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碳化硅功率器件及其制备方法、钝化结构
碳化硅功率器件及其制备方法、钝化结构
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作者： 陶永洪 蔡文必 徐少东 361100 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号
一种碳化硅功率器件及其制备方法、钝化结构，涉及半导体器件技术领域。该钝化结构应用于碳化硅功率器件，包括设置于衬底上的碳化硅外延层，以及依次形成于碳化硅外延层上的肖特基金属层和正面金属层；钝化结构还包括厚度小于或等于0.1... 详细信息
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碳化硅功率器件的结温和电流同步检测系统及检测方法
碳化硅功率器件的结温和电流同步检测系统及检测方法
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作者： 李武华 冒俊杰 罗皓泽 李成敏 李楚杉 何湘宁 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
本发明公开了一种碳化硅功率器件的结温和电流同步检测系统及检测方法。通过对碳化硅功率器件的电致发光光谱进行分离，并在不同工作温度和工作电流下分别检测碳化硅功率器件电致发光中两个波段的发光强度，建立两个波段的发光强度与工... 详细信息
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碳化硅功率器件终端及其制作方法
碳化硅功率器件终端及其制作方法
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作者： 田晓丽 白云 杨成樾 汤益丹 陈宏 刘新宇 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
一种碳化硅功率器件终端及其制作方法，碳化硅功率器件终端包括：第一重掺杂类型或第二重掺杂类型SiC衬底；第一轻掺杂类型SiC外延层，生长在所述第一重掺杂类型或第二重掺杂类型SiC衬底上；具有凹槽结构的第二重掺杂类型主结和第一掺... 详细信息
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沟槽栅型碳化硅功率器件、其制作方法和半导体结构
沟槽栅型碳化硅功率器件、其制作方法和半导体结构
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作者： 张鹏 冯尹 519085 广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层428室(集中办公区)
本申请提供了一种沟槽栅型碳化硅功率器件、其制作方法和半导体结构。该器件包括：衬底；外延层，位于衬底的表面上；沟槽栅，至少位于外延层中；第一注入区，位于沟槽栅至少一侧的外延层中，与沟槽栅的部分侧壁接触，第一注入区远离衬... 详细信息
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具有MOS结构和应力件的碳化硅功率器件
具有MOS结构和应力件的碳化硅功率器件
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作者： M·贝利尼 L·克诺尔 L·克兰兹 瑞士巴登
本申请提供了具有MOS结构的碳化硅功率器件(100)，其中由两个应力件(410、420)将应力引入沟道区(115、125)，以将存在于栅极绝缘层(131)与沟道区(115、125)之间的界面处的陷阱的能级推进导带，以便陷阱不会对器件特性产生负面影响。
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一种碳化硅功率器件
一种碳化硅功率器件
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作者： 杨国江 于世珩 胡佳贤 210000 江苏省南京市江北新区研创园腾飞大厦C座13楼
本发明公开了一种碳化硅功率器件，包括：衬底，衬底包括有源区和终端区；终端区包括多个场限环、绝缘介质层和多个第一场板；场限环位于衬底内；绝缘介质层位于衬底表面，且覆盖有源区的部分和终端区的部分，绝缘介质层包括间隔设置的... 详细信息
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一种双工作模式碳化硅功率器件结构及其制作方法
一种双工作模式碳化硅功率器件结构及其制作方法
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作者： 汤艺 沈华 314006 浙江省嘉兴市南湖区科兴路988号
本发明公开了一种双工作模式碳化硅功率器件结构及其制作方法，该功率器件结构包括Bipolar部分及MOSFET部分，其具体包括N型衬底及设置在该N型衬底底部的集电极金属层，N型衬底的顶部设置有P‑base区，P‑base区上通过沟槽设置有若干栅极... 详细信息
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一种碳化硅功率器件及开关元件
一种碳化硅功率器件及开关元件
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作者： 杨国江 胡佳贤 210000 江苏省南京市江北新区研创园腾飞大厦C座13楼
本发明公开了一种碳化硅功率器件及开关元件。碳化硅功率器件至少包括一个元胞，元胞包括衬底，衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；外延层，外延层位于衬底的第一表面，外延层包括漂移区、位于元胞两侧且在漂移区表面内的体区、位... 详细信息
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碳化硅外延终端扩展结构及其制备方法、碳化硅功率器件
碳化硅外延终端扩展结构及其制备方法、碳化硅功率器件
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作者： 马志勇 廖奇泊 封国立 102206 北京市顺义区中关村科技园区顺义园临空二路1号
本发明提供了一种碳化硅外延终端扩展结构及其制备方法、碳化硅功率器件，包括第一外延层和第二外延层，其中：所述第二外延层设置在所述第一外延层上，且第一外延层和第二外延层紧密相连；所述第二外延层的上表面呈阶梯状结构。所述第... 详细信息
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一种具有台阶结构的碳化硅功率器件及其制备方法
一种具有台阶结构的碳化硅功率器件及其制备方法
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作者： 杨啸威 叶念慈 刘成 361000 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号
本发明公开了一种具有台阶结构的碳化硅功率器件及其制作方法，所述碳化硅功率器件由下至上包括欧姆接触电极、N+SiC衬底层、N‑SiC外延层及肖特基接触电极，还包括间隔排列的若干P型结终端；所述肖特基接触电极设于所述N‑SiC外延层的中... 详细信息
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