检索结果-内蒙古大学图书馆

光谱学与光谱分析 2013年第8期33卷 2035-2038页

作者：武晓娟魏智强吴永富张玲玲姜金龙杨华兰州理工大学甘肃省有色金属新材料省部共建国家重点实验室甘肃兰州730050 兰州理工大学理学院甘肃兰州730050

利用水热法制备了Zn1-xFexO(x=0,0.01,0.05,0.10和0.20)纳米稀磁半导体材料。由X射线衍射图谱的结果表明,制备的Zn1-xFexO样品为纤锌矿结构,没有金属铁等第二相出现;高分辨透射电子显微镜的结果表明,形貌为分散性良好的纳米颗粒,晶格清... 详细信息

利用水热法制备了Zn1-xFexO(x=0,0.01,0.05,0.10和0.20)纳米稀磁半导体材料。由X射线衍射图谱的结果表明,制备的Zn1-xFexO样品为纤锌矿结构,没有金属铁等第二相出现;高分辨透射电子显微镜的结果表明,形貌为分散性良好的纳米颗粒,晶格清晰;拉曼光谱结果表明(E2High)峰位向高频移动,半高宽宽化,峰强减弱;光致发光光谱结果表明,随着Fe离子的掺入,紫外峰向低能移动,光致发光光谱发生了猝灭现象;UV-Vis光谱可看出,光学带隙减小,发生了红移现象。这些结果表明Fe3+成功替代Zn2+进入到ZnO晶格。

关键词：稀磁半导体 ZnO 掺杂光学性能

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

稀磁半导体Zn_（1－x）Co_xSe的光谱特性

引用

光谱学与光谱分析 1994年第2期14卷 1-5页

作者：陈辰嘉王学忠覃智峰胡巍北京大学物理系

本文首次报道一类新型半导体材料：含Ｃｏ＋＋离子的稀磁半导体Ｚｎ１－ｘＣｏｘＳｅ晶体的光谱特性研究实验结果。对组分Ｘ＝０．００１，０．００９７，０．０３０，０．０３７系列样品，在７３Ｋ—３００Ｋ范围内分别在可见和近红外... 详细信息

本文首次报道一类新型半导体材料：含Ｃｏ＋＋离子的稀磁半导体Ｚｎ１－ｘＣｏｘＳｅ晶体的光谱特性研究实验结果。对组分Ｘ＝０．００１，０．００９７，０．０３０，０．０３７系列样品，在７３Ｋ—３００Ｋ范围内分别在可见和近红外区测量了吸收光谱和光致发光谱。实验观测到一系列与Ｘ值无关的吸收峰和光致发光峰，两者—一对应，它们分别对应于具有几对称的晶体场中Ｃｏ＋＋离子不同能级间的跃迁，对这些峰进行了初步指认。从光致发光谱实验结果给出能隙随Ｘ值的变化。

关键词：稀磁半导体吸收光谱 ZnCoSe

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

稀磁半导体Zn_(1-x)Ni_xO的室温铁磁性

引用

中国有色金属学报 2007年第1期17卷 35-38页

作者：彭坤周灵平胡爱平唐元洪湖南大学材料科学与工程学院

利用溶胶-凝胶方法制备不同成分的Zn1?xNixO(x=0.05,0.10,0.15)稀磁半导体材料,产物由直径约70 nm的六边形颗粒组成。利用振动样品磁强计测量了样品的磁学性能,发现在室温条件下存在明显的铁磁性,且随着镍浓度的增加,样品的饱和磁化强... 详细信息

利用溶胶-凝胶方法制备不同成分的Zn1?xNixO(x=0.05,0.10,0.15)稀磁半导体材料,产物由直径约70 nm的六边形颗粒组成。利用振动样品磁强计测量了样品的磁学性能,发现在室温条件下存在明显的铁磁性,且随着镍浓度的增加,样品的饱和磁化强度增加,但样品的单个镍原子的磁矩是逐渐下降的。X射线衍射分析结果表明,样品中不存在镍及镍的氧化物,且晶格常数随镍含量的增加而略有增大,并利用M—T曲线测量Zn0.9Ni0.1O居里温度为575 K左右,表明其磁性来源于稀磁半导体。

关键词：稀磁半导体 ZnO 铁磁性

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

稀磁半导体Zn_(1-x)Mn_xSe/GaAs外延膜光学特性研究

引用

长沙水电师院学报（自然科学版） 2001年第3期16卷 64-66页

作者：史向华刘小兵长沙电力学院物理与信息工程系湖南长沙410077

研究了用热壁外延法在GaAs衬底上生长的不同x含量的Zn1-xMnxSe薄膜 .通过X射线衍射和喇曼光谱的研究表明 ,晶体的质量取决于Mn的含量 ,随着Mn的含量的增高 ,晶体的质量下降 .

关键词： X射线衍射谱喇曼光谱稀磁半导体 Zn1-xMnxSe薄膜镓砷衬底光学特性

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

高质量稀磁半导体(Ga,Mn)Sb单晶薄膜分子束外延生长

引用

物理学报 2015年第7期64卷 340-345页

作者：祝梦遥鲁军马佳淋李利霞王海龙潘东赵建华中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京100083

理论预言窄禁带稀磁半导体(Ga,Mn)Sb及其异质结构可能存在量子反常霍尔效应等新奇特性,近年来受到了特别关注.但是,由于(Ga,Mn)Sb薄膜生长窗口窄,纯相(Ga,Mn)Sb薄膜制备比较困难,迄今关于这类材料的研究报道为数不多.本文采用低温分子... 详细信息

理论预言窄禁带稀磁半导体(Ga,Mn)Sb及其异质结构可能存在量子反常霍尔效应等新奇特性,近年来受到了特别关注.但是,由于(Ga,Mn)Sb薄膜生长窗口窄,纯相(Ga,Mn)Sb薄膜制备比较困难,迄今关于这类材料的研究报道为数不多.本文采用低温分子束外延的方法,通过优化生长条件,成功制备出厚度为10 nm,Mn含量在0.016至0.039之间的多组(Ga,Mn)Sb薄膜样品.生长过程中反射式高能电子衍射原位监测和磁性测量都表明没有Mn Sb等杂相的偏析,同时原子力显微镜图像表明其表面形貌平滑,粗糙度小.通过生长后退火处理,(Ga,Mn)Sb薄膜的最高居里温度达到30 K.此外,本文研究了霍尔电阻和薄膜电阻随磁场的变化关系,在低温下观测到明显的反常霍尔效应.

关键词：稀磁半导体磁学性质输运性质分子束外延

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

ZnO基稀磁半导体磁性机理研究进展

引用

无机材料学报 2009年第1期24卷 1-7页

作者：刘学超陈之战施尔畏宋力昕中国科学院上海硅酸盐研究所上海200050 中国科学院研究生院北京100049

稀磁半导体是指在非磁性化合物半导体中通过掺杂引入部分磁性离子所形成的一类新型功能材料.目前,稀磁半导体的磁性来源和机理一直是该领域的研究热点,掺杂的磁性离子通过怎样的交换方式实现铁磁性一直存有争议.本文对近几年来ZnO基稀... 详细信息

稀磁半导体是指在非磁性化合物半导体中通过掺杂引入部分磁性离子所形成的一类新型功能材料.目前,稀磁半导体的磁性来源和机理一直是该领域的研究热点,掺杂的磁性离子通过怎样的交换方式实现铁磁性一直存有争议.本文对近几年来ZnO基稀磁半导体磁性机理研究进展作一综述,着重阐述了代表性的RRKY理论、平均场理论、双交换理论和磁极子理论,对实验和理论方面的热点和存在问题作一评价,对磁性理论的研究提出了新思路.

关键词： ZnO 稀磁半导体磁性机理

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

N型稀磁半导体Ge_(0.96–x) Bi_xFe_(0.04)Te薄膜的磁电性质研究

引用

物理学报 2019年第10期68卷 257-264页

作者：樊济宇冯瑜陆地张卫纯胡大治杨玉娥汤如俊洪波凌浪生王彩霞马春兰朱岩南京航空航天大学理学院应用物理系南京210006 苏州大学物理科学与技术学院苏州215006 中国计量大学材料科学与工程学院杭州310018 中国科学院强磁场科学中心合肥230031 扬州大学物理科学与技术学院扬州225009 苏州科技大学数理学院江苏省微纳热流技术与能源应用重点实验室苏州215009

GeTe基稀磁半导体材料因具有可独立调控载流子浓度和磁性离子浓度的特性而受到广泛关注.本文利用脉冲激光沉积技术制备了该体系的单晶外延薄膜,并通过高价态Bi元素部分取代Ge元素的方法实现了材料中载流子类型从空穴向电子的转变,即制备... 详细信息

GeTe基稀磁半导体材料因具有可独立调控载流子浓度和磁性离子浓度的特性而受到广泛关注.本文利用脉冲激光沉积技术制备了该体系的单晶外延薄膜,并通过高价态Bi元素部分取代Ge元素的方法实现了材料中载流子类型从空穴向电子的转变,即制备出N型GeTe基稀磁半导体.测量结果表明,无论是室温还是低温下的Hall电阻曲线皆呈现负斜率,说明体系中载流子是电子;并且当Bi掺杂量达到32%时,电子浓度为10^(21)/cm^3.变温输运性质的测量证明体系的输运行为呈现半导体特征.通过测量低温10 K下的绝热磁化曲线,在高Bi掺杂体系中观测到了明显的铁磁行为,而低于32%Bi掺杂量的体系中未观察到.这一结果说明,高掺杂Bi的替代导致载流子浓度的增加,促进了载流子传递Ruderman-Kittel-Kasuya-Yoshida相互作用,使得分散的Fe-Fe之间产生磁耦合作用,进而形成铁磁有序态.

关键词：稀磁半导体外延薄膜 Ruderman-Kittel-Kasuya-Yoshida相互作用铁磁有序态

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

ZnO基稀磁半导体薄膜材料研究进展

引用

无机材料学报 2006年第3期21卷 513-520页

作者：刘学超施尔畏张华伟宋力昕陈之战中国科学院上海硅酸盐研究所

稀磁半导体(DMSs)材料同时利用了电子的电荷和自旋属性,具有优异的磁、磁光、磁电等性能,在材料科学和未来自旋电子器件领域具有广阔的应用前景．本文对近几年来ZnO 基稀磁半导体薄膜材料研究进展作一综述,对研究热点和存在问题作一评价... 详细信息

稀磁半导体(DMSs)材料同时利用了电子的电荷和自旋属性,具有优异的磁、磁光、磁电等性能,在材料科学和未来自旋电子器件领域具有广阔的应用前景．本文对近几年来ZnO 基稀磁半导体薄膜材料研究进展作一综述,对研究热点和存在问题作一评价,提出解决的思路,最后对DMSs器件的潜在应用作简单介绍．

关键词： ZnO 稀磁半导体过渡金属自旋电子器件

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

氧空位对Co掺杂TiO_2稀磁半导体中杂质分布和磁交换的影响

引用

物理学报 2012年第2期61卷 446-453页

作者：孙运斌张向群李国科杨海涛成昭华中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室北京100190

本文使用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了Co掺杂TiO_2稀磁半导体中氧空位对体系能量和磁性的影响.通过对总能量的计算发现当引入氧空位后近邻杂质体系能量高于均匀掺杂体系,同时氧空位易在Co近邻位置富集.进而发现氧空位的存在... 详细信息

本文使用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了Co掺杂TiO_2稀磁半导体中氧空位对体系能量和磁性的影响.通过对总能量的计算发现当引入氧空位后近邻杂质体系能量高于均匀掺杂体系,同时氧空位易在Co近邻位置富集.进而发现氧空位的存在及其占位可以影响Co离子间的磁交换,近邻Co离子体系下氧空位的引入使Co离子间的铁磁耦合减弱;非近邻Co离子体系下,底面氧空位使Co离子间呈反铁磁耦合而顶点氧空位使Co离子间呈铁磁耦合.总之,氧空位的存在对Co掺杂TiO_2材料的能量及磁性都有较大影响.

关键词：稀磁半导体氧空位双交换

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Cu对Zn_(1-x)Fe_xO稀磁半导体磁性的影响

引用

物理学报 2006年第10期55卷 5521-5524页

作者：韦志仁李军刘超林琳郑一博葛世艳张华伟董国义窦军红河北大学物理科学与技术学院保定071002

采用水热法,在温度430℃,填充度35%,矿化剂为3mol·L-1KOH,前驱物为添加适量的FeCl2·6H2O的Zn(OH)2,反应时间24h,合成了Zn1-xFexO和Zn1-xFexO:Cu稀磁半导体晶体.当在Zn(OH)2中添加一定量的FeCl2·6H2O为前驱物,水热反应产... 详细信息

采用水热法,在温度430℃,填充度35%,矿化剂为3mol·L-1KOH,前驱物为添加适量的FeCl2·6H2O的Zn(OH)2,反应时间24h,合成了Zn1-xFexO和Zn1-xFexO:Cu稀磁半导体晶体.当在Zn(OH)2中添加一定量的FeCl2·6H2O为前驱物,水热反应产物为掺杂Fe的Zn1-xFexO多种形态晶体混合物,其个体较大的晶体中的Fe原子百分比含量为0·49%—0·52%.采用超导量子干涉磁强计测量了材料的磁性,晶体的磁化强度随温度下降而减小.在前驱物中同时加入适量比例的Cu化合物,合成了共掺杂Cu的Zn1-xFexO:Cu,和Zn1-xFexO相比,其室温下的磁化强度有明显的提高,且在室温下具有铁磁性.

关键词：氧化锌水热稀磁半导体晶体

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：