检索结果-内蒙古大学图书馆

微纳电子技术 2025年第2期62卷 165-174页

作者：刘文博罗翀王辰伟岳泽昊栾晓东邵祥清李瑾河北工业大学电子信息工程学院天津300130 河北工业大学创新研究院(石家庄) 石家庄050299 江苏海洋大学电子工程学院江苏连云港222000 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司北京100176

为了在硅衬底化学机械抛光(CMP)过程中提高对硅片的去除速率,利用实验与密度泛函理论(DFT)计算相结合的方式研究了绿色环保添加剂哌嗪对硅片表面的作用机理。Zeta电位测试结果表明哌嗪的加入使磨料与抛光硅片表面的Zeta电位降低,二者间... 详细信息

为了在硅衬底化学机械抛光(CMP)过程中提高对硅片的去除速率,利用实验与密度泛函理论(DFT)计算相结合的方式研究了绿色环保添加剂哌嗪对硅片表面的作用机理。Zeta电位测试结果表明哌嗪的加入使磨料与抛光硅片表面的Zeta电位降低,二者间静电排斥力减小,吸附程度增加,增大了机械作用。接触角测试结果发现哌嗪的加入使抛光液在硅片表面的接触角更小,具有良好的润湿性能。抛光液可以更好地与晶圆表面接触,使去除速率加快。同时通过摩擦系数测试进一步证明了哌嗪提高了抛光过程中的摩擦力,从而提升了抛光速率。X射线光电子能谱(XPS)分析显示,哌嗪与硅片表面发生了化学反应,生成了新的Si—N键,对临近的Si—Si键产生极化,使其在磨料作用下更容易被去除。采用DFT的量子化学计算和分子动力学模拟更深入地表明了哌嗪和硅在分子水平上产生了化学吸附。结果显示,当磨料质量分数为0.5%、哌嗪质量分数为0.5%时,去除速率可达580 nm/min。此外,哌嗪作为一种相对绿色环保的添加剂,更适合实际生产应用。

关键词：化学机械抛光(CMP) 硅衬底哌嗪去除速率密度泛函理论(DFT)计算

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12英寸碳化硅衬底实现激光剥离

12英寸碳化硅衬底实现激光剥离

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科技日报

作者：刘园园

科技日报北京3月27日电（记者刘园园）记者27日从西湖大学获悉，由该校孵化的西湖仪器（杭州）技术有限公司（以下简称“西湖仪器”）成功开发出12英寸碳化硅衬底自动化激光剥离技术，解决了12英寸及以上超大尺寸碳化硅衬底切片难题。... 详细信息

科技日报北京3月27日电（记者刘园园）记者27日从西湖大学获悉，由该校孵化的西湖仪器（杭州）技术有限公司（以下简称“西湖仪器”）成功开发出12英寸碳化硅衬底自动化激光剥离技术，解决了12英寸及以上超大尺寸碳化硅衬底切片难题。与传统的硅材料相比，碳化硅具有更宽的......

关键词：激光剥离碳化硅超大尺寸硅衬底

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12英寸碳化硅衬底实现激光剥离

12英寸碳化硅衬底实现激光剥离

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光明日报

作者：晋浩天

本报北京3月30日电（记者晋浩天）由西湖大学孵化的西湖仪器，日前成功实现12英寸碳化硅衬底激光剥离自动化解决方案，大幅降低损耗，提升加工速度，推进了碳化硅行业降本增效。与传统硅材料相比，碳化硅具有禁带宽度大、熔点高、热导... 详细信息

本报北京3月30日电（记者晋浩天）由西湖大学孵化的西湖仪器，日前成功实现12英寸碳化硅衬底激光剥离自动化解决方案，大幅降低损耗，提升加工速度，推进了碳化硅行业降本增效。与传统硅材料相比，碳化硅具有禁带宽度大、熔点高、热导率高等优点，能够在高温、高电压条件下稳......

关键词：激光剥离碳化硅硅衬底

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硅衬底GaN蓝色发光材料转移前后应力变化研究

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物理学报 2008年第5期57卷 3176-3181页

作者：熊传兵江风益方文卿王立莫春兰南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心

利用外延片压焊和湿法腐蚀技术将硅衬底上生长的InGaN多量子阱发光二极管(LED)薄膜材料转移到了新衬底上.研究结果表明,转移后的LED薄膜中GaN层受到的张应力变小,InGaN层受的压应力变大.去除转移后LED薄膜中过渡层后,GaN层受到的张应力... 详细信息

利用外延片压焊和湿法腐蚀技术将硅衬底上生长的InGaN多量子阱发光二极管(LED)薄膜材料转移到了新衬底上.研究结果表明,转移后的LED薄膜中GaN层受到的张应力变小,InGaN层受的压应力变大.去除转移后LED薄膜中过渡层后,GaN层受到的张应力变大,而铟镓氮层受到的压应力基本不变.将转移后的薄膜做成垂直结构的LED芯片后,其光电性能明显改善.

关键词： GaN 发光二极管硅衬底应力

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硅衬底的SrTiO_3淀积膜的湿敏特性与机理研究

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物理学报 1998年第1期47卷 160-167页

作者：李观启尤文俊黄美浅曾绍洪黄钊洪华南理工大学应用物理系华南师范大学量子电子学研究所

对无定形多孔ＳｒＴｉＯ３膜电导率随相对湿度的变化进行了理论模型分析．该模型也适用于其他多孔半导体陶瓷材料．实验样品用氩离子束镀膜技术在ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上淀积ＳｒＴｉＯ３膜并制成平面型电阻结构．结果表明，在室温下，当... 详细信息

对无定形多孔ＳｒＴｉＯ３膜电导率随相对湿度的变化进行了理论模型分析．该模型也适用于其他多孔半导体陶瓷材料．实验样品用氩离子束镀膜技术在ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上淀积ＳｒＴｉＯ３膜并制成平面型电阻结构．结果表明，在室温下，当相对湿度从１２％变化至５３％时，电流缓慢下降；而当相对湿度从５３％变化至９２％时，电流又显著上升，即在高湿度条件下具有良好的湿敏特性．电流及其在高湿条件下的上升率随测试频率而增大．吸附响应时间明显长于脱附时间．

关键词：硅衬底陶瓷半导体薄膜钛酸锶湿敏特性

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硅衬底生长的InGaN/GaN多层量子阱中δ型硅掺杂n-GaN层对载流子复合过程的调节作用

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发光学报 2018年第12期39卷 1722-1729页

作者：周之琰杨坤黄耀民林涛冯哲川广西大学物理科学与工程技术学院广西相对论天体物理区重点实验室广西南宁530004

为了解决在单晶硅衬底上生长的InGaN/GaN多层量子阱发光二极管器件发光效率显著降低的问题,使用周期性δ型Si掺杂的GaN取代Si均匀掺杂的GaN作为n型层释放多层界面间的张应力。采用稳态荧光谱及时间分辨荧光谱测量,提取并分析了使用该方... 详细信息

为了解决在单晶硅衬底上生长的InGaN/GaN多层量子阱发光二极管器件发光效率显著降低的问题,使用周期性δ型Si掺杂的GaN取代Si均匀掺杂的GaN作为n型层释放多层界面间的张应力。采用稳态荧光谱及时间分辨荧光谱测量,提取并分析了使用该方案前后的多层量子阱中辐射/非辐射复合速率随温度(10～300K)的变化规律。实验结果表明引入δ-Si掺杂的n-GaN层后,非辐射复合平均激活能由(18±3)meV升高到(38±10)meV,对应非辐射复合速率随温度升高而上升的趋势变缓,室温下非辐射复合速率下降,体系中与阱宽涨落有关的浅能级复合中心浓度减小,PL峰位由531nm左右红移至579nm左右,样品PL效率随温度的衰减受到抑制。使用周期性δ型Si掺杂的GaN取代Si均匀掺杂的GaN作为生长在Si衬底上的InGaN/GaN多层量子阱LED器件n型层,由于应力释放,降低了多层量子阱与n-GaN界面、InGaN/GaN界面的缺陷密度,使得器件性能得到了改善。

关键词： InGaN/GaN多层量子阱光致荧光时间分辨荧光谱硅衬底

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硅衬底InGaN多量子阱材料生长及LED研制

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高技术通讯 2005年第5期15卷 58-61页

作者：莫春兰方文卿刘和初周毛兴江风益南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心南昌330047

利用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在Si(111)衬底上生长了InGaN 多量子阱LED外延片.为克服GaN与Si衬底之间巨大的晶格失配与热失配,引入了AlN低温缓冲层及富镓的GaN高温缓冲层,在Si(111)衬底上获得了无龟裂的InGaN 多量子阱LED... 详细信息

利用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在Si(111)衬底上生长了InGaN 多量子阱LED外延片.为克服GaN与Si衬底之间巨大的晶格失配与热失配,引入了AlN低温缓冲层及富镓的GaN高温缓冲层,在Si(111)衬底上获得了无龟裂的InGaN 多量子阱LED外延材料.在两英寸外延片内LED管芯的工作电压在3.7～4.1V之间,电致发光波长在465～480nm之间,87%的LED管芯的反向漏电流不大于0.1μA,输出光强为18～30mcd.

关键词： InGaN 多量子阱 LED 材料生长 Si(111)衬底低压金属有机化学气相沉积硅衬底研制反向漏电流晶格失配 Si衬底外延材料工作电压发光波长外延片缓冲层 IED 热失配 AIN 管芯

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硅衬底SrTiO_3薄膜的热敏特性

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华南理工大学学报（自然科学版） 2001年第3期29卷 35-38页

作者：刘玉荣李观启黄美浅曾绍鸿华南理工大学应用物理系广东广州510640

利用氩离子束镀膜技术在SiO2 /Si衬底上淀积钛酸锶 (SrTiO3)膜 ,并制成平面型电阻器 .结果表明 :在实验温区 (2 8～ 150℃ )内 ,SrTiO3薄膜具有负温度系数电阻特性 ,且热敏特性比较明显 ,在室温 30℃时 ,温度系数α达 - 2 .15%℃ - 1.... 详细信息

利用氩离子束镀膜技术在SiO2 /Si衬底上淀积钛酸锶 (SrTiO3)膜 ,并制成平面型电阻器 .结果表明 :在实验温区 (2 8～ 150℃ )内 ,SrTiO3薄膜具有负温度系数电阻特性 ,且热敏特性比较明显 ,在室温 30℃时 ,温度系数α达 - 2 .15%℃ - 1.建立热敏电阻 -电容器并联模型 ,分析了频率对不同温度下薄膜电阻器阻抗的影响 .在实验温区内。

关键词：热敏电阻器热敏特性钛酸锶薄膜硅衬底氩离子束镀膜技术陶瓷薄膜

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硅衬底纳米钛酸钡湿敏元件特性分析

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大连理工大学学报 2003年第4期43卷 522-526页

作者：王兢吴英奎万徽大连理工大学电子与信息工程学院辽宁大连116024

以硅片为衬底制作了纳米钛酸钡膜湿敏元件.用硬脂酸盐法合成纳米钛酸钡材料,丝网印刷法将纳米钛酸钡涂在硅衬底上制成电阻式湿敏元件.测试分析了元件的性能参数.结果表明,元件具有较高的灵敏度.元件阻抗和电容值随测试频率及相对湿度而... 详细信息

以硅片为衬底制作了纳米钛酸钡膜湿敏元件.用硬脂酸盐法合成纳米钛酸钡材料,丝网印刷法将纳米钛酸钡涂在硅衬底上制成电阻式湿敏元件.测试分析了元件的性能参数.结果表明,元件具有较高的灵敏度.元件阻抗和电容值随测试频率及相对湿度而变化,但基本不随测试电压变化.在1V、100Hz条件下,元件阻抗-相对湿度关系曲线的线性最好.由不同湿度的复阻抗平面特性曲线得到了材料感湿特性等效电路,讨论了材料的感湿机理.低湿时,材料本身颗粒电阻和电容及吸附的少量水共同起作用;高湿时,主要是吸附的水分子电离和极化起作用.

关键词：纳米钛酸钡湿敏元件硅衬底阻抗电容感湿机理硬脂酸盐法丝网印刷法传感器

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硅衬底RF集成电路中螺旋电感的建模和分析

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电子学报 2002年第8期30卷 1219-1221页

作者：姜祁峰李征帆上海交通大学电子工程系上海200030

对硅衬底RF集成电路中的螺旋电感进行电磁场建模 ,考虑了衬底损耗效应 ,并通过电路分析和网络分析技术得到了二端口简化电感模型 .该模型在特定的截止频率以下可提供可靠的电路系统仿真 .利用该模型分析了硅衬底的损耗对螺旋电感品质因... 详细信息

对硅衬底RF集成电路中的螺旋电感进行电磁场建模 ,考虑了衬底损耗效应 ,并通过电路分析和网络分析技术得到了二端口简化电感模型 .该模型在特定的截止频率以下可提供可靠的电路系统仿真 .利用该模型分析了硅衬底的损耗对螺旋电感品质因素 (Q)的影响 .

关键词：硅衬底螺旋电感 RF集成电路部分元等效电路品质因素损耗效应

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