检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2022年第3期71卷 284-291页

作者：周书星方仁凤魏彦锋陈传亮曹文彧张欣艾立鹍李豫东郭旗湖北文理学院物理与电子工程学院低维光电材料与器件湖北省重点实验室襄阳441053 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011

为研究磷化铟高电子迁移率晶体管(InP HEMT)外延结构材料的抗电子辐照加固设计的效果,本文采用气态源分子束外延法制备了系列InP HEMT外延结构材料.针对不同外延结构材料开展了1.5 MeV电子束辐照试验,在辐照注量为2×10^(15)cm^(-2... 详细信息

为研究磷化铟高电子迁移率晶体管(InP HEMT)外延结构材料的抗电子辐照加固设计的效果,本文采用气态源分子束外延法制备了系列InP HEMT外延结构材料.针对不同外延结构材料开展了1.5 MeV电子束辐照试验,在辐照注量为2×10^(15)cm^(-2)条件下,并测试了InP HEMT外延结构材料二维电子气辐照前后的电学特性,获得了辐照前后不同外延结构InP HEMT材料二维电子气归一化浓度和电子迁移率随外延参数的变化规律,分析了InP HEMT二维电子气辐射损伤与Si-δ掺杂浓度、InGaAs沟道厚度和沟道In组分以及隔离层厚度等结构参数的关系.结果表明:Si-δ掺杂浓度越大,隔离层厚度较薄,InGaAs沟道厚度较大,沟道In组分低的InP HEMT外延结构二维电子气辐射损伤相对较低,具有更强的抗电子辐照能力.经分析原因如下:1)电子束与材料晶格发生能量传递,破坏晶格完整性,且在沟道异质界面引入辐射诱导缺陷,增加复合中心密度,散射增强导致二维电子气迁移率和浓度降低;2)高浓度Si-δ掺杂和薄隔离层有利于提高量子阱二维电子气浓度,降低二维电子气受辐射损伤的影响;3)高In组分应变沟道有利于提高二维电子气迁移率,但辐照后更容易应变弛豫产生位错缺陷,导致二维电子气迁移率显著下降.

关键词：磷化铟高电子迁移率晶体管二维电子气电子束辐照辐射加固

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国外InP HEMT和InP HBT的发展现状及应用

引用

半导体技术 2009年第11期34卷 1053-1057页

作者：姚立华中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

在毫米波段,InP基器件由于其具有高频、高功率、低噪声及抗辐射等特点,成为人们的首选,尤其适用于空间应用。InP HEMT和InP HBT已在卫星、雷达等军事应用中表现出了优异的性能。分别介绍了InP HEMT和InP HBT器件及电路的发展现状,现在... 详细信息

在毫米波段,InP基器件由于其具有高频、高功率、低噪声及抗辐射等特点,成为人们的首选,尤其适用于空间应用。InP HEMT和InP HBT已在卫星、雷达等军事应用中表现出了优异的性能。分别介绍了InP HEMT和InP HBT器件及电路的发展现状,现在能达到的最高性能及主要生产公司等,其中InP HEMT又分别按低噪声和功率进行了详细介绍。介绍了它们在军事上的主要应用,以具体的应用实例介绍了在卫星相控阵雷达系统天线中的T/R模块中、航天器和地面站的接收机中、以及雷达和通信系统中的应用情况、达到的性能及可靠性等。并根据国外InP器件和电路的发展现状总结了其未来发展趋势。

关键词：磷化铟高电子迁移率晶体管磷化铟异质结双极晶体管 T/R模块

来源：评论

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太赫兹InP HEMT单片低噪声放大器研究

太赫兹InP HEMT单片低噪声放大器研究

引用

作者：张健电子科技大学

学位级别：硕士

磷化铟高电子迁移率晶体管(InP HEMT)具有高电子迁移率、优良的噪声性能和良好的抗辐射特性等优点,非常适合制作低噪声放大器,现在已经逐步发展为MMIC甚至TMIC领域中一个非常有竞争力的技术。本文做了如下工作:1、介绍了太赫兹单片低噪... 详细信息

磷化铟高电子迁移率晶体管(InP HEMT)具有高电子迁移率、优良的噪声性能和良好的抗辐射特性等优点,非常适合制作低噪声放大器,现在已经逐步发展为MMIC甚至TMIC领域中一个非常有竞争力的技术。本文做了如下工作:1、介绍了太赫兹单片低噪声放大器的最新进展,简要分析了InP HEMT的器件特性以及相关工艺,并对在片测试技术进行了简要的介绍,包括几种常用的二端口校准技术以及二端口去嵌技术。根据器件在片测试结果,建立小信号等效电路模型以及噪声等效电路模型,设计了一款太赫兹单片低噪声放大器。设计过程包括电路拓扑结构的选取,偏置电路和匹配电路的设计,电路的仿真与优化,最后在版图调整规则下确定了电路版图。2、利用国内自主研发的0.1μm InP HEMT工艺对太赫兹单片低噪声放大器进行了流片、测试及结果分析。在Vd=1.7V,Vg=0V偏置条件下,低噪声放大器小信号增益在101.3～106.1GHz内大于5dB,在104GHz处达到最大增益7.007dB,输入、输出回波损耗优于-5dB。虽然电路实测结果与设计指标有一定的差距,但在太赫兹InP HEMT单片低噪声放大器研究方面利用自主工艺技术做了突破性的尝试。本课题的研究对于提高我国在太赫兹技术领域的整体水平,缩小与国外领先水平的差距,打破发达国家对我国的技术封锁具有重要的现实意义。

关键词：磷化铟高电子迁移率晶体管太赫兹太赫兹单片集成电路低噪声放大器

来源：评论

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异质集成InP HEMT器件及机理研究

异质集成InP HEMT器件及机理研究

引用

作者：王彦富中国科学院大学

学位级别：硕士

InP基高电子迁移率晶体管(HEMT)兼备优异的噪声特性和高频特性，但是受InP材料介电常数高的限制，应用于太赫兹电路中传输损耗会比较大。异质集成InP HEMT器件可以将InP器件频率上的优势和低损耗介质在传输上的优势相结合，有效提高太... 详细信息

InP基高电子迁移率晶体管(HEMT)兼备优异的噪声特性和高频特性，但是受InP材料介电常数高的限制，应用于太赫兹电路中传输损耗会比较大。异质集成InP HEMT器件可以将InP器件频率上的优势和低损耗介质在传输上的优势相结合，有效提高太赫兹单片集成电路的性能。本论文对异质集成InP HEMT器件的工艺技术及机理进行了研究，所取得的成果如下:　　1.对InP HEMT器件关键工艺进行研究，从金属-半导体结接触特性和原理出发，优化了欧姆接触工艺。采用厚度为150/150/3000(A)的Ti/Pt/Au非合金欧姆金属体系制备工艺，将欧姆接触电阻率降低至6.32E-8Ω·cm2。　　2.对异质键合工艺进行开发，根据InP高温易分解的特性选择低温BCB键合技术，研究了晶片表面处理、预固化、键合压力、BCB胶厚度对键合质量的影响，确立了键合质量良好的BCB键合工艺。　　3.对InP HEMT器件制备工艺和异质键合工艺进行整合，制备出栅长为100nm，栅宽为2×20μm的石英衬底的异质集成InP HEMT器件，器件的饱和电流密度可以达到536.5mA/mm，跨导则达到了855.5mS/mm，fT为262GHz，fmax为288GHz。　　4.制备出栅长为100nm，栅宽分别为2×20μm和2×50μm的硅衬底的异质集成InP HEMT器件，栅宽为2×20μm的器件的饱和电流密度达到了458mA/mm，跨导达到945mS/mm，fT为125GHz，fmax为170GHz;栅宽为2×50μm的器件饱和电流密度达到了569mA/mm，跨导达到1144mS/mm，fT为232GHz，fmax为224GHz。比较不同栅宽异质集成InP HEMT的器件特性，分析了栅宽对器件跨导性能和频率特性的影响。

关键词：磷化铟高电子迁移率晶体管欧姆接触异质键合跨导性能频率特性

来源：评论

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