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  • 1 篇 浙江大学
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作者

  • 2 篇 张玉明
  • 2 篇 张义门
  • 2 篇 严婷
  • 2 篇 吕红亮
  • 2 篇 武岳
  • 1 篇 瞿小峰
  • 1 篇 石华芬
  • 1 篇 石瑞英
  • 1 篇 钱永学
  • 1 篇 陆科杰
  • 1 篇 南敬昌
  • 1 篇 栗成智
  • 1 篇 刘训春
  • 1 篇 刘磊
  • 1 篇 隋文泉

语言

  • 7 篇 中文
检索条件"主题词=砷化镓异质结双极晶体管"
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一种低噪声GaAs HBT VCO的设计与实现
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西安电子科技大学学报 2018年 第3期45卷 30-34页
作者： 武岳 吕红亮 张玉明 张义门 西安电子科技大学微电子学院 陕西西安710071
为了降低双极型工艺中二极管对相位噪声的影响,实现了一种工作在K波段的全集成差分压控振荡器.该振荡器基于砷化镓异质结双极晶体管工艺来实现,电路采用改进的π形反馈网络来提高振荡回路的品质因数,降低了压控振荡器的相位噪声,并补偿... 详细信息
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推推式压控振荡器的分析与设计
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电子世界 2017年 第3期 137-139页
作者： 严婷 西安建筑科技大学华清学院
本文采用1μm砷化镓异质结双极晶体管工艺,设计了一款推推式压控振荡器(VCO)。该压控振荡器以交叉耦合差分结构为基础,将交叉耦合晶体管基极电容的连接点作为频率输出点,利用ADS和cadence完成了原理图仿真、版图设计及原理图电磁场联合... 详细信息
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K波段宽调谐低相噪LC压控振荡器的设计
K波段宽调谐低相噪LC压控振荡器的设计
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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
作者： 严婷 张玉明 张义门 吕红亮 武岳 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室 陕西西安710071
本文采用1μm砷化镓异质结双极晶体管工艺,设计了一款23GHz的交叉耦合压控振荡器.该差分压控振荡器采用共射极组态和交叉耦合结构,利用ADS仿真软件和cadence在1μm砷化镓异质结双极晶体管工艺下完成了仿真与版图设计.仿真结果表明:中心... 详细信息
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一种砷化镓HBT高速预分频器的设计
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固体电子学研究与进展 2010年 第1期30卷 59-63页
作者： 瞿小峰 陆科杰 栗成智 隋文泉 浙江大学浙江加州国际纳米技术研究院 杭州310027
介绍了一种采用砷化镓HBT工艺实现的数字静态除8高速预分频器。该预分频器采用D触发器高速分频和多级供电驱动电路结构。测试结果表明,最高工作频率达到18GHz。预分频器芯片在5V的电源电压下的静态电流为85mA。
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GaAs HBT功率放大器在5 GHz无线局域网的应用
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半导体技术 2009年 第1期34卷 31-33,44页
作者： 刘磊 南敬昌 辽宁工程技术大学电子与信息工程学院 辽宁葫芦岛125105
采用2μm GaAs HBT技术实现了单片集成线性功率放大器(PA)在5 GHz无线局域网中的应用。在单端三级功率放大器中应用片上电感和键合线电感对输入,级间网络进行匹配设计,输出匹配网络在PCB上实现。在单独供电3.3 V的情况下,功率放大器的... 详细信息
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GaAs HBT中BC结耗尽区电子渡越时间的修正
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固体电子学研究与进展 2003年 第1期23卷 30-34页
作者： 石瑞英 刘训春 石华芬 钱永学 四川大学物理系 中国科学院微电子中心 北京100029
在对已发表的 Ga As HBT文献的研究中发现 ,其截止频率 f T 的理论计算结果比实验值小很多 ,而相应的文献中并没有给出 f T的计算结果。针对上述问题 ,文中对产生这种差距的原因进行了分析 ,认为由于速度过冲效应的存在 ,使得电子并非... 详细信息
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亚太市场快速增长 威讯中国建厂
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世界电子元器件 2003年 第1期 90-90页
客户期待的,不仅仅是元器件供应商能够提供价格低廉、高性能的产品，而且还期望合作伙伴能够改善管理以及供应链增强竞争力。
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