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  • 1 篇 工学
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主题

  • 1 篇 碳化硅金属-氧化物...
  • 1 篇 结温控制
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  • 1 篇 器件老化

机构

  • 1 篇 北京交通大学
  • 1 篇 电力系统及大型发...

作者

  • 1 篇 zheng dayong
  • 1 篇 张品佳
  • 1 篇 张擎昊
  • 1 篇 郑大勇
  • 1 篇 zhang pinjia
  • 1 篇 zhang qinghao

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=碳化硅金属-氧化物-半导体场效应管"
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SiC MOSFET结温监测与控制技术综述
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中国电机工程学报 2025年 第3期45卷 1034-1051,I0019页
作者: 张擎昊 郑大勇 张品佳 电力系统及大型发电设备安全控制和仿真国家重点实验室(清华大学) 北京市海淀区100084 北京交通大学 北京市海淀区100091
碳化硅(silicon carbide,SiC)金属-氧化物-半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field effect transistor,MOSFET)性能优越、发展迅猛,在工业界获得广泛应用。其失效与结温息息相关,故SiC MOSFET结温监控技术至关重要,近年来成为... 详细信息
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