随着现代通讯技术的发展,相控阵技术迅速发展,在雷达探测,5G通讯,空间通信等方面发挥着重要作用,而矢量调制器作为在相控阵技术中实现高精度幅度和相位调制的重要器件,迎合了相控阵技术小型化单片化方向发展的趋势,是相控阵发展的重要趋势。Ga As矢量调制器由于发展较晚,集成控制较为复杂等问题,与Si基CMOS矢量调制器相比发展缓慢。但Ga As材料稳定性好,耐功率高,有较好的频率特性,因而采用Ga As工艺研制矢量调制器有广阔的应用空间。数控方式应用于相控阵系统中,有着稳定性高,操控简单等优势。基于此前提,本文对Ga As数控矢量调制器进行了研究,并设计了两款数控Ga As矢量调制器。
本文的主要研究内容为5-13GHz频段内的数控Ga As矢量调制器。针对此设计要求,首先从原理出发,对所采用的Ga As p HEMT工艺,矢量调制器以及矢量调制器的各部分单元电路结构进行了初步分析,然后根据本文设计需求,以及小型化高性能的设计思路,确定了基本的电路拓扑。
基于所采用的拓扑,结合巴伦的设计原理,设计了变压器结构的超宽带巴伦;设计了新型数控开关阵列,采用反向信号相互抵消的方式滤除杂波,并通过合理的阻值选择,改善与前后级的匹配;设计了超宽带lange耦合器和基于变压器的正交混合网络,并以基于变压器的正交混合网络为基础,通过多相网络的形式改善幅度一致性和相位正交性,提升了矢量调制器的性能;最后通过各部分优化参数进行匹配,完成了各部分间的级联,完成了两种矢量调制器的设计。
采用0.15μm Ga As p HEMT工艺对采用基于变压器的多相网络结构的矢量调制器进行了流片与测试,测试结果显示在5-13GHz频段内,能实现22.5°步进移相,移相精度RMS<6°,能实现2dB步进总量为8dB的衰减,衰减精度<0.5dB。
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