经济学校德州253000

在研究人机工程问题时,建立数学模型非常繁琐。这里分析了采用模拟电路的优势及其在人机工程分析中的具体应用。

关键词：电路模拟人机工程

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半导体点火桥的电路模拟

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北京理工大学学报 2002年第5期22卷 630-632页

作者：陈越洋谢珺堂汪佩兰祝侃北京理工大学电子工程系北京100081 北京理工大学机电工程学院北京100081

研究半导体桥的点火时间同输入能量以及电压的关系 .通过对装有 BNCP炸药的半导体点火桥的输入能量进行分析 ,结合其电阻特性 ,建立了半导体点火桥的 Pspice器件模型 .根据与实验结果的偏差 ,改进了半导体桥模型 ,使模型的适用范围从低... 详细信息

研究半导体桥的点火时间同输入能量以及电压的关系 .通过对装有 BNCP炸药的半导体点火桥的输入能量进行分析 ,结合其电阻特性 ,建立了半导体点火桥的 Pspice器件模型 .根据与实验结果的偏差 ,改进了半导体桥模型 ,使模型的适用范围从低能量 (<5 m J)一直拓展到高能量 (>40 m J) .并对其在点火电路中不同发火条件下的点火时间与电压以及点火时间与能量的关系进行了模拟 ,得出了半导体桥存在最小点火时间的结论 .

关键词：半导体点火桥 SCB 电路模拟点火时间输入能量输入电压 Pspice器件模型

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基于电路模拟的集成电路失效机理研究

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固体电子学研究与进展 2024年第4期44卷 337-342页

作者：龚瑜深圳赛意法微电子有限公司广东深圳518038

随着集成电路结构和电路复杂性的增加,故障源头的判定和失效根本原因的分析也越来越困难。目前集成电路的失效分析研究主要集中在利用先进的分析仪器搜集证据进而推导失效机理,缺乏对失效的模拟反向验证。本文针对集成电路故障进行失效... 详细信息

随着集成电路结构和电路复杂性的增加,故障源头的判定和失效根本原因的分析也越来越困难。目前集成电路的失效分析研究主要集中在利用先进的分析仪器搜集证据进而推导失效机理,缺乏对失效的模拟反向验证。本文针对集成电路故障进行失效分析,检测到具体的物理损伤点,利用Multisim的工具,依据物理损伤位置和特征建立相应物理模型,研究缺陷对故障结果的贡献,进而确定故障的真正源头,同时与实际样品的测试结果进行对比验证,复现了集成电路的失效机理和失效过程。

关键词：故障仿真电路模拟失效分析失效机理仿真软件

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SRAM单元单粒子翻转效应的电路模拟

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Journal of Semiconductors 2007年第1期28卷 138-141页

作者：刘征孙永节李少青梁斌国防科技大学计算机学院长沙410073

在三维器件数值模拟的基础上,以经典的双指数模型为原型通过数值拟合得到了单粒子效应瞬态电流脉冲的表达式,在理论分析的基础上,引入了描述晶体管偏压和瞬态电流关系的方程,并将其带入电路模拟软件HSPICE中进行SRAM存储单元单粒子翻转... 详细信息

在三维器件数值模拟的基础上,以经典的双指数模型为原型通过数值拟合得到了单粒子效应瞬态电流脉冲的表达式,在理论分析的基础上,引入了描述晶体管偏压和瞬态电流关系的方程,并将其带入电路模拟软件HSPICE中进行SRAM存储单元单粒子翻转效应的电路模拟,最后分别使用电路模拟和混合模拟两种方法得到了存储单元的LET阈值,通过在精度和时间开销上的对比,验证了这种模拟方法的实用性.

关键词：单粒子翻转双指数模型电路模拟器件模拟 SRAM

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实用于电路模拟的微米级MOSFET开启电压解析模型的研究

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Journal of Semiconductors 1989年第5期10卷 323-333页

作者：刘军徐葭生清华大学微电子学研究所

本文在分析了SPICE II-MOS2,MOS3模型中所存在的问题之后,重新建立了一个实用于电路模拟的微米级MOSFET解析模型──MOS5模型(本文仅限于介绍其开启电压模型部分).经实验证明,此模型适用于对不同工艺制得的各种尺寸增强型MOS管的开启电... 详细信息

本文在分析了SPICE II-MOS2,MOS3模型中所存在的问题之后,重新建立了一个实用于电路模拟的微米级MOSFET解析模型──MOS5模型(本文仅限于介绍其开启电压模型部分).经实验证明,此模型适用于对不同工艺制得的各种尺寸增强型MOS管的开启电压模拟(L_(eff)≥1.0μm).与原SPICEII-MOS2,MOS3模型相比,此新模型具有参数简单易得、物理意义明确、以工艺参数为主等特点.此模型现已装入SPICE II程序中,达到了实用的目的,并可对VLSI设计与制造起一定的指导作用.

关键词：开启电压电路模拟 MOSFET

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超混沌Lorenz系统的电路模拟与同步

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兰州大学学报（自然科学版） 2011年第5期47卷 120-126页

作者：薛怀庆彭建奎王振乾胡萍张莉甘肃联合大学师范学院兰州730000 兰州工业高等专科学校基础学科部兰州730050

对Lorenz系统添加一个非线性状态反馈控制器所构成的四维超混沌Lorenz系统,并运用数值模拟和理论分析的方法研究该超混沌系统丰富的动力学特性,同时运用PSPICE和MATLAB软件设计电子电路以实现超混沌系统,并且所得电路仿真结果与数值仿... 详细信息

对Lorenz系统添加一个非线性状态反馈控制器所构成的四维超混沌Lorenz系统,并运用数值模拟和理论分析的方法研究该超混沌系统丰富的动力学特性,同时运用PSPICE和MATLAB软件设计电子电路以实现超混沌系统,并且所得电路仿真结果与数值仿真结果完全一致;然后提出自适应控制器以实现超混沌同步;最后运用Lyapunov理论与数值模拟证实所设计的控制器的有效性.

关键词：超混沌Lorenz系统电路模拟超混沌同步自适应控制

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混沌吸引子的电路模拟研究