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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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30 篇 专利
1 篇 期刊文献

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31 篇 电子文献
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学科分类号

1 篇 工学
- 1 篇 电气工程

主题

1 篇 电磁兼容
1 篇 功率密度
1 篇 碳化硅功率半导体...
1 篇 电力电子变换装置
1 篇 效率
1 篇 嵌入式保护

机构

6 篇 电子科技大学
3 篇 株洲中车时代半导...
2 篇 特瑞诺科技股份有...
2 篇 松山湖材料实验室
2 篇 东南大学
2 篇 忱芯科技有限公司
2 篇 光华临港工程应用...
2 篇 江苏游隼微电子有...
2 篇 北京绿能芯创电子...
1 篇 北京交通大学
1 篇 东莞理工学院
1 篇 abb电网瑞士股份公...
1 篇 国网山东省电力公...
1 篇 江苏中科汉韵半导...
1 篇 比亚迪股份有限公...
1 篇 abb瑞士股份有限公...
1 篇 泰科天润半导体科...
1 篇 北京智慧能源研究...
1 篇 半导体组件工业公...
1 篇 杭州芯迈半导体技...

作者

6 篇 孔谋夫
3 篇 王亚飞
3 篇 张文杰
3 篇 李诚瞻
3 篇 宋瓘
3 篇 李乐乐
2 篇 刘鸣然
2 篇 杨书豪
2 篇 吴侊勋
2 篇 刘斯扬
2 篇 金秀圣
2 篇 王妍茹
2 篇 程晨
2 篇 陈喜明
2 篇 陆生礼
2 篇 刘启军
2 篇 钱城晖
2 篇 徐凯
2 篇 殷鸿杰
2 篇 方炅

语言

31 篇 中文

检索条件"主题词=碳化硅功率半导体器件"

共 31 条记录，以下是1-10 订阅

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排序：

碳化硅功率半导体器件测试方法

碳化硅功率半导体器件测试方法

引用

作者：张文杰李乐乐宋瓘刘启军陈喜明王亚飞周才能李诚瞻 412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室

本发明提供一种碳化硅功率半导体器件测试方法，该方法包括获得栅极筛选参考电压；测试获得各待测碳化硅功率半导体器件的第一额定阈值电压；测试各待测碳化硅功率半导体器件的待测器件栅极电压；当待测器件栅极电压大于或等于栅极筛选... 详细信息

标准号: CN114210605B

本发明提供一种碳化硅功率半导体器件测试方法，该方法包括获得栅极筛选参考电压；测试获得各待测碳化硅功率半导体器件的第一额定阈值电压；测试各待测碳化硅功率半导体器件的待测器件栅极电压；当待测器件栅极电压大于或等于栅极筛选参考电压，判定初步合格；测试获得初步合格的各待测碳化硅功率半导体器件的第二额定阈值电压；当第一额定阈值电压与第二额定阈值电压的差异幅度大于预设变化率阈值时，判定不合格，反之，判定待测碳化硅功率半导体器件的合格。分别通过栅极漏电测试、阈值电压测试，并进行栅极电压对比和阈值电压对比分别进行筛选，能够有效筛选出在栅极漏电流测试中受损的芯片，确保筛选效率，并且提高了筛选精度。

关键词：碳化硅功率半导体器件阈值电压测试筛选栅极电压判定参考电压待测器件阈值电压测试栅极漏电流漏电有效筛选变化率阈值时预设受损芯片

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碳化硅功率半导体器件和场效应晶体管

碳化硅功率半导体器件和场效应晶体管

引用

作者：陈昭铭张安平刘鸣然袁朝城殷鸿杰罗惠馨 523000 广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋

本申请涉及一种碳化硅功率半导体器件和场效应晶体管。包括衬底、多个间隔设置的栅极沟槽。多个间隔设置的栅极沟槽形成于衬底的一侧。每个栅极沟槽内设置第一栅极和第二栅极。第一栅极和第二栅极沿衬底延伸的方向排布。第一栅极为第一... 详细信息

标准号: CN113571575B

本申请涉及一种碳化硅功率半导体器件和场效应晶体管。包括衬底、多个间隔设置的栅极沟槽。多个间隔设置的栅极沟槽形成于衬底的一侧。每个栅极沟槽内设置第一栅极和第二栅极。第一栅极和第二栅极沿衬底延伸的方向排布。第一栅极为第一导电类型。第二栅极为第二导电类型。每个栅极沟槽的内壁形成栅极氧化层。栅极氧化层位于栅极沟槽的内壁和第一栅极和第二栅极之间。第一栅极和第二栅极形成PN结后，第二栅极会被第一栅极完全耗尽，形成空间电荷区。空间电荷区可以承受电压，相当于增加了栅极氧化层的厚度。栅极氧化层的厚度增加所以减少了栅极和屏蔽区之间的电容，进而减少了栅电荷，从而能够提高开关速率，降低开关损耗。

关键词：栅极沟槽栅极氧化层衬底空间电荷区间隔设置内壁碳化硅功率半导体器件场效应晶体管第一导电类型导电类型厚度增加开关损耗栅极形成屏蔽区栅电荷电容排布耗尽延伸申请

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具有均匀沟道长度的碳化硅功率半导体器件及其制造方法

具有均匀沟道长度的碳化硅功率半导体器件及其制造方法

引用

作者：吴侊勋郑镇荣金秀圣韩国首尔

公开了具有均匀沟道长度的碳化硅功率半导体器件及其制造方法。该功率半导体器件包括：第一导电型的漂移区域；多个第二导电型的主体区域，在水平方向上以预设间隔宽度WS相互间隔开地形成在漂移区域的上部区域中；第一导电型的JEFT区域... 详细信息

标准号: CN117936579A

公开了具有均匀沟道长度的碳化硅功率半导体器件及其制造方法。该功率半导体器件包括：第一导电型的漂移区域；多个第二导电型的主体区域，在水平方向上以预设间隔宽度W_S相互间隔开地形成在漂移区域的上部区域中；第一导电型的JEFT区域和第一导电型的低电阻区域，形成在相邻的主体区域之间的分隔空间中，使得它们的侧表面与相邻的主体区域接触；以及第一导电型的源极区域，形成在与低电阻区域接触的主体区域中的表面区域中使得与低电阻区域间隔开预设沟道长度。

关键词：导电型主体区域低电阻漂移区域碳化硅功率半导体器件功率半导体器件分隔空间均匀沟道区域间隔区域接触上部区域预设间隔源极区域侧表面沟道预设制造

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一种碳化硅功率半导体器件的栅极可靠性评估方法

一种碳化硅功率半导体器件的栅极可靠性评估方法

引用

作者：陈艳芳李金元李尧圣邵华强刘俊旭高月龙陈中圆 102209 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号

本发明提供一种碳化硅功率半导体器件的栅极可靠性评估方法，包括：对一个或多个碳化硅功率半导体器件施加动态栅极电应力；动态栅极电应力施加时间Ti后，获取第i组测试数据，包括：栅极漏电流、栅电荷、跨导、阈值电压变化量，其中i为... 详细信息

标准号: CN117554771A

本发明提供一种碳化硅功率半导体器件的栅极可靠性评估方法，包括：对一个或多个碳化硅功率半导体器件施加动态栅极电应力；动态栅极电应力施加时间T_i后，获取第i组测试数据，包括：栅极漏电流、栅电荷、跨导、阈值电压变化量，其中i为自然数；重复n次获取测试数据步骤，获取n组测试数据；且获取各组测试数据所需的动态栅极电应力施加时间T_i各不相同；其中，i∈n，n为自然数；将n组测试数据拟合得出栅极漏电流、栅电荷、跨导、阈值电压变化量分别随动态栅极电应力施加时间的变化曲线；根据各个测试数据的变化曲线，评估碳化硅功率半导体器件的栅极可靠性。上述方法可以精确评估碳化硅功率半导体器件的栅极可靠性。

关键词：测试数据碳化硅功率半导体器件动态栅极电应力栅极可靠性施加阈值电压变化栅极漏电流变化曲线栅电荷评估拟合重复

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一种用于碳化硅功率半导体器件双极性退化测试的电流源

一种用于碳化硅功率半导体器件双极性退化测试的电流源

引用

作者：殷成彬毛赛君刘弘耀钱城晖崔东杰 201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区盛夏路565弄40号101、105室

本申请公开了一种用于碳化硅功率半导体器件双极性退化测试的电流源，包括：AC‑DC变换器、DC‑DC变换器、电容组、采样电阻、反馈环路、控制单元。其中，AC‑DC变换器、DC‑DC变换器、电容组构成充电单元，电容组、采样电阻、反馈环路构成... 详细信息

标准号: CN117686754B

本申请公开了一种用于碳化硅功率半导体器件双极性退化测试的电流源，包括：AC‑DC变换器、DC‑DC变换器、电容组、采样电阻、反馈环路、控制单元。其中，AC‑DC变换器、DC‑DC变换器、电容组构成充电单元，电容组、采样电阻、反馈环路构成放电单元，所述放电单元外接碳化硅功率半导体器件；控制单元用于产生直流、方波或三角波形式的基准电压；DC‑DC变换器用于在浪涌加电模式下向电容组充入直流电，电容组用于对碳化硅功率半导体器件和采样电阻放电，反馈环路用于接收控制单元输入的基准电压，并控制采样电阻的电压等于控制单元输入的基准电压。本方案能够提供多种加电模式，提高双极性退化测试的效率。

关键词：电容组采样电阻碳化硅功率半导体器件反馈环路基准电压放电单元加电模式双极性退化接收控制单元直流电测试充电单元电流源三角波放电方波浪涌外接申请

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一种用于碳化硅功率半导体器件双极性退化测试的电流源

一种用于碳化硅功率半导体器件双极性退化测试的电流源

引用

作者：殷成彬毛赛君刘弘耀钱城晖崔东杰 201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区盛夏路565弄40号101、105室

标准号: CN117686754A

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具有双屏蔽结构的碳化硅功率半导体器件及其制造方法

具有双屏蔽结构的碳化硅功率半导体器件及其制造方法

引用

作者：吴侊勋金秀圣尹钟晩韩国首尔

公开了具有碳化硅双屏蔽结构的功率半导体器件及其制造方法。一种碳化硅功率半导体器件包括：由碳化硅制成的第一导电型的基板；第一导电型的漂移层，以与基板的杂质浓度相比相对较低的杂质浓度形成在基板的上表面上；形成在漂移层的上... 详细信息

标准号: CN117276312A

公开了具有碳化硅双屏蔽结构的功率半导体器件及其制造方法。一种碳化硅功率半导体器件包括：由碳化硅制成的第一导电型的基板；第一导电型的漂移层，以与基板的杂质浓度相比相对较低的杂质浓度形成在基板的上表面上；形成在漂移层的上部区域中的第二导电型的本体区域；异宽栅极沟槽，被蚀刻成延伸为比本体区域更深并且延伸到漂移层中，其中异宽栅极沟槽的上部区域形成为宽度相对较宽的大宽度区域，异宽栅极沟槽的下部区域形成为宽度相对较窄的窄宽度区域，其中大宽度区域和窄宽度区域共用垂直中心线使得异宽栅极沟槽形成为弯曲成具有台阶状边缘的边界形状；异宽多晶栅极电极，填充在异宽栅极沟槽中以通过异宽栅极氧化物绝缘，并形成为与异宽栅极沟槽的形状相对应的形状；第一导电型的源极区域，形成在本体区域的上部区域中以与异宽栅极沟槽的侧壁接触。

关键词：栅极沟槽宽度区域导电型上部区域漂移层基板碳化硅碳化硅功率半导体器件功率半导体器件蚀刻垂直中心线台阶状边缘栅极氧化物边界形状侧壁接触多晶栅极下部区域源极区域上表面双屏蔽电极延伸绝缘填充制造

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碳化硅功率半导体器件测试方法

碳化硅功率半导体器件测试方法

引用

作者：张文杰李乐乐宋瓘刘启军陈喜明王亚飞周才能李诚瞻 412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室

标准号: CN114210605A

关键词：碳化硅功率半导体器件阈值电压测试筛选栅极电压判定参考电压待测器件阈值电压测试栅极漏电流漏电有效筛选变化率阈值时预设受损芯片

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碳化硅功率半导体器件和场效应晶体管

碳化硅功率半导体器件和场效应晶体管

引用

作者：陈昭铭张安平刘鸣然袁朝城殷鸿杰罗惠馨 523000 广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋

标准号: CN113571575A

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碳化硅功率半导体器件结构

碳化硅功率半导体器件结构

引用

作者：杨啸陈辉 310051 浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号1-1201

本发明提供一种碳化硅功率半导体器件结构，包括：第一导电类型衬底、第一导电类型漂移区、第二导电类型体区、第一导电类型源区、第二导电类型基区、结型场效应晶体管区、第二导电类型屏蔽区、栅极结构、绝缘层及源极金属层。本发明通... 详细信息

标准号: CN114203820A

本发明提供一种碳化硅功率半导体器件结构，包括：第一导电类型衬底、第一导电类型漂移区、第二导电类型体区、第一导电类型源区、第二导电类型基区、结型场效应晶体管区、第二导电类型屏蔽区、栅极结构、绝缘层及源极金属层。本发明通过将源极接触窗口设置为至少有一条边线不超出第二导电类型体区与该边线对应的边缘，从而缩小源极接触窗口的面积，使源极金属层只在局部与第一导电类型源区接触。本发明可以有效将碳化硅功率半导体器件结构的总面积进一步缩小，增大沟道长度和结型场效应晶体管区面积与器件结构的总面积的比值，即增大了沟道密度和结型场效应晶体管区的密度，进而减小器件结构的比导通电阻。

关键词：第一导电类型导电类型结型场效应晶体管区碳化硅功率半导体器件源极金属层边线器件结构源极接触沟道体区绝缘层比导通电阻源区接触栅极结构漂移区屏蔽区衬底基区减小源区

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