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砷化镓场效应管是广泛应用于通讯、国防等领域的重要器件。该种砷化镓场效应管(GaAsMESFET)热特性分析仪能够非损伤性地测量器件工作时的温升热阻以及从器件到外部管壳的热阻构成。该测试仪自动测量程度高,所有操作全部由计算机界面控... 详细信息

标准号: hg07018669

砷化镓场效应管是广泛应用于通讯、国防等领域的重要器件。该种砷化镓场效应管(GaAsMESFET)热特性分析仪能够非损伤性地测量器件工作时的温升热阻以及从器件到外部管壳的热阻构成。该测试仪自动测量程度高,所有操作全部由计算机界面控制。该测试仪已经通过北京市科委组织的专家鉴定,达到国内领先水平,部分指标优于国外的同类设备。

关键词：砷化镓场效应管热特性分析仪自动测量计算机界面控制

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用砷化镓场效应管双平衡混频器的正交调制器设计

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移动通信 1983年第4期 53-61页

作者：陈富国

为了实现使用 MSK 等窄带数字调频方式的移动通信系统,希望有精度高而耗电少的集成电路调制器。本论文提出用 D—A 变换器和 FET 模拟开关组成适用于数字集成化的双平衡混频器的方案,并明确提出用这种混频器设计正交调制器。首先对调制... 详细信息

为了实现使用 MSK 等窄带数字调频方式的移动通信系统,希望有精度高而耗电少的集成电路调制器。本论文提出用 D—A 变换器和 FET 模拟开关组成适用于数字集成化的双平衡混频器的方案,并明确提出用这种混频器设计正交调制器。首先对调制波输出中的寄生成分进行分析,明确了要将寄生成分抑制在规定值以下所要求的 D—A 变换器等的精度;其次,求出了调制器满足寄生规定值的载波频率上限和 FET 元件参数的关系。接着,根据使用砷化镓场效应管的实验,证实了分析结果,与此同时,做成了频率到1GHz、能将寄生成分抑制在—40dB(相对于调制波)以下的正交调制器。

关键词：双平衡混频器镜象砷化镓场效应管环形调制器调制波正交调制器载波频率 FET 模拟开关数字调频

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10.7GHz砷化镓场效应管介质谐振器稳频振荡器

10.7GHz砷化镓场效应管介质谐振器稳频振荡器

引用

1985年全国微波会议

作者：王绍熙南京电子器件研究所

本文介绍了反馈砷化镓场效应管介质谐振器稳频振荡器,且对频率温度稳定性进行了分析。该振荡器工作于10.73GHz,在-40℃至+55℃温度范围内,频率温度系数为0.6PPm/℃,输出功率为10mw。在+55℃环境温度下连续工作八小时,频率漂移小于150KHz... 详细信息

本文介绍了反馈砷化镓场效应管介质谐振器稳频振荡器,且对频率温度稳定性进行了分析。该振荡器工作于10.73GHz,在-40℃至+55℃温度范围内,频率温度系数为0.6PPm/℃,输出功率为10mw。在+55℃环境温度下连续工作八小时,频率漂移小于150KHz,电压推频系数约5KHz/V,在偏离载频100KHz处,FM噪声为-150dBC/Hz,该振荡器用作12GHz卫星直播电视接收机的第一本振源,工作稳定可靠。

关键词：稳频振荡器介质谐振器砷化镓场效应管

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功率砷化镓场效应管大信号S参数模拟

功率砷化镓场效应管大信号S参数模拟

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1993年全国微波会议

作者：骆建军邓先灿孙国恩杭州电子工业学院微电子CAE研究所

本文讨论了用CAD方法获得砷化镓肖特基势垒场效应晶体管(GaAs MESFET)大信号S参数的途径。从MESFET大信号模型出发,采用谐波平衡法求出稳态解,可获得了大信号、小信号S参数,并自动在同一Smith圆图上显示出来,也可进行增益压缩等特性的... 详细信息

本文讨论了用CAD方法获得砷化镓肖特基势垒场效应晶体管(GaAs MESFET)大信号S参数的途径。从MESFET大信号模型出发,采用谐波平衡法求出稳态解,可获得了大信号、小信号S参数,并自动在同一Smith圆图上显示出来,也可进行增益压缩等特性的分析。在从材料器件物理参数出发直接设计出MMIC的一步法CAD软件包中,本文所开发的软件已得到了正确性的验证。

关键词：大信号小信号 MESFET 砷化镓场效应管

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用Volterra级数展开表示法分析砷化镓场效应管交调失真

用Volterra级数展开表示法分析砷化镓场效应管交调失真

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1985年全国微波会议

作者：洪兴楠张向东清华大学

文章用Vvolterra级数分析了砷化镓场效应管放大器的交调失真。在采用的砷化镓场效应管非线性电路模型中,考虑了偏置电压和输入信号电平对非线性参数的影响。分析是用计算机完成的,优化选择了微波砷化镓场效应管线性功率放大器的偏置、... 详细信息

文章用Vvolterra级数分析了砷化镓场效应管放大器的交调失真。在采用的砷化镓场效应管非线性电路模型中,考虑了偏置电压和输入信号电平对非线性参数的影响。分析是用计算机完成的,优化选择了微波砷化镓场效应管线性功率放大器的偏置、源阻抗和负载阻抗。对单级(0.5μm栅长)砷化镓场效应管线性功率放大器得出了具体结果,其理论计算与实验结果吻合较好,仅相差1～2dB。

关键词：砷化镓场效应管交调失真级数展开 Volterra

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南京固体器件研究所产品——(1)WC58型X波段振荡用砷化镓场效应管

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固体电子学研究与进展 1986年第4期 328-328页

性能振荡输出功率P;（?）c:≥10～40mW（8GHz下）最高结温T;m:175℃最大漏极耗散功率P;SM:200mW最大漏压V;S:8V用途用于相应频段的本地振荡器

关键词：砷化镓场效应管 WC58 振荡器频段电子设备固体器件耗散功率最高结温漏极漏压江苏南京研究所波段

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高功率电磁脉冲对砷化镓金属半导体场效应管的影响

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强激光与粒子束 2006年第11期18卷 1873-1878页

作者：张寒峭黄卡玛四川大学电子信息学院成都610064

采用时域有限差分方法,通过求解麦克斯韦方程、热传导方程和载流子方程,模拟了在电磁脉冲辐射下,场效应管器件温度和端口散射参数的变化过程。研究了不同幅度脉冲序列和上升沿不同的脉冲对砷化镓金属半导体场效应管的影响,对比了各种不... 详细信息

采用时域有限差分方法,通过求解麦克斯韦方程、热传导方程和载流子方程,模拟了在电磁脉冲辐射下,场效应管器件温度和端口散射参数的变化过程。研究了不同幅度脉冲序列和上升沿不同的脉冲对砷化镓金属半导体场效应管的影响,对比了各种不同脉冲作用下场效应管性能的变化规律。该方法克服了传统电路模型无法模拟电磁波与器件内部活动粒子作用过程的缺点,可以直接模拟器件温度和散射参数在高功率电磁脉冲辐射下的时域变化过程。

关键词：砷化镓场效应管全局模型电磁脉冲时域有限差分热效应

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硅锗技术及其在无线射频领域的应用研究

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兵工学报 2004年第1期25卷 78-81页

作者：孟令琴费元春总参第63研究所北京理工大学电子工程系微波电路实验室

本文概述了硅锗 (SiGe)技术发展趋势及优势 ,阐述了硅锗双极互补型金属氧化物半导体(SiGeBiCMOS)技术 ,硅锗异质结双极晶体管 (SiGeHBT)器件在无线通信领域优良的性能 ,低廉的成本 ,可以说SiGe材料的出现为半导体材料和工艺增添了新的... 详细信息

本文概述了硅锗 (SiGe)技术发展趋势及优势 ,阐述了硅锗双极互补型金属氧化物半导体(SiGeBiCMOS)技术 ,硅锗异质结双极晶体管 (SiGeHBT)器件在无线通信领域优良的性能 ,低廉的成本 ,可以说SiGe材料的出现为半导体材料和工艺增添了新的活力。硅互补型金属氧化物半导体 (SiCMOS)工艺因其低廉的成本 ,较好的一致性是大规模数字集成电路制造的基础 ,而硅锗互补型金属氧化物半导体 /硅锗双极互补型金属氧化物半导体 (SiGeCMOS/BiCMOS)既有硅互补型金属氧化物半导体 (CMOS)工艺的优点 ,又有良好的高频性能 ,特别是SiGeHBT的出现是SiGe器件的工作频率可直接应用到微波频段 ,而其成本和噪声性能是砷化镓 (GaAs)材料无法比拟的。随着对SiGeHBT ,硅锗场效应晶体管 (SiGeFET)的研究 ,SiGe器件的高频性能 ,低噪声性能 ,功率和线性性能将得到展现 ,为进一步降低收发信机的成本 ,提高其集成度打下了基础。

关键词：硅锗技术无线射频半导体技术异质结双极晶体管砷化镓场效应管

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超快电脉冲瞬态取样理论、方法和实验研究

超快电脉冲瞬态取样理论、方法和实验研究

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作者：陈宇晓电子科技大学

学位级别：博士

在高能物理和天体物理实验中，涉及到许多纳秒级至皮秒级单次事件，因此超快电脉冲（皮秒级上升沿、单次）的瞬态取样方法成为一个重要的科学问题，由此兴起一个新兴的电子科学—皮秒电子学。目前基于GaAs、InP材料制作的晶体管截止频... 详细信息

在高能物理和天体物理实验中，涉及到许多纳秒级至皮秒级单次事件，因此超快电脉冲（皮秒级上升沿、单次）的瞬态取样方法成为一个重要的科学问题，由此兴起一个新兴的电子科学—皮秒电子学。目前基于GaAs、InP材料制作的晶体管截止频率已经达到350GHz，并且已有100GHz毫米波单片集成电路的报道，利用这些超高速集成器件和皮秒脉冲传输线可以实现单次超快电脉冲的低成本、小型化精确测量。论文针对上述问题，根据实时取样和电快脉冲取样法基本原理，以皮秒脉冲传输线和高速瞬态取样门为主要研究对象，进行了皮秒电脉冲瞬态取样的理论、方法和实验研究。主要内容为： 1．研究传输线取样系统存在的问题，提出一种新颖的小型化、集成化、固体化高速取样方案。 2．研究针对皮秒电脉冲测量的取样传输线理论和方法，进行传输线特性参数计算和损耗分析。提出高速脉冲取样传输线的基本结构是，两条正负平衡的选通传输线和沿同一方向传输的信号传输线，传输线的基本问题是阻抗匹配问题。提出一种新颖的信号传输线局部阻抗匹配方法和模型，推导出补偿计算公式。提出选通传输线的步进特性阻抗匹配方法和计算公式。利用多层图形工艺和聚四氟乙烯F4B基材，实现一种具有104ps上升时间和4GHz带宽的皮秒脉冲传输线。 3．研究高速瞬态取样门理论和实现方法。发展一种新颖的对称设计四肖特基管平衡取样门电路，给出取样效率计算公式和有效选通宽度的计算方法。 4．研究高速电脉冲波形“缓冲减速”原理和模型。提出电容电荷缓冲存储网络基本模型，设计出有源缓冲电荷存储网络。 5．研究高速取样器实现方法和工艺。设计出各单元电路、微波腔体和印制板工艺，研制出100ps高速瞬态取样器原型装置。综上所述，通过理论分析计算、计算机模拟和实验测试，根据论文提出的理论、方法和工艺实现的原型取样装置，具有高速瞬态取样、信号缓冲减速保持、样品信号多路读取和输出增益放大功能。通过对TD-1110C脉冲源产生的单次快脉冲对比波形测试表明，取样器测量波形和高速示波器所测波形形状一致，脉冲上升沿反映真实，达到主要技术指标：重复频率单次，取样间隔100ps／点，采样速率10GSa／s，输入阻抗50Ω，取样器模拟带宽2.7GHz。可满足精密物理实验对高速电脉冲测量的需求。论文研究的取样理论和方法，为下一步基于GaAs材料的单芯片集成取样器件奠定了研究基础，并且未来可延伸至太赫兹电子学范畴，有助于利用超快电子学测量方法来帮助科学家对基本物理问题和现象的解释。

关键词：超快电脉冲取样高速瞬态取样器皮秒脉冲传输线肖特基二极管取样门砷化镓场效应管

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Ku波段星载行波管混合型预失真线性化器的研究

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电子技术应用 2009年第6期35卷 128-131,135页

作者：张翔周东方张毅孙昱信息工程大学信息工程学院河南郑州450002

提出了一种改善行波管放大器非线性特性的预失真新方法,采用载波复幂级数法分析了星载行波管的非线性传输特性,提出一种反向复幂级数的预失真线性技术。所提出的预失真器非线性特性由混合型结构实现,包括肖特基二级管、砷化镓场效应管,... 详细信息

提出了一种改善行波管放大器非线性特性的预失真新方法,采用载波复幂级数法分析了星载行波管的非线性传输特性,提出一种反向复幂级数的预失真线性技术。所提出的预失真器非线性特性由混合型结构实现,包括肖特基二级管、砷化镓场效应管,改善了行波管在Ku波段的幅度-幅度失真特性,线性增益最大增加30dB,对行波管线性化器的后续研究有一定参考和实用价值。

关键词：行波管放大器复载波幂级数法线性化技术预失真肖特基二极管砷化镓场效应管非线性特性

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