检索结果-内蒙古大学图书馆

广东电力 2023年第5期36卷 126-135页

作者：冯静波客金坤彭晗辛晴许航宇薛泓林先进输电技术国家重点实验室(国网智能电网研究院有限公司) 北京102209 华中科技大学电气与电子工程学院湖北武汉430074 国网山西省电力公司信息通信分公司山西太原030012

为了改善碳化硅功率器件的快速开关瞬态带来的串扰问题,研究碳化硅功率器件的驱动参数对串扰问题的影响,总结抑制串扰的驱动策略,并提出串扰抑制的谐振型驱动方法。首先,明确米勒电容和共源极电感的耦合作用,分析得到半桥结构中碳化硅... 详细信息

为了改善碳化硅功率器件的快速开关瞬态带来的串扰问题,研究碳化硅功率器件的驱动参数对串扰问题的影响,总结抑制串扰的驱动策略,并提出串扰抑制的谐振型驱动方法。首先,明确米勒电容和共源极电感的耦合作用,分析得到半桥结构中碳化硅功率器件的串扰机理;其次,通过LTspice仿真研究碳化硅功率器件驱动器的栅极电阻和栅源电容对串扰的影响;然后,提出抑制串扰的驱动策略和谐振型驱动方法;最后,通过双脉冲测试电路实验观测串扰影响,并对比分析所提方法与有源米勒钳位方法的实验结果。研究结果表明:在开通串扰下,有源米勒钳位方法下的栅源电压负尖峰为-13.2 V,串扰抑制的谐振型驱动方法下的电压负尖峰仅为-7.3 V;在关断串扰下,有源米勒钳位方法下的栅源电压正尖峰为-2.4 V,串扰抑制的谐振型驱动方法下的电压正尖峰仅为-3.81 V。上述结果验证了所提方法的有效性。

关键词：碳化硅功率器件米勒电容共源极电感驱动策略有源米勒钳位谐振驱动

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碳化硅功率器件及其制作方法

碳化硅功率器件及其制作方法

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作者：胡洪兴蔡文必郭飞郭锦鹏周永田王勇陶永洪 410000 湖南省长沙市高新开发区长兴路399号

本发明公开了一种碳化硅功率器件及其制作方法，碳化硅功率器件包括碳化硅衬底、碳化硅外延层、介质层、金属层、第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层，金属层覆盖在介质层的边缘上方，并具有高于介质层的金属台阶；金属层远离碳化硅外... 详细信息

标准号: CN113707710B

本发明公开了一种碳化硅功率器件及其制作方法，碳化硅功率器件包括碳化硅衬底、碳化硅外延层、介质层、金属层、第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层，金属层覆盖在介质层的边缘上方，并具有高于介质层的金属台阶；金属层远离碳化硅外延层的表面具有凹槽和位于凹槽边缘的第一端面，第一端面连接金属台阶朝向介质层的侧壁和凹槽，凹槽内设置有金属层窗口；第一钝化层设置在所述金属台阶的侧壁上，并从金属台阶的侧壁向介质层延伸；第二钝化层设置在凹槽内，覆盖金属层窗口以外的区域，因此可以有效减小钝化层与金属层之间的应力，避免因封装工艺对器件施加的压力导致钝化层产生裂纹，从而增强器件阻隔水汽侵入的能力，提高器件的稳定性和可靠性。

关键词：钝化层介质层金属层金属台阶侧壁碳化硅功率器件碳化硅外延层覆盖金属层凹槽边缘端面连接封装工艺水汽侵入的碳化硅衬底减小阻隔施加延伸覆盖制作

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碳化硅功率器件及其制造方法

碳化硅功率器件及其制造方法

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作者：刘慧莹李枭谢志平王珏 312000 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号

本发明提供了一种碳化硅功率器件及其制造方法，通过形成栅极结构时，同时形成掩膜结构，所述掩膜结构覆盖第二导电类型区域，接着，可以在第一导电类型区域上形成与之相对应的第一欧姆接触，然后去除掩膜结构，在第二导电类型区域上形... 详细信息

标准号: CN117650051A

本发明提供了一种碳化硅功率器件及其制造方法，通过形成栅极结构时，同时形成掩膜结构，所述掩膜结构覆盖第二导电类型区域，接着，可以在第一导电类型区域上形成与之相对应的第一欧姆接触，然后去除掩膜结构，在第二导电类型区域上形成与之对应的第二欧姆接触，即不同的导电类型区域匹配不同的欧姆接触，从而解决了现有技术中不能同时兼顾不同导电类型区域上的欧姆接触的性能的问题。

关键词：欧姆接触掩膜结构第二导电类型区域导电类型区域第一导电类型区域碳化硅功率器件栅极结构去除匹配覆盖制造

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碳化硅功率器件终端及其制造方法

碳化硅功率器件终端及其制造方法

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作者：李伟聪陈钱姜春亮雷秀芳 518000 广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301

本申请涉及半导体技术领域，公开了一种碳化硅功率器件终端及其制造方法，包括：N型SiC衬底，形成于N型SiC衬底顶层的N型漂移区，N型漂移区上设有P型基区，在N型漂移区上且位于P型基区的一侧，依次设有深度逐步减小的阶梯沟槽，阶梯沟... 详细信息

标准号: CN115911098A

本申请涉及半导体技术领域，公开了一种碳化硅功率器件终端及其制造方法，包括：N型SiC衬底，形成于N型SiC衬底顶层的N型漂移区，N型漂移区上设有P型基区，在N型漂移区上且位于P型基区的一侧，依次设有深度逐步减小的阶梯沟槽，阶梯沟槽的外表面包裹有第一P型结扩展区，在N型漂移区上，且位于P型基区与阶梯沟槽之间以及第一P型结扩展区的两侧连接有第二P型结扩展区；P型基区上连接有阳极金属，在N型漂移区上且覆盖阶梯沟槽设有氧化介质层，氧化介质层延展至P型基区并与阳极金属接触。本申请有效增加了P型结终端扩展区长度，减小终端尺寸，降低器件击穿电压对JTE区浓度的敏感程度。

关键词：阶梯沟槽扩展区氧化介质层阳极金属衬底终端半导体技术领域碳化硅功率器件击穿电压降低器件终端扩展逐步减小顶层减小延展申请敏感覆盖制造

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碳化硅功率器件的焊料层失效状态在线原位表征系统及方法

碳化硅功率器件的焊料层失效状态在线原位表征系统及方法

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作者：余彬曹永娟毛鹏贾周曹一涵 224002 江苏省盐城市盐城市盐南高新区新河街道文港南路105号

本发明公开了一种碳化硅功率器件的焊料层失效状态在线原位表征系统及方法，包括检测控制模块、IGBT大功率器件、可控电流源、半导体开关器件、直流电压源和漏源电压在线测量电路；检测控制模块分别与半导体开关器件、IGBT大功率器件和... 详细信息

标准号: CN116500400B

本发明公开了一种碳化硅功率器件的焊料层失效状态在线原位表征系统及方法，包括检测控制模块、IGBT大功率器件、可控电流源、半导体开关器件、直流电压源和漏源电压在线测量电路；检测控制模块分别与半导体开关器件、IGBT大功率器件和待测碳化硅功率器件相连，采集待测碳化硅功率器件输出的测试电流，并基于测试电流分别控制三者的通断；IGBT大功率器件的集电极与直流电压源相连，其发射极与待测碳化硅功率器件的源极相连接；半导体开关器件与可控电流源串联后，与待测碳化硅功率器件并联；漏源电压在线测量电路用于与待测碳化硅功率器件并联，在线测量待测碳化硅功率器的源漏极电压。本发明实现了对碳化硅功率器件的焊料层失效状态在线、非入侵式原位表征。

关键词：碳化硅功率器件半导体开关器件大功率器件在线测量电路可控电流源直流电压源测试电流控制模块漏源电压失效状态原位表征焊料层并联碳化硅功率源漏极电压非入侵式在线测量发射极集电极检测通断源极串联采集输出

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碳化硅功率器件的串扰问题及抑制方法

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车时代 2024年第7期 188-190页

作者：施孟阳李克孙宁中车青岛四方机车车辆股份有限公司山东青岛 266000 中车青岛四方机车车辆股份有限公司山东青岛 266000 中车青岛四方机车车辆股份有限公司山东青岛 266000

随着功率器件集成度的不断提高,器件之间的串扰问题也日益显现,会导致器件性能下降、系统稳定性降低等问题.因此,对串扰问题进行深入研究并提出有效的抑制方法具有重要对的意义.文章探讨了碳化硅功率器件的串扰问题及抑制方法,以期为相... 详细信息

随着功率器件集成度的不断提高,器件之间的串扰问题也日益显现,会导致器件性能下降、系统稳定性降低等问题.因此,对串扰问题进行深入研究并提出有效的抑制方法具有重要对的意义.文章探讨了碳化硅功率器件的串扰问题及抑制方法,以期为相关人员提供参考.

关键词：碳化硅功率器件串扰碳化硅晶体

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基于碳化硅功率器件的3kW光伏逆变器设计与控制研究

基于碳化硅功率器件的3kW光伏逆变器设计与控制研究

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作者：刘立扬湖南大学

学位级别：硕士

新能源发电是当今社会的热点,随着化石燃料的日益枯竭,光伏发电无疑是其中很好的能源替代方案。光伏逆变器是光伏发电中的重要一环,承接着将光伏阵列发出的直流电转为交流电并网输入网测。同时光伏逆变器的效率和性能对光伏发电系统至... 详细信息

新能源发电是当今社会的热点,随着化石燃料的日益枯竭,光伏发电无疑是其中很好的能源替代方案。光伏逆变器是光伏发电中的重要一环,承接着将光伏阵列发出的直流电转为交流电并网输入网测。同时光伏逆变器的效率和性能对光伏发电系统至关重要,高效稳定的逆变器可以将更多的太阳能转化为电能并稳定的持续发电,对节能减排建设环保型能源系统有很大帮助。第一章首先阐述了光伏发电的社会价值和现状,以及光伏发电系统的分类,介绍了SiC MOSFET这一种新型宽禁带器件的特点以及在光伏发电领域的应用前景,最后说明了本文的研究内容和研究意义。第二章介绍了光伏电池的分类并对其原理进行分析,结合光伏电池的特点为使得发电效率最高介绍了MPPT方法,扰动观测法是常用的MPPT方法,但是存在跟踪较慢以及跟踪误差问题,通过对一系列MPPT方法的对比得出一种基于辐照变化的的MPPT方法。第三章首先针对前级BOOST进行器件选型和设计,对于小功率段的光伏逆变器,逆变器部分工业更倾向采用全桥拓扑进行设计,全桥拓扑的稳定性好并且功率器件用量更少,本文对H4全桥拓扑进行分析并介绍倍频调制的工作原理,同时进行硬件设计,包括母线电容,功率器件的选型以及采样,供电电路的设计等,同时对电路的磁性器件进行设计来优化系统性能。第四章建立了PSIM仿真平台验证设计参数同时搭建样机进行试验,同时对系统控制方式进行研究分析,对MPPT部分进行小信号建模分析,对于系统电路通过对前级升压电路的电压环以及主拓扑的双环控制的研究得出传递函数并对参数进行优化,并同时通过伯德图验证其准确性,工业应有常使用试凑法,本文通过传递函数分析以及参数优化并得出伯德图供工业应用借鉴。同时介绍了锁相环的原理以及对比分析了Costas PLL和基于SOGI的单相锁相环,最后介绍了孤岛效应的原因以及一般应对方案,有待后续进一步研究。第五章对系统损耗进行分析得出理论损耗分布以及理论效率最高点,得出SiC逆变器理论效率高达98.62%,通过搭建实验平台验证样机功能,通过开环测试确保系统可以安全工作,然后进行闭环实验得出并网波形以及各功率段整机效率,通过和传统逆变器效率对比得出使用SiC MOSFET后系统效率更高,能耗更小。

关键词：光伏发电最大功率点跟踪碳化硅功率器件环路控制

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碳化硅功率器件

碳化硅功率器件

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作者： M·G·萨吉奥 A·瓜尔内拉意大利阿格拉布里安扎

公开了碳化硅功率器件。一种碳化硅功率器件具有：管芯，具有碳化硅的功能层和边缘区以及由边缘区包围的有源区；栅极结构，形成在有源区中的功能层的顶表面上；以及栅极接触焊盘，用于偏置栅极结构。该器件还具有集成电阻器，该集成电... 详细信息

标准号: CN219513096U

公开了碳化硅功率器件。一种碳化硅功率器件具有：管芯，具有碳化硅的功能层和边缘区以及由边缘区包围的有源区；栅极结构，形成在有源区中的功能层的顶表面上；以及栅极接触焊盘，用于偏置栅极结构。该器件还具有集成电阻器，该集成电阻器具有第一导电类型的掺杂区，该掺杂区布置在边缘区中的功能层的前表面处；其中该集成电阻器在功能层中定义了绝缘电阻，该绝缘电阻介于栅极结构与栅极接触焊盘之间。本公开的方案提高了功率器件的效率、性能和可靠性。

关键词：功能层集成电阻器边缘区碳化硅功率器件栅极接触焊盘绝缘电阻栅极结构掺杂区源区第一导电类型偏置栅极结构功率器件顶表面前表面碳化硅管芯包围

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碳化硅功率器件及电机控制设备

碳化硅功率器件及电机控制设备

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作者：张太之 518000 广东省深圳市宝安70区留仙二路鸿威工业园E栋

本实用新型公开一种碳化硅功率器件及电机控制设备。碳化硅功率器件包括导电基板、功率芯片、第一信号线、第二信号线和连接元件，导电基板表面布置有两个以上的功率芯片，每个功率芯片包括功率源极端、控制源极端、控制门极端和控制漏... 详细信息

标准号: CN214279945U

本实用新型公开一种碳化硅功率器件及电机控制设备。碳化硅功率器件包括导电基板、功率芯片、第一信号线、第二信号线和连接元件，导电基板表面布置有两个以上的功率芯片，每个功率芯片包括功率源极端、控制源极端、控制门极端和控制漏极端。其中，每个功率芯片的控制门极端并联相接，并与第一信号线连接，每个功率芯片的控制源极端并联相接，并与第二信号线连接，第一信号线与第二信号线均设置于导电基板表面。连接元件的一端至少与一个控制源极端连接，另一端与第二信号线连接。从而提高碳化硅功率器件的功率密度。

关键词：功率芯片第二信号碳化硅功率器件控制源线连接导电基板表面并联相接连接元件控制门电机控制设备本实用新型导电基板功率源漏极端

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碳化硅功率器件

碳化硅功率器件

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作者：马志勇廖奇泊封国立 102206 北京市顺义区中关村科技园区顺义园临空二路1号

本实用新型提供了一种碳化硅功率器件，包括：分压环结构和单胞结构；单胞结构包括第一横向结构、竖向结构以及弧形结构；第一横向结构的一端连接设置在分压环结构上，竖向结构的两端分别连接设置在分压环结构和第一横向结构上；第一横... 详细信息

标准号: CN219350234U

本实用新型提供了一种碳化硅功率器件，包括：分压环结构和单胞结构；单胞结构包括第一横向结构、竖向结构以及弧形结构；第一横向结构的一端连接设置在分压环结构上，竖向结构的两端分别连接设置在分压环结构和第一横向结构上；第一横向结构和竖向结构设置在分压环结构的弯角位置处，第一横向结构、竖向结构以及分压环结构的弯角部之间形成独立单胞区域；弧形结构连接设置在第一横向结构和竖向结构上，弧形结构位于独立单胞区域内。本实用新型能够解决传统梳状结构器件存在的角落位置电场强度分布不均的问题。

关键词：横向结构竖向结构分压环弧形结构本实用新型单胞结构单胞区域连接设置碳化硅功率器件电场强度分布角落位置梳状结构弯角位置一端连接弯角部

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