检索结果-内蒙古大学图书馆

电瓷避雷器 2017年第3期 10-13页

作者：张宏群徐彬彬杨天琦南京信息工程大学电子信息与工程学院南京210044 南京市气象局南京市气象服务中心南京210009

利用瞬态热阻抗模型,设计实验研究MOV芯片通过直流电时散热能力的变化特征,结果表明,在通过直流电时,MOV芯片的内部晶体势垒高度并不是直接下降的,存在一个"转折温度",这个温度是势垒高度改变的转折点,低于此温度,势垒高度上... 详细信息

利用瞬态热阻抗模型,设计实验研究MOV芯片通过直流电时散热能力的变化特征,结果表明,在通过直流电时,MOV芯片的内部晶体势垒高度并不是直接下降的,存在一个"转折温度",这个温度是势垒高度改变的转折点,低于此温度,势垒高度上升,高于此温度,才是单调下降的。根据此原理,可用直流电对MOV芯片进行合适时间的"预老化",以增强其初始散热能力。

关键词：氧化锌压敏电阻散热能力热阻瞬态热阻抗模型电涌保护器热熔穿

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基于瞬态热阻抗模型的氧化锌压敏电阻散热能力研究

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仪表技术与传感器 2014年第6期 19-23页

作者：张欣行鸿彦杨天琦宋晨曦南京信息工程大学江苏省气象灾害预报预警与评估协同创新中心江苏南京210044 南京信息工程大学中国气象局气溶胶与云降水重点开放实验室江苏南京210044 南京市气象局南京市气象服务中心江苏南京210009

针对交流环境中氧化锌压敏电阻(Metal Oxide Varistor,MOV)芯片热熔穿热劣化过程中散热能力的研究对试验依赖性强的问题,在分析MOV芯片散热能力基础上,提出了利用瞬态热阻抗参量表述其散热特性,建立了适用于MOV芯片的瞬态热阻抗模型,研... 详细信息

针对交流环境中氧化锌压敏电阻(Metal Oxide Varistor,MOV)芯片热熔穿热劣化过程中散热能力的研究对试验依赖性强的问题,在分析MOV芯片散热能力基础上,提出了利用瞬态热阻抗参量表述其散热特性,建立了适用于MOV芯片的瞬态热阻抗模型,研究了片径和热熔穿电流对MOV芯片瞬时散热能力的影响。试验结果表明:热熔穿过程中,MOV芯片散热量除与片径有关外,还与通过电流值有关,是随时间和温度变化的量,并且随着通电时间延长其势垒高度降低同时散热能力增强。试验结果验证了模型的正确性,说明了所建立的瞬态热阻抗模型可定量反映MOV芯片散热能力大小,为研究MOV芯片热熔穿热劣化提供理论依据。

关键词：氧化锌压敏电阻散热能力热阻瞬态热阻抗模型电涌保护器热熔穿

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基于多种老化模型的氧化锌压敏电阻损坏模式研究

基于多种老化模型的氧化锌压敏电阻损坏模式研究

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作者：张欣南京信息工程大学

学位级别：硕士

低压配电系统中电涌保护器(SPD)是现代防雷技术中重要环节之一。而SPD因各种因素造成的老化劣化会令其失效,无法保护后续电路系统安全,造成严重后果。目前的防雷技术无法精准的动态判断SPD瞬时老化劣化程度,也就无法根据保护等级需要及... 详细信息

低压配电系统中电涌保护器(SPD)是现代防雷技术中重要环节之一。而SPD因各种因素造成的老化劣化会令其失效,无法保护后续电路系统安全,造成严重后果。目前的防雷技术无法精准的动态判断SPD瞬时老化劣化程度,也就无法根据保护等级需要及时更换SPD,产生极大隐患。针对交流环境中氧化锌压敏电阻芯片热熔穿热劣化过程中散热能力的研究对试验依赖性强的问题,在分析MOV芯片散热能力基础上,提出了利用瞬态热阻抗参量表述其散热特性,建立了适用于MOV芯片的瞬态热阻抗模型,研究了片径和热熔穿电流对MOV芯片瞬时散热能力的影响。实验结果表明,热熔穿过程中,MOV芯片散热量除与片径有关外,还与通过电流值有关,是一随时间和温度变化的量,并且随着通电时间延长其晶界势垒高度降低同时散热能力增强。实验结果验证了模型的正确性,说明了所建立的瞬态热阻抗模型可定量反映MOV芯片散热能力大小。针对氧化锌压敏电阻芯片在8/20ps电流冲击初期,芯片压敏电压变化较小,老化程度无法通过静态参数判别的问题,设计了冲击老化试验,研究了ZnO压敏电阻芯片不同冲击老化情况,耐受工频恒定不同幅值过电压过程和耐受阶段流经芯片内部电流Iin随时间的变化关系；结合双肖特基势垒理论和ZnO压敏电阻芯片Voronoi网格微观结构模型,分析试验结论。研究表明：耐受工频恒定相同幅值过电压,ZnO压敏电阻芯片经8/20μs电流冲击后老化程度越深其流过芯片内部电流Iin的初始值越大；且Iin值随时问上升速率与初始冲击老化程度呈正比；相同老化程度ZnO压敏电阻芯片耐受过电压幅值越大,耐受时间越短,Iin的初始值越大。针对氧化锌压敏电阻芯片在实际工作环境中会遭受过电压作用问题,设计了暂态过电压预处理后MOV耐受冲击老化试验,研究了不同幅值工频交流暂态过电压5s作用下MOV芯片耐冲击老化性能变化。试验结果表明：MOV芯片经暂态过电压预处理后压敏电压升高,耐8/20μs电流波冲击次数增多；暂态过电压预处理后芯片冲击过程中压敏电压呈现下降一保持一下降过程,与未经预处理芯片压敏电压变化过程有所不同。结合双肖特基势垒导电机理推论出工频交流瞬时过电压作用下,氧化锌晶界两侧势垒高度变化过程,并经过试验数据分析证明此推论的合理性。

关键词：氧化锌压敏电阻老化劣化瞬态热阻抗模型散热能力内部电流

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基于瞬态热阻抗的不同电流对MOV芯片散热能力的影响

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电瓷避雷器 2014年第5期 46-48,54页

作者：张欣杨天琦杨仲江南京信息工程大学中国气象局气溶胶与云降水重点开放实验室南京210044 南京信息工程大学江苏省气象灾害预报预警与评估协同创新中心南京210044 南京市气象局南京市气象服务中心南京210009 南京信息工程大学大气物理学院南京210044

设计实验,分析了相同片径的MOV芯片通过不同电流值时瞬态热阻抗值随温度的变化关系,利用瞬态热阻抗模型研究了不同电流对MOV芯片瞬时散热能力的影响。实验结果表明,MOV芯片热熔穿过程中,MOV芯片散热能力与通过电流值有关,给出了一种研究... 详细信息

设计实验,分析了相同片径的MOV芯片通过不同电流值时瞬态热阻抗值随温度的变化关系,利用瞬态热阻抗模型研究了不同电流对MOV芯片瞬时散热能力的影响。实验结果表明,MOV芯片热熔穿过程中,MOV芯片散热能力与通过电流值有关,给出了一种研究MOV芯片热劣化的新方法。

关键词： MOV 散热能力瞬态热阻抗模型

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基于瞬态热阻抗的不同电流对MOV芯片散热能力的影响

基于瞬态热阻抗的不同电流对MOV芯片散热能力的影响

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2014输变电年会

作者：张欣杨天琦杨仲江南京信息工程大学中国气象局气溶胶与云降水重点开放实验室南京 210044 南京信息工程大学江苏省气象灾害预报预警与评估协同创新中心南京 210044 南京市气象局南京市气象服务中心南京 210009 南京信息工程大学中国气象局气溶胶与云降水重点开放实验室南京 210044 南京信息工程大学大气物理学院南京 210044

设计实验,分析了相同片径的MOV芯片通过不同电流值时瞬态热阻抗值随温度的变化关系,利用瞬态热阻抗模型研究了不同电流对MOV芯片瞬时散热能力的影响.实验结果表明,MOV芯片热熔穿过程中,MOV芯片散热能力与通过电流值有关,给出了一种研究... 详细信息

设计实验,分析了相同片径的MOV芯片通过不同电流值时瞬态热阻抗值随温度的变化关系,利用瞬态热阻抗模型研究了不同电流对MOV芯片瞬时散热能力的影响.实验结果表明,MOV芯片热熔穿过程中,MOV芯片散热能力与通过电流值有关,给出了一种研究MOV芯片热劣化的新方法.

关键词：限压型电涌保护器 MOV芯片散热能力瞬态热阻抗模型

来源：评论

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