针对氧气对V波段表现良好的吸收特性,基于0.1μm Ga As p HEMT工艺设计了一款V波段高镜像抑制度的二次谐波混频器,应用于大气检测接收设备中的射频前端。采用电阻型混频方式提高混频器的线性度。电路结构选择单平衡混频架构,中频电路正...
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针对氧气对V波段表现良好的吸收特性,基于0.1μm Ga As p HEMT工艺设计了一款V波段高镜像抑制度的二次谐波混频器,应用于大气检测接收设备中的射频前端。采用电阻型混频方式提高混频器的线性度。电路结构选择单平衡混频架构,中频电路正交输出,中频信号在片外合成,可以有效的抑制镜像噪声。芯片实测结果表明:RF的输入频率在51～60GHz,本振输入频率在25～30GHz范围内,中频带宽达到1GHz,IQ两路中频信号的相位差在±4°范围内;在射频范围内混频器的典型变频损耗为13d B,镜像抑制度达到39d B。
本文给出了一种毫米波段下变频SOC(System on Chip)的设计方法。该款芯片实现了对低噪声放大器与电阻型混频器单片集成,芯片尺寸2.5mm×2.0mm×0.1mm。实际测试指标为:工作频率范围24GHz～40GHz,中频频率范围DC～1GHz,变频增益5...
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本文给出了一种毫米波段下变频SOC(System on Chip)的设计方法。该款芯片实现了对低噪声放大器与电阻型混频器单片集成,芯片尺寸2.5mm×2.0mm×0.1mm。实际测试指标为:工作频率范围24GHz～40GHz,中频频率范围DC～1GHz,变频增益5dB,直流功耗47mW,双边带噪声系数3.6dB,本振功率2dBm。
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