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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

5,091 篇 专利

馆藏范围

5,091 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

217 篇 电子科技大学
188 篇 三星电子株式会社
164 篇 英飞凌科技股份有...
159 篇 无锡新洁能股份有...
151 篇 上海华虹宏力半导...
125 篇 无锡华润上华科技...
111 篇 台湾积体电路制造...
105 篇 意法半导体公司
101 篇 中芯国际集成电路...
69 篇 英飞凌科技奥地利...
59 篇 江苏中科君芯科技...
54 篇 世界先进积体电路...
52 篇 株洲中车时代半导...
50 篇 佳能株式会社
48 篇 深圳方正微电子有...
48 篇 上海功成半导体科...
46 篇 意法半导体股份有...
46 篇 北大方正集团有限...
44 篇 华虹半导体有限公...
44 篇 中国电子科技集团...

作者

180 篇 张波
155 篇 朱袁正
105 篇 李泽宏
102 篇 周锦程
95 篇 乔明
92 篇 任敏
59 篇 柏松
57 篇 叶鹏
57 篇 张森
56 篇 章文通
53 篇 黄润华
52 篇 陈文锁
52 篇 罗杰馨
48 篇 高巍
48 篇 柴展
46 篇 杨勇
45 篇 张金平
41 篇 李宗清
41 篇 朱阳军
40 篇 李肇基

语言

5,091 篇 中文

检索条件"主题词=第一导电类型"

共 5091 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

结端区域电平转换器和升压二极管相结合的HVIC器件

结端区域电平转换器和升压二极管相结合的HVIC器件

引用

作者：雪克·玛力卡勒强斯瓦密金钟姬陈松加拿大安大略多伦多国王西街100号6000室(M5X1E2)

本发明提出了一种功率器件、电路和制造方法。功率器件电路包括具有第一导电类型的衬底层的半导体衬底，其中第一导电类型与第二导电类型相反。两个或多个横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件形成在衬底层中，并集成到高压阱的隔离... 详细信息

标准号: CN117594593A

本发明提出了一种功率器件、电路和制造方法。功率器件电路包括具有第一导电类型的衬底层的半导体衬底，其中第一导电类型与第二导电类型相反。两个或多个横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件形成在衬底层中，并集成到高压阱的隔离区中，其中每个LDMOS通过由衬底层形成的隔离结构与功率器件衬底区域隔离。一个或多个升压结构被集成到高电压阱的隔离区中，其中所述一个或多个升压结构与高电压阱接触并延伸到高电压阱的隔离区内。本发明消除了对外部阻挡二极管的需要，同时减少了整个器件所占的面积。

关键词：衬底层高电压第一导电类型功率器件升压结构隔离区横向双扩散金属氧化物半导体隔离功率器件电路二极管衬底区域导电类型隔离结构器件形成高压阱阱接触衬底半导体电路阻挡外部延伸制造

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半导体结构及其形成方法

半导体结构及其形成方法

引用

作者：陈柏安中国台湾新竹科学工业园区

一种半导体结构及其形成方法，其中该半导体结构包括：基板，具有第一导电类型；第一半导体层，在基板上并具有第二导电类型，第二导电类型不同于第一导电类型；第二半导体层，在第一半导体层上并具有第一导电类型；埋置层，在第二半导... 详细信息

标准号: CN116454016A

一种半导体结构及其形成方法，其中该半导体结构包括：基板，具有第一导电类型；第一半导体层，在基板上并具有第二导电类型，第二导电类型不同于第一导电类型；第二半导体层，在第一半导体层上并具有第一导电类型；埋置层，在第二半导体层上并具有第二导电类型；外延层，在埋置层上并具有第二导电类型；以及深沟槽隔离结构，从外延层的顶表面往下延伸穿过外延层、埋置层、第二半导体层以及第一半导体层，并延伸至基板之中。

关键词：半导体层导电类型第一导电类型埋置层外延层基板半导体结构深沟槽隔离结构延伸穿过顶表面延伸

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高可靠性沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制造方法

高可靠性沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制造方法

引用

作者：张跃张腾柏松黄润华杨勇 211111 江苏省南京市江宁经济技术开发区秣周东路9号无线谷综合楼8408、8409室

本发明公开了一种高可靠性沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制造方法，方法包括：形成第一沟槽；生长第二导电类型外延层，第二导电类型外延层填充于第一沟槽内作为第二导电类型屏蔽区，第二导电类型外延层覆盖于第一导电类型外延层的区域作... 详细信息

标准号: CN116469923A

本发明公开了一种高可靠性沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制造方法，方法包括：形成第一沟槽；生长第二导电类型外延层，第二导电类型外延层填充于第一沟槽内作为第二导电类型屏蔽区，第二导电类型外延层覆盖于第一导电类型外延层的区域作为第二导电类型阱区；于第二导电类型阱区之中形成第一导电类型源区；于第一导电类型外延层中形成栅极沟槽。本发明在形成第一沟槽后，通过外延回填工艺，于一步工艺内形成第二导电类型阱区和第二导电类型屏蔽区，第二导电类型屏蔽区深度明显大于栅极沟槽的深度，可以有效减小关断状态下栅极沟槽内部栅介质承受的电场强度，提高器件可靠性，且降低了槽栅型碳化硅MOSFET器件的工艺复杂性，便于批量生产。

关键词：导电类型外延层第一导电类型导电类型阱导电类型栅极沟槽屏蔽区碳化硅MOSFET 外延层工艺复杂性器件可靠性高可靠性关断状态一步工艺槽栅型沟槽型栅介质回填减小源区填充生长覆盖制造生产

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半导体器件及其制造方法

半导体器件及其制造方法

引用

作者：李理 518172 广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路5号方正微电子工业园

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法：第一导电类型衬底；第一导电类型外延层，位于所述第一导电类型衬底上方；沟槽，位于所述第一导电类型外延层内；第一导电类型扩散区，位于所述第一导电类型外延层内，且位于所述沟槽外围；第二... 详细信息

标准号: CN111584480B

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法：第一导电类型衬底；第一导电类型外延层，位于所述第一导电类型衬底上方；沟槽，位于所述第一导电类型外延层内；第一导电类型扩散区，位于所述第一导电类型外延层内，且位于所述沟槽外围；第二导电类型外延层，位于所述沟槽内；第二导电类型第一注入区，位于所述第一导电类型外延层内，且位于所述第一导电类型扩散区远离所述沟槽的两侧；第一导电类型注入区，位于对应的所述第二导电类型第一注入区内靠近所述第一导电类型扩散区的一侧。通过在第一导电类型外延层内形成第二导电类型外延层，在该多层外延的结构基础上形成两组横向二极管并联结构，降低了寄生电容。

关键词：第一导电类型外延层扩散区导电类型外延层导电类型注入区衬底半导体器件横向二极管并联结构寄生电容结构基础多层两组外围制造

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半导体结构

半导体结构

引用

作者：丘世仰中国台湾新北市泰山区南林路98号

本发明公开了一种半导体结构，包括半导体晶圆，具有顶侧与背侧。半导体晶圆包括第一导电类型的第一半导体井、第二导电类型的第二半导体井、半导体装置、第一导电类型的多个第一半导体掺杂区域与多个第一硅穿孔(through silicon via,T... 详细信息

标准号: CN113097181B

本发明公开了一种半导体结构，包括半导体晶圆，具有顶侧与背侧。半导体晶圆包括第一导电类型的第一半导体井、第二导电类型的第二半导体井、半导体装置、第一导电类型的多个第一半导体掺杂区域与多个第一硅穿孔(through silicon via,TSV)。第二导电类型不同于第一导电类型。第一半导体井设置于第二半导体井内且自顶侧裸露。第一半导体掺杂区域设置于第一半导体区域内且围绕半导体装置。每个第一硅穿孔从背侧经过第一与第二半导体井延伸至相应的第一半导体掺杂区域内。每个第一硅穿孔为导电材料所填满，并且每个第一硅穿孔从背侧连接直流电压或是接地电压。如此，作为保护环结构的半导体掺杂区域的布线能够与半导体装置的布线彼此是不相干，得以节省占用的空间。

关键词：半导体掺杂半导体硅穿孔第一导电类型半导体装置半导体晶圆导电类型布线顶侧半导体结构半导体区域导电材料接地电压区域设置直流电压侧连接环结构井内填满裸露占用延伸

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适用于深沟槽的功率半导体器件结构及制造方法

适用于深沟槽的功率半导体器件结构及制造方法

引用

作者：朱袁正叶鹏周锦程 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号(与华清路交叉口)无锡(滨湖)国家信息传感中心-B1楼东侧2楼

本发明涉及一种适用于深沟槽的功率半导体器件结构及制造方法，其特征在于：在半导体器件的截面上，终端保护区的第一导电类型漂移区表面设有第二导电类型第二阱区，第二导电类型第二阱区内设有若干个第二类型沟槽，且第二类型沟槽内的... 详细信息

标准号: CN107403839B

本发明涉及一种适用于深沟槽的功率半导体器件结构及制造方法，其特征在于：在半导体器件的截面上，终端保护区的第一导电类型漂移区表面设有第二导电类型第二阱区，第二导电类型第二阱区内设有若干个第二类型沟槽，且第二类型沟槽内的中心区填充有第二类导电体以及位于第二类导电体外圈的第二类介质体，第二类导电体与所在第二类型沟槽外靠近终端过渡区一侧的第二导电类型第二阱区电连接，终端过渡区内的第一类型沟槽与终端保护区内的第二类型沟槽的下方均设有第二导电类型第三阱区；本发明结构能有效提高器件的耐高压特性，且制作工艺与现有半导体工艺兼容，适应范围广，节省了生产成本。

关键词：导电类型导电体阱区终端功率半导体器件第一导电类型半导体工艺半导体器件耐高压特性终端保护区制作工艺终端保护电连接过渡区介质体漂移区深沟槽中心区填充生产成本兼容制造

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异质结结构量子点及其合成方法与应用

异质结结构量子点及其合成方法与应用

引用

作者：张超李霞张孟 314000 浙江省嘉兴市海宁经济开发区双联路128号3号创业楼3楼东

本发明公开了一种异质结结构量子点的合成方法，包括：提供第一导电类型的第一量子点；在所述第一量子点表面形成第二导电类型的第二纳米粒子，并使所述第二纳米粒子与第一量子点配合形成异质结。本发明还公开了一种量子点发光二极管器... 详细信息

标准号: CN109119543A

本发明公开了一种异质结结构量子点的合成方法，包括：提供第一导电类型的第一量子点；在所述第一量子点表面形成第二导电类型的第二纳米粒子，并使所述第二纳米粒子与第一量子点配合形成异质结。本发明还公开了一种量子点发光二极管器件及其制作方法，包括制作第一电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及第二电极的步骤。较之现有技术，本发明运用纳米粒子与量子点配合形成异质结结构，提高量子点层与空穴传输层的匹配度和空穴量，从而提高QLED器件的空穴传输和空穴数量，提高电子与空穴的复合率，改善电子与空穴的注入平衡，使得QDs层与空穴传输层有着更好的结合，解决QLED器件问题。

关键词：量子点空穴空穴传输层纳米粒子异质结结构发光二极管器件第一导电类型电子传输层空穴注入层量子点表面导电类型第二电极第一电极空穴传输量子点层注入平衡发光层匹配度异质结制作配合合成复合

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摄像装置和电子设备

摄像装置和电子设备

引用

作者：町田贵志日本神奈川县

本发明提供了一种包括具有更大的饱和电荷的电荷保持部的摄像装置。该摄像装置设置有第一导电类型半导体基板、第二导电类型光电转换部、第二导电类型电荷保持部、传输部和沟槽部。半导体基板具有第一表面和位于第一表面相对侧的第二表... 详细信息

标准号: CN112602195A

本发明提供了一种包括具有更大的饱和电荷的电荷保持部的摄像装置。该摄像装置设置有第一导电类型半导体基板、第二导电类型光电转换部、第二导电类型电荷保持部、传输部和沟槽部。半导体基板具有第一表面和位于第一表面相对侧的第二表面。光电转换部埋入在半导体基板中，并且通过光电转换产生与光接收量相对应的电荷。电荷保持部埋入在半导体基板中，并且保持在光电转换部中产生的电荷。传输部将电荷从光电转换部传输到传输目的地。沟槽部在电荷保持部中从第一表面朝向第二表面沿厚度方向延伸。沟槽部包括第一基体和以覆盖第一基体的方式设置的第一导电类型第一半导体层。

关键词：半导体基板电荷保持部光电转换部第一表面电荷沟槽部第一导电类型导电类型第二表面摄像装置埋入传输目的地半导体层饱和电荷方式设置光电转换光接收量传输传输部延伸覆盖

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电压转换隔离结构

电压转换隔离结构

引用

作者：王佰胜金锋杨文清 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种电压转换隔离结构，包括基底层，基底层包括用于连接芯片的低电压区的低压连接部、用于连接芯片的高电压区的高压连接部，和漂移区，漂移区相对的两侧分别连接低压连接部和高压连接... 详细信息

标准号: CN113506797B

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种电压转换隔离结构，包括基底层，基底层包括用于连接芯片的低电压区的低压连接部、用于连接芯片的高电压区的高压连接部，和漂移区，漂移区相对的两侧分别连接低压连接部和高压连接部；基底层中形成有第一导电类型半导体环，第一导电类型半导体环包括：第一导电类型环低压部形成于低压连接部位置处的基底层中；第一导电类型环高压部形成于高压连接部位置处的基底层中；第一导电类型环体部的两端分别与第一导电类型环低压部，和第一导电类型环高压部相连，形成封闭区域；在靠近第一导电类型环高压部的高压连接部中，和高电压区中，分别形成第二导电类型半导体A区和第二导电类型半导体B区。

关键词：第一导电类型基底层高压连接部低压连接高压部导电类型半导体半导体环高电压区连接芯片低压部漂移区半导体集成电路制造部位置处低电压区电压转换封闭区域隔离结构环体部位置处申请

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半导体结构及其制备方法

半导体结构及其制备方法

引用

作者：陈维邦 230012 安徽省合肥市新站区综合保税区内西淝河路88号

本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括：基底，基底内具有多个间隔排布的浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构于基底内隔离出多个间隔排布的有源区；其中，多个有源区包括第一导电类型的第一有源区和第二导电类型的第二有... 详细信息

标准号: CN116053214B

本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括：基底，基底内具有多个间隔排布的浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构于基底内隔离出多个间隔排布的有源区；其中，多个有源区包括第一导电类型的第一有源区和第二导电类型的第二有源区，第二有源区的数量大于第一有源区的数量；其中，多个浅沟槽隔离结构包括第一浅沟槽隔离结构和第二浅沟槽隔离结构，第一浅沟槽隔离结构的深度和第二浅沟槽隔离结构的深度不同，第一浅沟槽隔离结构为相邻两个第一有源区之间的浅沟槽隔离结构或第一有源区与第二有源区之间的浅沟槽隔离结构，第二浅沟槽隔离结构为相邻两个第二有源区之间的浅沟槽隔离结构。

关键词：浅沟槽隔离结构源区基底半导体结构间隔排布第一导电类型导电类型制备隔离申请

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