检索结果-内蒙古大学图书馆

您好，读者！请登录

内蒙古大学图书馆

首页
概况
党建
资源
服务
科研支持
- 论文收录引用证明
- 科技查新
知识产权
档案馆
帮助

咨询与建议

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

您的常用邮箱：*

您的手机号码：*

问题描述：

当前已输入0个字，您还可以输入200个字

全部搜索
期刊论文
图书
学位论文
标准
纸本馆藏
外文资源发现
数据库导航
超星发现

高级检索

时间限定

出版年份：

文献类型

图书期刊文献学位论文多媒体

馆藏选择

电子馆藏纸本馆藏

核心期刊

全部期刊 SCI 收录期刊 SSCI 收录期刊 EI 收录期刊 CSCD 收录期刊 CSSCI 收录期刊

语言

中文英文

文献类型

期刊文献图书学位论文标准纸本馆藏

帮助

文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

分类表

所选分类

>> <<

限定检索结果

文献类型

5,091 篇 专利

馆藏范围

5,091 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

217 篇 电子科技大学
188 篇 三星电子株式会社
164 篇 英飞凌科技股份有...
159 篇 无锡新洁能股份有...
151 篇 上海华虹宏力半导...
125 篇 无锡华润上华科技...
111 篇 台湾积体电路制造...
105 篇 意法半导体公司
101 篇 中芯国际集成电路...
69 篇 英飞凌科技奥地利...
59 篇 江苏中科君芯科技...
54 篇 世界先进积体电路...
52 篇 株洲中车时代半导...
50 篇 佳能株式会社
48 篇 深圳方正微电子有...
48 篇 上海功成半导体科...
46 篇 意法半导体股份有...
46 篇 北大方正集团有限...
44 篇 华虹半导体有限公...
44 篇 中国电子科技集团...

作者

180 篇 张波
155 篇 朱袁正
105 篇 李泽宏
102 篇 周锦程
95 篇 乔明
92 篇 任敏
59 篇 柏松
57 篇 叶鹏
57 篇 张森
56 篇 章文通
53 篇 黄润华
52 篇 陈文锁
52 篇 罗杰馨
48 篇 高巍
48 篇 柴展
46 篇 杨勇
45 篇 张金平
41 篇 李宗清
41 篇 朱阳军
40 篇 李肇基

语言

5,091 篇 中文

检索条件"主题词=第一导电类型"

共 5091 条记录，以下是91-100 订阅

全选清除本页清除全部题录导出标记到"检索档案"

详细简洁

排序：

一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件

一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件

引用

作者：何宇蔡晓玲 620038 四川省眉山市东坡区修文镇进修路8号附1号

本发明涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件。该太阳电池的制备方法，包括：形成第二导电类型的第一掺杂多晶硅层，第一掺杂多晶硅层背离第一介质层的一面形成第一玻璃层；在硅片的正面制备沿背... 详细信息

标准号: CN117673208B

本发明涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件。该太阳电池的制备方法，包括：形成第二导电类型的第一掺杂多晶硅层，第一掺杂多晶硅层背离第一介质层的一面形成第一玻璃层；在硅片的正面制备沿背离硅片的方向依次设置的第二介质层和第二本征硅层；对第二本征硅层进行掺杂并晶化，形成第一导电类型的第二掺杂多晶硅层，第二掺杂多晶硅层的表面形成第二玻璃层；制作图形化的第二玻璃层；去除图形化的第二玻璃层覆盖范围之外的第二掺杂多晶硅层和第二介质层，形成图形化的第二掺杂多晶硅层以及图形化的第二介质层。该太阳电池的制备方法去除正面poly膜层结构在背面的绕镀，同时不破坏背面poly膜层结构。

关键词：掺杂多晶硅层玻璃层介质层图形化制备本征硅层膜层结构硅片去除背离第一导电类型表面形成导电类型光伏组件依次设置晶化背面掺杂覆盖制作

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种LED外延结构

一种LED外延结构

引用

作者：刘建明张洁朱学亮陈秉扬张中英徐宸科 361009 福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号

一种LED外延结构，从下至上依次包括：衬底、第一导电类型半导体层、具有V型坑的超晶格层、空穴阻挡层、有源区发光层及第二导电类型半导体层，空穴阻挡层覆盖V型坑，空穴阻挡层在垂直V型坑侧壁的a方向上的厚度与竖直方向c方向上的厚度... 详细信息

标准号: CN106653964B

一种LED外延结构，从下至上依次包括：衬底、第一导电类型半导体层、具有V型坑的超晶格层、空穴阻挡层、有源区发光层及第二导电类型半导体层，空穴阻挡层覆盖V型坑，空穴阻挡层在垂直V型坑侧壁的a方向上的厚度与竖直方向c方向上的厚度比大于0.4。

关键词：空穴阻挡层导电类型半导体层第一导电类型半导体层超晶格层发光层厚度比坑侧壁衬底竖直源区垂直覆盖

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

包括多个台面区的竖向结型场效应晶体管

包括多个台面区的竖向结型场效应晶体管

引用

作者： H·韦伯 B·费舍尔奥地利菲拉赫西门子大街2号

公开了包括多个台面区的竖向结型场效应晶体管。一种竖向结型场效应晶体管VJFET，包括在半导体本体中沿着第一横向方向延伸的多个台面区。沟槽结构包括被经由多个沟槽结构的底部侧或者侧壁中的至少一个电连接到半导体本体中的第一导电... 详细信息

标准号: CN117673169A

公开了包括多个台面区的竖向结型场效应晶体管。一种竖向结型场效应晶体管VJFET，包括在半导体本体中沿着第一横向方向延伸的多个台面区。沟槽结构包括被经由多个沟槽结构的底部侧或者侧壁中的至少一个电连接到半导体本体中的第一导电类型的栅极区的栅极接触材料。多个沟槽结构的宽度满足如下的i)或者ii)：i)与沟槽结构中的更中心的部分中相比，沟槽结构中的被沿着第二横向方向布置在最外的至少一个的宽度更小，或者ii)与多个沟槽结构中的更中心的部分中相比，沿着第一横向方向上的端部部分，多个沟槽结构中的至少一些的宽度更小，沿着第一横向方向的端部部分的延伸大于沿着第二横向方向的多个沟槽结构中的邻近的沟槽结构之间的间距。

关键词：沟槽结构横向方向结型场效应晶体管半导体本体台面区竖向第一导电类型横向方向延伸栅极接触材料电连接栅极区侧壁邻近延伸

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体组件及其形成方法

半导体组件及其形成方法

引用

作者：韩峰黄剑桂林春陈忠浩中国台湾新竹市

本公开涉及半导体组件及其形成方法。一种形成半导体组件的方法包括：在基板上形成闸极结构；分别在该闸极结构的相对侧壁上形成第一闸极间隔物及第二闸极间隔物；在该基板中植入第一导电类型的第一掺杂物，以形成邻接该第一闸极间隔物... 详细信息

标准号: CN114496923A

本公开涉及半导体组件及其形成方法。一种形成半导体组件的方法包括：在基板上形成闸极结构；分别在该闸极结构的相对侧壁上形成第一闸极间隔物及第二闸极间隔物；在该基板中植入第一导电类型的第一掺杂物，以形成邻接该第一闸极间隔物的轻掺杂源极区、以及邻接该第二闸极间隔物的轻掺杂汲极区；在该轻掺杂汲极区的第一部分上形成图案化屏蔽，并留下该轻掺杂汲极区的第二部分为暴露的；以及在该图案化屏蔽存在时，在该基板中植入该第一导电类型的第二掺杂物，使得该轻掺杂汲极区的该第二部分转变为汲极区。

关键词：汲极间隔物轻掺杂闸极基板第一导电类型半导体组件闸极结构邻接掺杂物图案化屏蔽植入轻掺杂源极区相对侧壁暴露

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体器件及其制备方法

半导体器件及其制备方法

引用

作者：王世谈黄宝伟 518000 广东省深圳市大鹏新区葵涌街道延安路1号

本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括第一导电类型的漂移区层、第一导电类型的结构层和第二导电类型的集电极层，其中，所述第一导电类型的结构层位于所述漂移层的背面，所述第一导电类型的结构层包括深能级的第一... 详细信息

标准号: CN118263302A

本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括第一导电类型的漂移区层、第一导电类型的结构层和第二导电类型的集电极层，其中，所述第一导电类型的结构层位于所述漂移层的背面，所述第一导电类型的结构层包括深能级的第一导电类型杂质区；所述集电极层位于所述第一导电类型的结构层的远离所述漂移层的一面，所述集电极层掺杂有浅能级的第二导电类型杂质。本发明实施例的半导体器件和制备方法，既可以保证常温下的导通压降，又可以提升其最大工作结温。

关键词：第一导电类型结构层半导体器件集电极层漂移层制备导电类型杂质能级导电类型导通压降工作结温常温下漂移区深能级杂质区背面掺杂保证

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体装置和半导体装置的制造方法

半导体装置和半导体装置的制造方法

引用

作者：刘恒陈道坤周文杰张永旺储金星杨晶杰刘子俭 528300 广东省佛山市顺德区容桂街道容港路8号

本发明公开了一种半导体装置和半导体装置的制造方法，半导体装置包括：第一导电类型的漂移层；第一导电类型的场截止层；第二导电类型的集电极层；第一导电类型的第一发射极层，集电极层周向环绕设置于第一发射极层的外侧；第二导电类... 详细信息

标准号: CN117650161A

本发明公开了一种半导体装置和半导体装置的制造方法，半导体装置包括：第一导电类型的漂移层；第一导电类型的场截止层；第二导电类型的集电极层；第一导电类型的第一发射极层，集电极层周向环绕设置于第一发射极层的外侧；第二导电类型的环层，环层与集电极层和第一发射极层的交界处相对应，环层内设置有多个沟槽部；第二导电类型的阱层，阱层设置于环层两侧且至少部分地与集电极层和第一发射极层相对应，阱层对应集电极层的部分设置有多个沟槽部。由此，在保证半导体装置的耐压能力的前提下，提高第二半导体器件类型区域的导通压降，提升半导体装置的工作性能。

关键词：半导体装置集电极层发射极层环层第一导电类型导电类型阱层沟槽部半导体器件类型场截止层导通压降工作性能耐压能力周向环绕交界处漂移层制造保证

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种LED芯片及其测试方法和测试系统

一种LED芯片及其测试方法和测试系统

引用

作者：罗坤杨晓蕾付鸿飞陈亮刘兆 330103 江西省南昌市新建区望城新区宁远大街1288号

本发明提供了一种LED芯片及其测试方法和测试系统，包括：发光外延层，发光外延层包括第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层；第一电极和第二电极，第一电极与第一导电类型半导体层电连接，第二电极与第二导电类型半导体层电连... 详细信息

标准号: CN115472598A

本发明提供了一种LED芯片及其测试方法和测试系统，包括：发光外延层，发光外延层包括第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层；第一电极和第二电极，第一电极与第一导电类型半导体层电连接，第二电极与第二导电类型半导体层电连接；以及，感应线圈，感应线圈的一端与第一电极电连接，感应线圈的另一端与第二电极电连接。通过将感应磁场作用于感应线圈上，即能够使得感应线圈生成驱动信号传输至第一电极和第二电极，以达到控制LED芯片点亮的目的，进而能够对点亮的LED芯片进行性能测试。本发明提供的技术方案，无需使用探针即能够对LED芯片进行性能测试，不仅提高LED芯片的测试准确度，还避免了对LED芯片造成损坏的情况。

关键词：感应线圈第二电极第一电极电连接导电类型半导体层第一导电类型发光外延层性能测试点亮驱动信号传输半导体层电测试准确度半导体层测试系统感应磁场探针测试

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

多次可编程器件及其制备方法

多次可编程器件及其制备方法

引用

作者：王文智张国伟周文鑫王建智 230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号

本发明涉及一种多次可编程器件及其制备方法。一种多次可编程器件包括：衬底，衬底包括第一阱区和第二阱区，第一阱区为第一导电类型，第二阱区为第二导电类型，第一阱区具有源极和漏极，第二阱区具有控制栅极，其中，源极、漏极和控制... 详细信息

标准号: CN117320452B

本发明涉及一种多次可编程器件及其制备方法。一种多次可编程器件包括：衬底，衬底包括第一阱区和第二阱区，第一阱区为第一导电类型，第二阱区为第二导电类型，第一阱区具有源极和漏极，第二阱区具有控制栅极，其中，源极、漏极和控制栅极均为第二导电类型；栅介质层，同时覆盖部分第一阱区的表面和部分第二阱区的表面，形成环形结构；以及浮栅结构，覆盖于栅介质层上，浮栅结构与栅介质层形状匹配，也为环形结构。本申请提供的多次可编程器件能够适应于各制程的工艺，具有广泛的应用场景。

关键词：阱区可编程器件栅介质层导电类型浮栅结构环形结构控制栅极衬底漏极源极第一导电类型形状匹配应用场景覆盖制备制程申请

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

沟槽型DMOS器件及其制备方法

沟槽型DMOS器件及其制备方法

引用

作者：许超奇陈淑娴林峰李春旭 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

本发明涉及一种沟槽型DMOS器件及其制备方法，该沟槽型DMOS器件包括有设置于栅绝缘层内表面的扩展栅层，该扩展栅层包括第二导电类型的第一扩展栅区、第一导电类型的第二扩展栅区和第三扩展栅区，改善了沟槽型DMOS器件的耐压与比导通电... 详细信息

标准号: CN116417516A

本发明涉及一种沟槽型DMOS器件及其制备方法，该沟槽型DMOS器件包括有设置于栅绝缘层内表面的扩展栅层，该扩展栅层包括第二导电类型的第一扩展栅区、第一导电类型的第二扩展栅区和第三扩展栅区，改善了沟槽型DMOS器件的耐压与比导通电阻的矛盾关系，使得沟槽型DMOS器件不仅具有高的耐压，还具有低的比导通电阻。并且该沟槽型DMOS器件为纵向耐压结构，减小了器件面积，从而减小了器件的导通电阻，同时，源极区和漏极区均可以从正面引出，可以兼容CMOS。

关键词：沟槽型栅区比导通电阻扩展栅层减小耐压第一导电类型导电类型导通电阻矛盾关系栅绝缘层纵向耐压漏极区内表面源极区制备兼容

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

存储器结构及其操作方法

存储器结构及其操作方法

引用

作者：陈威臣吕函庭中国台湾新竹科学工业园区力行路16号

本公开提供了一种存储器结构及其操作方法。存储器结构包含沿着第一方向设置且彼此分开的第一、第二和第三栅极结构、具有第一端与第二端的多个通道本体、彼此分开且具有第一导电类型且连接第一端的多个源极区、彼此分开且具有第二导电... 详细信息

标准号: CN118368894A

本公开提供了一种存储器结构及其操作方法。存储器结构包含沿着第一方向设置且彼此分开的第一、第二和第三栅极结构、具有第一端与第二端的多个通道本体、彼此分开且具有第一导电类型且连接第一端的多个源极区、彼此分开且具有第二导电类型且连接第二端的的多个漏极区、以及沿着第二方向设置且沿着第三方向延伸且电性连接源极区和通道本体的多个第一侧插塞。通道本体彼此分开且沿着第一方向穿过第一、第二及第三栅极结构。第一栅极结构包含沿着第二方向设置且沿着第三方向延伸的多个岛状结构。

关键词：彼此分开方向设置通道本体栅极结构存储器结构方向延伸源极区第一导电类型岛状结构导电类型电性连接第一端漏极区侧插穿过

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

没有更多数据了...

全选清除本页清除全部题录导出标记到“检索档案”

共500页 << < 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 > >>

检索报告对象比较合并检索0

隐藏清空

合并搜索

回到顶部

执行限定条件

内容：

评分：

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

订阅名称：

通借通还

温馨提示：

图书名称：

借书校区：

取书校区：

手机号码：

邮箱地址：

一卡通帐号：

电话和邮箱必须正确填写，我们会与您联系确认。

联系人：

所在院系：

联系邮箱：

联系电话：

内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号邮编: 010021

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：