2006年ITRS预计：2016年左右以双栅纳米FinFET为代表的非传统CMOS可能代替体硅结构用于亚22nm节点后的集成电路技术代.如此的技术进步对纳米FinFET的研究提出了巨大挑战： 一是目前还无完整清晰的纳米FinFET器件物理理论; 二是诸多独特物理效应复杂化了电路模拟SPICE模型的建立;三是并不清楚已有的电路设计技术和方法是否适用纳米FinFET的CMOS电路.基于此, 我们提出“双栅纳米FinFET的器件物理,模拟模型和电路设计技术研究”项目. 以本项目为依托,我们在双栅纳米FinFET器件物理、电路模型、新器件结构以及电路设计等方面都取得了系列具有国际水平的创新性研究成果,在国际权威期刊和会议上发表多篇高水平的研究论文,自2009年项目初始截至2012年,共有SCI收录论文28篇,EI收录论文55篇(详见附件—论文检索报告)。受邀在国际会议上做特邀报告12次,合作出版专著4部,包括：英文专著“Nanowire implantation and application”中的“Silicon-based nanowire MOSFETs： from process and device physics to simulation and modeling”一章;英文专著“Semiconductor memory”中的“Phase change memory： modeling and simulation”一章;英文专著“Plasmonics： Principles and Applications”中的“Application of surface plasmon polaritions in CMOS digital imaging”一章;以及英文专著“Toward Quantum FinFET”中的“Modeling of FinFETs for CMOS circuit application”一章。其中,英文专著“Nanowire implantation and application”中的“Silicon-based nanowire MOSFETs： from process and device physics to simulation and modeling ”一章自去年出版以来获得国际学术界的广泛关注,专著国际下载量一年突破4000次。申请发明专利6个,其中授权专利4个,受理专利2个,分别是(边伟,何进,一种纳米环栅MOSFET晶体管及其制备方法[P].CN200810103747.4;何进,张立宁,张健,张兴,一种纳米线场效应晶体管[P].CN200810226509.2;张立宁,何进,张健,一种独立栅控制的纳米线场效应晶体管[P].CN200910089213.5;马晨月,何进,张兴,提取场效应晶体管栅氧化层厚度和衬底掺杂浓度的方法[P].CN200910236142.7;何进,苏艳梅,张东维,高填充系数的CMOS图像传感器像素单元及其工作方法[P].201110441799.4;何进,苏艳梅,杜彩霞,超低压CMOS图像传感器像素单元及电压输入输出方法[P].201110441861.X)。
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