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检索条件"主题词=碳化硅功率半导体器件"
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一种积累型沟道的绝缘栅功率器件
一种积累型沟道的绝缘栅功率器件
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作者： 孔谋夫 侯云如 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
本发明属于半导体功率器件技术领域，涉及碳化硅功率半导体器件，具体为一种积累型沟道的绝缘栅功率器件。该器件采用积累型沟道提高器件沟道载流子迁移率，降低沟道电阻，采用电荷补偿技术降低器件漂移区电阻，使得器件导通电阻和耐压... 详细信息
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