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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

116 篇 专利

馆藏范围

116 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

10 篇 上海华虹宏力半导...
6 篇 东京毅力科创株式...
6 篇 华天科技电子有限...
6 篇 杭州电子科技大学
4 篇 埃耶士株式会社
3 篇 上海宏力半导体制...
3 篇 中芯国际集成电路...
3 篇 信越半导体株式会...
3 篇 华南理工大学
3 篇 珠海纳思达电子科...
3 篇 欧姆龙株式会社
2 篇 巴黎综合理工学院
2 篇 旺宏电子股份有限...
2 篇 三菱电机株式会社
2 篇 武汉理工大学
2 篇 华邦电子股份有限...
2 篇 武汉电信器件有限...
2 篇 精工爱普生株式会...
2 篇 清华大学
2 篇 大连海事大学

作者

6 篇 吴立群
6 篇 王洪成
6 篇 周毅
6 篇 于大全
6 篇 张俐楠
4 篇 川端克彦
4 篇 李越
4 篇 刘善善
4 篇 郑伟
4 篇 程从秀
3 篇 加藤史仁
3 篇 项敏
3 篇 犬贺正幸
3 篇 高桥敏幸
3 篇 周波
3 篇 李耀超
3 篇 笠井隆
3 篇 闫志国
3 篇 温万昱
3 篇 朱黎敏

语言

116 篇 中文

检索条件"主题词=硅基板表面"

共 116 条记录，以下是31-40 订阅

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详细简洁

排序：

基于激光控制纳米结构硅基表面形态的研究方法

基于激光控制纳米结构硅基表面形态的研究方法

引用

作者：张俐楠程从秀郑伟吴立群王洪成 310018 浙江省杭州市杭州经济技术开发区白杨街道2号大街1号

本发明公开了一种基于激光控制纳米结构硅基表面形态的研究方法：一、分别用不同导热率的材料接触纳米结构的硅基板；二、激光照射纳米结构的硅基板表面；三、观察硅基表面形态，并测量硅基表面凸起的长径比。四、总结硅基表面形态的变... 详细信息

标准号: CN106744659A

本发明公开了一种基于激光控制纳米结构硅基表面形态的研究方法：一、分别用不同导热率的材料接触纳米结构的硅基板；二、激光照射纳米结构的硅基板表面；三、观察硅基表面形态，并测量硅基表面凸起的长径比。四、总结硅基表面形态的变化规律。本发明具有如下特点：其一，通过接触材料的导热率来改变纳米结构硅基表面形态。其二，用激光对纳米结构硅基板进行照射，清洁、环保、不产生任何污染。其三，改变纳米结构硅基表面形态所需的时间短，效率高。

关键词：纳米结构硅硅基表面基表面纳米结构导热率硅基板表面变化规律材料接触激光控制激光照射接触材料长径比硅基板基板凸起照射激光测量清洁观察污染环保研究

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MEMS圆片级真空封装横向互连结构及其制造方法

MEMS圆片级真空封装横向互连结构及其制造方法

引用

作者：汪学方刘川张卓罗小兵甘志银张鸿海刘胜 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

MEMS圆片级真空封装横向互连结构及其制造方法，属于微机电系统的导线互连结构，解决键合过程中气密性问题，实现真空腔内外电信号的连通。本发明互连结构，在硅基板表面依次具有SiO2绝缘层和多个电极，各电极在硅基板表面的SiO2绝缘层... 详细信息

标准号: CN101746706A

MEMS圆片级真空封装横向互连结构及其制造方法，属于微机电系统的导线互连结构，解决键合过程中气密性问题，实现真空腔内外电信号的连通。本发明互连结构，在硅基板表面依次具有SiO₂绝缘层和多个电极，各电极在硅基板表面的SiO₂绝缘层上周向分散排列，各电极引线上自下而上依次具有闭合曲线形状的绝缘介质层和键合环，键合环内部封闭空间为真空腔，用于放置MEMS器件；硅盖板与键合环完成键合。本发明的制造方法，依次包括热氧化SiO₂绝缘介质层、制作金属电极、沉积绝缘介质层、生长多晶硅、化学机械抛光、键合步骤。本发明键合应力小、密封质量高、可靠性好、成本较低，可极大促进圆片级MEMS真空封装技术的商业化推广。

关键词：键合绝缘介质层互连结构绝缘层硅基板表面真空腔圆片闭合曲线形状化学机械抛光内部封闭空间真空封装技术生长多晶硅微机电系统电极引线多个电极金属电极密封质量真空封装热氧化电极盖板密性沉积连通排列

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半导体装置及其制造方法

半导体装置及其制造方法

引用

作者：大见忠弘寺本章伸日本国宫城县

本发明提供一种半导体装置，在具有多个结晶面的立体构造的硅基板表面，使用等离子体形成栅极绝缘膜。等离子体栅极绝缘膜，即使在多个结晶面中与Si(100)结晶面相比仍不会增加界面水平，且立体构造的角部中也具有均匀的膜厚。由此，通... 详细信息

标准号: CN100454499C

本发明提供一种半导体装置，在具有多个结晶面的立体构造的硅基板表面，使用等离子体形成栅极绝缘膜。等离子体栅极绝缘膜，即使在多个结晶面中与Si(100)结晶面相比仍不会增加界面水平，且立体构造的角部中也具有均匀的膜厚。由此，通过由等离子体形成高品质的栅极绝缘膜，能够得到特性良好的半导体装置。

关键词：等离子体绝缘膜半导体装置立体构造硅基板表面结晶面的界面水平角部膜厚

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硅基SU-8薄膜封装的散热优化方法

硅基SU-8薄膜封装的散热优化方法

引用

作者：吴林晟钟祥林徐仲麟邱良丰毛军发 200240 上海市闵行区东川路800号

本发明提出一种硅基SU‑8薄膜封装的散热优化方法，采用埋置封装方式，在埋置芯片的背面设置钼铜片，在硅基板正面通过SU‑8光刻胶上金属图形实现布线互连，在背面通过硅片减薄处理使得钼铜片从硅基板表面露出并直接与热沉相接触，实现散... 详细信息

标准号: CN115148608A

本发明提出一种硅基SU‑8薄膜封装的散热优化方法，采用埋置封装方式，在埋置芯片的背面设置钼铜片，在硅基板正面通过SU‑8光刻胶上金属图形实现布线互连，在背面通过硅片减薄处理使得钼铜片从硅基板表面露出并直接与热沉相接触，实现散热优化。本发明采用SU‑8光刻胶作为封装介质，结合硅衬底进行MEMS工艺，实现丰富的三维结构，完成封装的高集成度和小型化要求。

关键词：光刻胶钼铜片散热埋置封装硅基板表面硅基板正面薄膜封装背面设置封装方式高集成度硅片减薄金属图形三维结构硅衬底互连布线硅基热沉优化背面芯片

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阳极氧化装置、阳极氧化方法及阳极氧化装置的阴极的制造方法

阳极氧化装置、阳极氧化方法及阳极氧化装置的阴极的制造方法

引用

作者：大槻刚玉塚正郎日本东京都

本发明提供一种阳极氧化装置，其用于在被处理基板上形成多孔层，所述阳极氧化装置的特征在于，具备：填充有电解质溶液的电解槽；配置于所述电解质溶液中的阳极和阴极；以及使所述电解质溶液中的所述阳极与所述阴极的电极间通电的电源... 详细信息

标准号: CN112154229B

本发明提供一种阳极氧化装置，其用于在被处理基板上形成多孔层，所述阳极氧化装置的特征在于，具备：填充有电解质溶液的电解槽；配置于所述电解质溶液中的阳极和阴极；以及使所述电解质溶液中的所述阳极与所述阴极的电极间通电的电源，所述阳极为所述被处理基板，所述阴极通过在硅基板表面上形成氮化膜而成。由此，提供一种在利用HF溶液中的电化学反应而形成多孔硅的阳极氧化中，对HF溶液中的电化学反应具有耐受性且无金属污染等，并比以往更便宜的阴极材料。此外，以比以往更便宜的方式提供高质量的多孔硅。

关键词：阴极电解质溶液阳极氧化装置被处理基板电化学反应阳极多孔硅耐受性硅基板表面金属污染阳极氧化阴极材料氮化膜电解槽多孔层电极填充电源通电配置

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石墨烯带太赫兹传感器

石墨烯带太赫兹传感器

引用

作者：黄晓敏 528000 广东省佛山市三水区乐平镇时代广场情人街区6座8号

本申请提供了一种石墨烯带太赫兹传感器，包括源漏极之间连接的石墨烯带，通过在硅基板上形成凹槽和凹槽上的金属层，将石墨烯层通过金属辅助氧化方法去除与金属层接触的部分，形成石墨烯带，利用石墨烯带特有的电学性能对太赫兹进行探... 详细信息

标准号: CN106960892A

本申请提供了一种石墨烯带太赫兹传感器，包括源漏极之间连接的石墨烯带，通过在硅基板上形成凹槽和凹槽上的金属层，将石墨烯层通过金属辅助氧化方法去除与金属层接触的部分，形成石墨烯带，利用石墨烯带特有的电学性能对太赫兹进行探测，实现高效率的石墨烯带太赫兹传感器。

关键词：石墨烯传感器金属层接触电学性能金属辅助石墨烯层高效率硅基板金属层源漏极去除探测申请石墨烯横向平行金属层硅基板表面凹槽两端石墨烯层氧化物层硅基板上表面去除表面氧化金属辅助纵横比传感器紧挨漏极银层源极背面

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一种ZnO纳米线敏感材料制备方法及其应用

一种ZnO纳米线敏感材料制备方法及其应用

引用

作者：孟丹谢书澳李训李旭蕃邬胡倩潘禹伯 110142 辽宁省沈阳市经济技术开发区11号街

一种ZnO纳米线敏感材料制备方法及其应用，涉及一种敏感材料制备方法及其应用，该方法以原料易得的高纯锌粒为锌源，通过简单的热蒸发技术路线，在硅基板表面生长高质量的ZnO纳米线，整个生产过程操作简单、重复性好、原料易得，产品纯... 详细信息

标准号: CN113308680B

一种ZnO纳米线敏感材料制备方法及其应用，涉及一种敏感材料制备方法及其应用，该方法以原料易得的高纯锌粒为锌源，通过简单的热蒸发技术路线，在硅基板表面生长高质量的ZnO纳米线，整个生产过程操作简单、重复性好、原料易得，产品纯度高、结晶性良好，适合工业化生产，整个生产过程无任何有害添加剂和溶剂的使用。所制得的ZnO纳米线阵列直径约为50‑200 nm，纳米线长度超过10µm。这种ZnO纳米线因具有高长径比、高比表面积以及不易发生团聚的特点，不仅有利于目标气体的吸附与解吸，而且具有良好的表面渗透性，加速了气体的快速传输和扩散，从而获得了良好的对H₂S气体的检测特性。特别适合应用于批量生产高质量ZnO气体传感器。

关键词：敏感材料生产过程制备应用表面渗透性硅基板表面气体传感器产品纯度高长径比技术路线检测特性快速传输目标气体高纯锌结晶性纳米线热蒸发溶剂解吸吸附锌源添加剂团聚扩散生长生产

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具有电流体动力微泵的硅基微通道换热器

具有电流体动力微泵的硅基微通道换热器

引用

作者：万珍平周波温万昱闫志国张华杰谭振豪李耀超 510640 广东省广州市天河区五山路381号

本实用新型公开了一种具有电流体动力微泵的硅基微通道换热器，硅基微通道换热器由硅基板和具有电流体动力微泵的氮化铝顶板通过键合密封而成，所述的硅基板表面通过反应离子蚀刻法蚀刻出微沟槽，形成冷却液丙酮的流动通道以及换热的场... 详细信息

标准号: CN203690286U

本实用新型公开了一种具有电流体动力微泵的硅基微通道换热器，硅基微通道换热器由硅基板和具有电流体动力微泵的氮化铝顶板通过键合密封而成，所述的硅基板表面通过反应离子蚀刻法蚀刻出微沟槽，形成冷却液丙酮的流动通道以及换热的场所，所述氮化铝顶板的电流体动力微泵通过激光雕刻、沉金或离子溅射、蒸镀工艺制作。由于电流体动力微泵具有流动稳定、运行可靠、流量控制精确、能耗低等特点，且能够与硅基微通道有效地集成到一体，有效的节省了微电子元器件内有限的空间，在微电子散热领域具有广阔的应用前景。

关键词：电流体微泵硅基微通道换热器氮化铝蚀刻反应离子蚀刻微电子元器件硅基板表面激光雕刻离子溅射流动通道流量控制蒸镀工艺硅基板冷却液微沟槽散热丙酮沉金换热键合微电子密封能耗

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一种减少半导体监控片缺陷的退火装置

一种减少半导体监控片缺陷的退火装置

引用

作者：吕耀安翟继鑫 214135 江苏省无锡市无锡国家高新技术产业开发区清源路20号太湖国际科技园传感网大学科技园立业楼D区一楼

本实用新型公开了一种减少半导体监控片缺陷的退火装置，包括提供激光束的激光光源和放置有待处理硅基板的支撑基板，其中，所述硅基板和支撑基板设置于退火室内，所述退火室开设有透明窗，所述激光束可穿过所述透明窗照射于所述硅基板... 详细信息

标准号: CN205355016U

本实用新型公开了一种减少半导体监控片缺陷的退火装置，包括提供激光束的激光光源和放置有待处理硅基板的支撑基板，其中，所述硅基板和支撑基板设置于退火室内，所述退火室开设有透明窗，所述激光束可穿过所述透明窗照射于所述硅基板，所述退火室内设置有气体喷嘴，所述气体喷嘴向所述硅基板的表面喷射惰性气体并向所述退火室充入惰性气体，所述气体喷嘴可调节气流方向。上述减少半导体监控片缺陷的退火装置，结构简单，在监控片的硅基板退火的过程中，清理颗粒污染物并阻隔高温下硅基板与杂质的反应，避免硅基板表面产生缺陷。

关键词：硅基板退火气体喷嘴监控片惰性气体退火装置支撑基板激光束透明窗退火室半导体室内本实用新型硅基板表面颗粒污染物可调节气流表面喷射激光光源照射阻隔穿过

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MOSFET封装结构

MOSFET封装结构

引用

作者：于大全肖智轶崔志勇耿增华 215300 江苏省苏州市昆山市开发区龙腾路112号

本实用新型公开了一种MOSFET封装结构，封装结构，包括硅基板和MOSFET芯片，MOSFET芯片正面包含有源极导电垫和栅极导电垫，背面包含有漏极区，漏极区上沉积有金属层，硅基板表面有下沉凹槽，下沉凹槽底部铺设有导电层，该导电层延伸至... 详细信息

标准号: CN205789951U

本实用新型公开了一种MOSFET封装结构，封装结构，包括硅基板和MOSFET芯片，MOSFET芯片正面包含有源极导电垫和栅极导电垫，背面包含有漏极区，漏极区上沉积有金属层，硅基板表面有下沉凹槽，下沉凹槽底部铺设有导电层，该导电层延伸至基板表面上，作为漏极导电垫，MOSFET芯片背面贴装到下沉凹槽的底部，漏极区的金属层与下沉凹槽底部的导电层通过金属键合连接，源极导电垫、栅极导电垫及漏极导电垫上均形成有与外部互连的导电体；硅基板正面上导电体以外部分由保护层包封。这样，可将垂直结构的MOSFET背面漏极电流引至MOSFET的正面，实现源极、栅极、漏极电性在同一侧面，以便进行晶圆级封装，且大面积导电层保证了芯片良好的散热效果。

关键词：导电垫下沉凹槽导电层漏极区漏极源极背面导电体金属层本实用新型硅基板表面晶圆级封装垂直结构封装结构基板表面金属键合漏极电流散热效果同一侧面保护层硅基板互连包封电性硅基贴装沉积芯片铺设外部延伸保证

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