检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：安玉贵州大学

学位级别：硕士

瞬态二极管,是一种安全保护器件,这种器件大量应用在各种电路系统中,对电路中瞬间出现的浪涌电压脉冲起到分流、箝位的作用,当瞬态二极管两端经受瞬间的高能量或电脉冲冲击时,它能以极高的速度(达到或接近10×10-12秒)使其阻抗骤然... 详细信息

瞬态二极管,是一种安全保护器件,这种器件大量应用在各种电路系统中,对电路中瞬间出现的浪涌电压脉冲起到分流、箝位的作用,当瞬态二极管两端经受瞬间的高能量或电脉冲冲击时,它能以极高的速度(达到或接近10×10-12秒)使其阻抗骤然降低,同时吸收一个大电流,将其两端间的电压箝位在一个预定的数值上,从而确保系统的安全运行和其它电路元件免受瞬态高能量的冲击而损坏,它主要用于电子设备的快速过压保护。本文对高灵敏瞬态二极管的理论基础、器件结构、版图和工艺设计等方面进行了分析讨论,并进行了初步的试验研究,为最终完成器件的研制积累了经验。

关键词：瞬态二极管 PN结横向设计纵向设计平面工艺

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瞬态二极管损坏后短路而引起的设备损坏问题探讨

引用

机电工程技术 2015年第6期44卷 139-140页

作者：胡宗强中山市新立防雷科技有限公司广东中山528437

通过在信号防雷器的瞬态二极管前加装一种快速熔断型保险管的方法,使得当瞬态二极管因各种原因损坏至短路后,当短路电流增大至一定程度后,快速熔断型保险管断开从而使瞬态二极管从电路中脱离,保证信号防雷器不会因瞬态二极管短路而引发... 详细信息

通过在信号防雷器的瞬态二极管前加装一种快速熔断型保险管的方法,使得当瞬态二极管因各种原因损坏至短路后,当短路电流增大至一定程度后,快速熔断型保险管断开从而使瞬态二极管从电路中脱离,保证信号防雷器不会因瞬态二极管短路而引发短路电流,保证后级设备的使用安全。并就瞬态二极管在应用中出现短路损坏时短接电流引起的设备损坏问题提出一种解决方案进行探讨。

关键词：瞬态二极管短路防雷保护

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一种瞬态二极管失效监控电路

一种瞬态二极管失效监控电路

引用

作者：胡兆弟 215168 江苏省苏州市吴中经济开发区郭巷街道官浦路1号9幢

本发明公开一种瞬态二极管失效监控电路，涉及电路保护技术领域。电路的差分放大模块、电压采样模块与瞬态二极管电性连接，当瞬态二极管由高阻态切换至低阻态时，差分放大模块中的运算放大器获取二极管活跃信号，统计模块与差分放大模... 详细信息

标准号: CN115588973A

本发明公开一种瞬态二极管失效监控电路，涉及电路保护技术领域。电路的差分放大模块、电压采样模块与瞬态二极管电性连接，当瞬态二极管由高阻态切换至低阻态时，差分放大模块中的运算放大器获取二极管活跃信号，统计模块与差分放大模块电性连接，该统计模块根据二极管活跃信号统计瞬态二极管的工作次数信号，输出瞬态二极管的老化信号。通过上述瞬态二极管失效监控电路，及时获悉瞬态二极管的使用状态，及时排除瞬态二极管的失效风险。

关键词：瞬态二极管差分放大模块二极管电性连接活跃信号监控电路统计模块电压采样模块运算放大器次数信号电路保护老化信号低阻态高阻态电路输出统计

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一种瞬态二极管

一种瞬态二极管

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作者：蔡锦波陈林 243000 安徽省马鞍山市经济技术开发区湖西南路2189号5栋1号厂房南面

本发明公开了一种瞬态二极管。包括：器件主体；所述器件主体包括：至少一个第一双向半导体芯片、至少一个第二双向半导体芯片和导电层；所述第一双向半导体芯片和所述第二双向半导体芯片之间设置有所述导电层，使所述第一双向半导体芯... 详细信息

标准号: CN115863393A

本发明公开了一种瞬态二极管。包括：器件主体；所述器件主体包括：至少一个第一双向半导体芯片、至少一个第二双向半导体芯片和导电层；所述第一双向半导体芯片和所述第二双向半导体芯片之间设置有所述导电层，使所述第一双向半导体芯片和所述第二双向半导体芯片串联连接；其中，所述第一双向半导体芯片为N型衬底的双向半导体芯片，所述第二双向半导体芯片为P型衬底的双向半导体芯片。本发明提供一种瞬态二极管，实现降低瞬态二极管残压，提高器件的保护能力。

关键词：双向半导体芯片瞬态二极管器件主体导电层衬底保护能力芯片串联残压

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一种瞬态二极管失效监控电路

一种瞬态二极管失效监控电路

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作者：胡兆弟 215168 江苏省苏州市吴中经济开发区郭巷街道官浦路1号9幢

标准号: CN115588973B

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瞬态二极管、信号传输电路及电子设备

瞬态二极管、信号传输电路及电子设备

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作者：张亚利逯永广 100085 北京市海淀区上地信息产业基地创业路6号

本公开提供了一种瞬态二极管，包括：瞬态二极管本体；以及补偿元件，与瞬态二极管本体相连，用于补偿当瞬态二极管本体连接在信号传输线路上产生的容性阻抗，以减少瞬态二极管对信号传输线路的信号传输质量的影响。本公开还提供了一种... 详细信息

标准号: CN107346967A

本公开提供了一种瞬态二极管，包括：瞬态二极管本体；以及补偿元件，与瞬态二极管本体相连，用于补偿当瞬态二极管本体连接在信号传输线路上产生的容性阻抗，以减少瞬态二极管对信号传输线路的信号传输质量的影响。本公开还提供了一种信号传输电路以及一种电子设备。

关键词：瞬态二极管信号传输电路信号传输线路信号传输线二极管补偿元件电子设备减少瞬态容性阻抗信号传输

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一种瞬态二极管电流冲击试验控制系统

一种瞬态二极管电流冲击试验控制系统

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作者：潘昆马绪薛宏菊罗洪庆黄荣奎 550018 贵州省贵阳市乌当区新添大道北段270号

本发明提供的一种瞬态二极管电流冲击试验控制系统；包括PLC、VC测试仪、继电器模块、冲击板、译码板，PLC、VC测试仪、继电器模块、冲击板、译码板均通过DC电源供电；本发明使用CD4514CE译码芯片且通过达林顿管扩展使冲击板能够实现64... 详细信息

标准号: CN111830387A

本发明提供的一种瞬态二极管电流冲击试验控制系统；包括PLC、VC测试仪、继电器模块、冲击板、译码板，PLC、VC测试仪、继电器模块、冲击板、译码板均通过DC电源供电；本发明使用CD4514CE译码芯片且通过达林顿管扩展使冲击板能够实现64个工位实验的切换，并且通过PLC控制实验过程，实验效率大大增加。

关键词：冲击板继电器模块测试仪译码板试验控制系统瞬态二极管达林顿管电流冲击实验效率译码芯片工位供电

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瞬态二极管、信号传输电路及电子设备

瞬态二极管、信号传输电路及电子设备

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作者：张亚利逯永广 100085 北京市海淀区上地信息产业基地创业路6号

标准号: CN107346967B

关键词：瞬态二极管信号传输电路信号传输线路信号传输线二极管补偿元件电子设备减少瞬态容性阻抗信号传输

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一种瞬态二极管

一种瞬态二极管

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作者：蔡锦波陈林 243000 安徽省马鞍山市经济技术开发区湖西南路2189号5栋1号厂房南面

本实用新型公开了一种瞬态二极管。包括：器件主体；所述器件主体包括：至少一个第一双向半导体芯片、至少一个第二双向半导体芯片和导电层；所述第一双向半导体芯片和所述第二双向半导体芯片之间设置有所述导电层，使所述第一双向半导... 详细信息

标准号: CN219180515U

本实用新型公开了一种瞬态二极管。包括：器件主体；所述器件主体包括：至少一个第一双向半导体芯片、至少一个第二双向半导体芯片和导电层；所述第一双向半导体芯片和所述第二双向半导体芯片之间设置有所述导电层，使所述第一双向半导体芯片和所述第二双向半导体芯片串联连接；其中，所述第一双向半导体芯片为N型衬底的双向半导体芯片，所述第二双向半导体芯片为P型衬底的双向半导体芯片。本实用新型提供一种瞬态二极管，实现降低瞬态二极管残压，提高器件的保护能力。

关键词：双向半导体芯片瞬态二极管本实用新型器件主体导电层衬底保护能力芯片串联残压

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一种瞬态二极管

一种瞬态二极管

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作者：张驰罗辉生阮鹏 518110 广东省深圳市龙华区观澜街道新澜社区观光路1301号银星科技大厦402

本实用新型涉及电路保护器件技术领域，更具体地，涉及一种瞬态二极管。其包括衬底、P型区，N型高浓度掺杂区、第一电极、与P型区连接的P型高浓度掺杂区和第二电极；P型区包括均设置在衬底一侧的第一P型区和第二P型区，第二P型区的一侧... 详细信息

标准号: CN221102097U

本实用新型涉及电路保护器件技术领域，更具体地，涉及一种瞬态二极管。其包括衬底、P型区，N型高浓度掺杂区、第一电极、与P型区连接的P型高浓度掺杂区和第二电极；P型区包括均设置在衬底一侧的第一P型区和第二P型区，第二P型区的一侧设有多条硅纳米线，硅纳米线向第二P型区与P型高浓度掺杂区的连线方向延伸并且嵌于P型高浓度掺杂区内。本实用新型克服了现有技术中P型材料片与P型高浓度掺杂区接触会形成抑制电场抑制载流子传输从而导致二极管的漏电流增大的不足，该瞬态二极管设置多条硅纳米线，可提高载流子的传输效率，降低载流子复合的风险，减小瞬态二极管的漏电流。

关键词：瞬态二极管硅纳米线本实用新型漏电流衬底载流子电路保护器件高浓度掺杂载流子传输载流子复合二极管传输效率第二电极第一电极电场抑制方向延伸增大的减小连线

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