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Journal of Semiconductors 2007年第z1期28卷 369-371页

作者：许铭真谭长华北京大学微电子研究所北京100871 北京大学微电子研究所北京100871

n-SiOxNy是硅上热生长的超薄绝缘SiOxNy薄膜在电、热应力作用下形成的一种具有双施主型掺杂的宽带隙(Eg=9eV)n-型半导体材料.随着施加电应力时的环境温度的增加,n-SiOxNy的形成效率显著增加.其形成时间的对数lnt随着应力电压、应力环境... 详细信息

n-SiOxNy是硅上热生长的超薄绝缘SiOxNy薄膜在电、热应力作用下形成的一种具有双施主型掺杂的宽带隙(Eg=9eV)n-型半导体材料.随着施加电应力时的环境温度的增加,n-SiOxNy的形成效率显著增加.其形成时间的对数lnt随着应力电压、应力环境温度的增加而减小并呈近似的线性关系.n-SiOxNy中的双施主能级是一种施主型的双缺陷能级,当电应力引导的施主缺陷密度达到1.26×1020cm-3时,SiOxNy,绝缘薄膜呈现n型半导体导电特性.在n-Si或p-Si衬底上形成的硅基异质结n-SiOxNy/n-Si或n-SiOxNy/p-Si二极管的I-V特性具有饱和性质,在电压大于1V的电压区,I-V特性可以用1eV势垒的FN隧道机制来描述.当衬底Si的掺杂增加时,势垒高度下降.

关键词：硅基n-SiOxNy宽带隙半导体薄膜硅基异质结二极管 FN隧道导电机制

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硅基异质结N-SiOxNy/N-Si二极管的IV特性分析

硅基异质结N-SiOxNy/N-Si二极管的IV特性分析

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：许铭真谭长华北京大学微电子研究所 100871

N-SiOxNy是硅上热生长的超薄绝缘SiOxNy薄膜在电、热应力作用下形成的一种具有双施主型掺杂的宽隙带(Eg=9eV)N-型半导体材料.随着施加电应力时的环境温度的增加,N-SiOxNy的形成效率显著增加.其形成时间的对数ln(t)随着应力电压、应力环... 详细信息

N-SiOxNy是硅上热生长的超薄绝缘SiOxNy薄膜在电、热应力作用下形成的一种具有双施主型掺杂的宽隙带(Eg=9eV)N-型半导体材料.随着施加电应力时的环境温度的增加,N-SiOxNy的形成效率显著增加.其形成时间的对数ln(t)随着应力电压、应力环境温度的增加而减小并呈近似的线性关系.N-SiOxNy的中的双施主能级是一种施主型的双缺陷能级,当电应力引导的施主缺陷密度达到1.26×1020 cm-3时,SiOxNy绝缘薄膜呈现N型半导体导电特性.在N-Si或P-Si衬底上形成的硅基异质结N-SiOxNy/N-Si或N-SiOxNy/P-Si二极管的IV特性具有饱和性质,在电压大于1V的电压区,I-V特性可以用1eV势垒的FN隧道机制来描述.当衬底Si的掺杂增加时,势垒高度下降.

关键词：半导体薄膜硅基异质结二极管 FN隧道导电机制

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