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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

5,091 篇 专利

馆藏范围

5,091 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

217 篇 电子科技大学
188 篇 三星电子株式会社
164 篇 英飞凌科技股份有...
159 篇 无锡新洁能股份有...
151 篇 上海华虹宏力半导...
125 篇 无锡华润上华科技...
111 篇 台湾积体电路制造...
105 篇 意法半导体公司
101 篇 中芯国际集成电路...
69 篇 英飞凌科技奥地利...
59 篇 江苏中科君芯科技...
54 篇 世界先进积体电路...
52 篇 株洲中车时代半导...
50 篇 佳能株式会社
48 篇 深圳方正微电子有...
48 篇 上海功成半导体科...
46 篇 意法半导体股份有...
46 篇 北大方正集团有限...
44 篇 华虹半导体有限公...
44 篇 中国电子科技集团...

作者

180 篇 张波
155 篇 朱袁正
105 篇 李泽宏
102 篇 周锦程
95 篇 乔明
92 篇 任敏
59 篇 柏松
57 篇 叶鹏
57 篇 张森
56 篇 章文通
53 篇 黄润华
52 篇 陈文锁
52 篇 罗杰馨
48 篇 高巍
48 篇 柴展
46 篇 杨勇
45 篇 张金平
41 篇 李宗清
41 篇 朱阳军
40 篇 李肇基

语言

5,091 篇 中文

检索条件"主题词=第一导电类型"

共 5091 条记录，以下是81-90 订阅

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详细简洁

排序：

具有隔离结构的半导体器件及其制造方法

具有隔离结构的半导体器件及其制造方法

引用

作者：李永顺金华俊宋亮 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

本发明涉及一种具有隔离结构的半导体器件及其制造方法，所述器件包括：衬底；第一导电类型的埋层，设于衬底中；漂移区，设于埋层上；漏极区，设于漂移区内；体区，设于埋层上；源极区，设于体区内；埋层上并且在漂移区背离体区的方向... 详细信息

标准号: CN116344613A

本发明涉及一种具有隔离结构的半导体器件及其制造方法，所述器件包括：衬底；第一导电类型的埋层，设于衬底中；漂移区，设于埋层上；漏极区，设于漂移区内；体区，设于埋层上；源极区，设于体区内；埋层上并且在漂移区背离体区的方向上依次排列的第一至第四掺杂区；其中，在半导体器件工作时，第三掺杂区和第四掺杂区连接的电位的电压高于第一掺杂区和第二掺杂区连接的电位的电压。本发明在器件的体二极管续流时，由第二掺杂区‑第三掺杂区‑第四掺杂区组成的三极管工作在放大区，可以将涌入第一导电类型埋层的电流吸收，避免其流入衬底，从而显著地屏蔽了由于体二极管续流导致的衬底漏电。

关键词：掺杂区埋层衬底第一导电类型电位半导体器件体二极管漂移区体区续流漂移漏电电流吸收隔离结构依次排列放大区漏极区三极管源极区屏蔽背离制造

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一种快速恢复二极管及其制备方法

一种快速恢复二极管及其制备方法

引用

作者：董少华刘钺杨和峰王耀华刘江金锐姚兆民 102209 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号

一种快速恢复二极管，包括：第一导电类型半导体层；位于所述第一导电类型半导体层上的漂移层；位于所述漂移层中的第二导电类型掺杂层；所述快速恢复二极管还包括：第一复合区，所述第一复合区位于第二导电类型掺杂层底部的漂移层中，... 详细信息

标准号: CN114068728A

一种快速恢复二极管，包括：第一导电类型半导体层；位于所述第一导电类型半导体层上的漂移层；位于所述漂移层中的第二导电类型掺杂层；所述快速恢复二极管还包括：第一复合区，所述第一复合区位于第二导电类型掺杂层底部的漂移层中，第一复合区包括若干个横向排布的第一子复合区，相邻的第一子复合区在漂移层中的深度不同；和/或，第二复合区，第二复合区位于所述第二导电类型掺杂层中，第二复合区包括若干个横向排布的第二子复合区，相邻的第二子复合区在第二导电类型掺杂层中的深度不同。本发明提供的一种快速恢复二极管反向恢复峰值电流较低，反向恢复速度较快。

关键词：复合区导电类型掺杂层漂移层快速恢复二极管第一导电类型半导体层反向恢复横向排布峰值电流

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垂直双极晶体管

垂直双极晶体管

引用

作者：姜明吉徐康一朴容喜白尚训千健龙韩国京畿道水原市

可以提供一种垂直双极晶体管，所述垂直双极晶体管包括：基底，包括第一导电类型的第一阱和与第一导电类型不同的第二导电类型的第二阱，第一阱与第二阱邻接；第一鳍，从第一阱延伸；第二鳍，从第一阱延伸；第三鳍，从第二阱延伸；第一... 详细信息

标准号: CN109979989B

可以提供一种垂直双极晶体管，所述垂直双极晶体管包括：基底，包括第一导电类型的第一阱和与第一导电类型不同的第二导电类型的第二阱，第一阱与第二阱邻接；第一鳍，从第一阱延伸；第二鳍，从第一阱延伸；第三鳍，从第二阱延伸；第一导电区，位于第一鳍上，具有第二导电类型并且被构造为用作所述垂直双极晶体管的发射极；第二导电区，位于第二鳍上，具有第一导电类型并且被构造为用作所述垂直双极晶体管的基极；以及第三导电区，位于第三鳍上，具有第二导电类型并且被构造为用作所述垂直双极晶体管的集电极。

关键词：垂直双极晶体管第一导电类型导电类型导电区延伸邻接发射极集电极基底

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沟槽栅IGBT器件及其制备方法

沟槽栅IGBT器件及其制备方法

引用

作者：胡钰祺陆珏 312000 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号

本发明提供了一种沟槽栅IGBT器件及其制备方法，所述沟槽栅IGBT器件包括：衬底，设有若干沟槽栅元胞，相邻沟槽栅元胞之间具有间隔区；第一导电类型发射区，由间隔区的衬底表面延伸至沟槽栅的底部，且第一导电类型发射区的两端分别与沟... 详细信息

标准号: CN116913957A

本发明提供了一种沟槽栅IGBT器件及其制备方法，所述沟槽栅IGBT器件包括：衬底，设有若干沟槽栅元胞，相邻沟槽栅元胞之间具有间隔区；第一导电类型发射区，由间隔区的衬底表面延伸至沟槽栅的底部，且第一导电类型发射区的两端分别与沟槽栅元胞的漂移区及源极连接；两个第二导电类型基区，设于第一导电类型发射区内且各自邻近两侧的沟槽栅，并由衬底表面延伸至沟槽栅的部分深度；两个第一导电类型集电区，各自设于两个第二导电类型基区内，且与沟槽栅电连接。本发明中，可通过在间隔区的第一导电类型发射区、第二导电类型基区及第一导电类型集电区形成类似晶体管结构，降低沟槽栅IGBT器件导通压降、关断时间及关断损耗。

关键词：沟槽栅第一导电类型导电类型发射区间隔区衬底表面集电区基区元胞晶体管结构导通压降关断损耗相邻沟槽源极连接电连接漂移区衬底关断延伸栅元制备邻近发射

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一种超级结及其制造方法

一种超级结及其制造方法

引用

作者：刘涛张腾柏松 210000 江苏省南京市秦淮区中山东路524号

本发明提出一种超级结结构，该超级结结构包括：第一导电类型衬底；沉积于第一导电类型衬底上的第一导电类型第一外延层；并且，第一导电类型第二外延层叠加在第一导电类型第一外延层上；所述第一导电类型第一外延层包括向上依次叠加的... 详细信息

标准号: CN115566046A

本发明提出一种超级结结构，该超级结结构包括：第一导电类型衬底；沉积于第一导电类型衬底上的第一导电类型第一外延层；并且，第一导电类型第二外延层叠加在第一导电类型第一外延层上；所述第一导电类型第一外延层包括向上依次叠加的第一导电类型第一外延层底部缓冲层、第一导电类型第一外延层主漂移层、第一导电类型第一外延层顶部缓冲层；所述第一导电类型第二外延层上设置有多个倒梯形结构的沟槽，并且，所述沟槽向下延伸至第一导电类型第一外延层顶部缓冲层内部；所述沟槽内设置有第二导电类型离子构成第二导电类型电荷补偿区。该超级结结构，可用于碳化硅等宽禁带半导体超级结肖特基二极管和开关管器件。

关键词：第一导电类型外延层超级结结构顶部缓冲层衬底导电类型离子肖特基二极管倒梯形结构电荷补偿区导电类型向下延伸依次叠加等宽超级结缓冲层开关管漂移层碳化硅沉积禁带可用半导体

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一种带有超结结构的屏蔽栅IGBT

一种带有超结结构的屏蔽栅IGBT

引用

作者：郭亚楠陈宏黄健叶士杰刘洋皮彬彬刁绅 214000 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A2栋14层(东侧)

本发明涉及半导体功率器件领域，具体说是一种带有超结结构的屏蔽栅IGBT。它包括第一导电类型的半导体衬底，半导体衬底的正面设置有若干个元胞，所述元胞中至少有一个深沟槽，深沟槽内有屏蔽栅结构，深沟槽的两侧有离子注入区及接触孔... 详细信息

标准号: CN117766576A

本发明涉及半导体功率器件领域，具体说是一种带有超结结构的屏蔽栅IGBT。它包括第一导电类型的半导体衬底，半导体衬底的正面设置有若干个元胞，所述元胞中至少有一个深沟槽，深沟槽内有屏蔽栅结构，深沟槽的两侧有离子注入区及接触孔。其特点是，所述深沟槽下方有超结结构电荷平衡区，超结结构电荷平衡区含有两层及两层以上第一导电类型的结构和第二导电类型的结构，相连两层结构的导电类型不同，且最内层为第二导电类型的结构，其包围在深沟槽外侧。相连两层结构间，外侧的结构包围在内侧的结构外侧，且外侧的结构顶部不超过内侧的结构顶部。该IGBT的可靠性高，开关损耗低。

关键词：深沟槽超结结构导电类型第一导电类型电荷平衡两层结构屏蔽栅衬底两层元胞半导体半导体功率器件离子注入区包围开关损耗正面设置接触孔最内层

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一种半导体结构及其制备方法

一种半导体结构及其制备方法

引用

作者：王琪明刘洋 230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

本公开提供了一种半导体结构及其制备方法，其中，半导体结构包括：衬底；介质层，介质层位于衬底上；位于介质层上的第一功函数层，第一功函数层至少包含铝层；第一栅极层，第一栅极层位于第一功函数层上；其中，介质层、第一功函数层... 详细信息

标准号: CN116314275A

本公开提供了一种半导体结构及其制备方法，其中，半导体结构包括：衬底；介质层，介质层位于衬底上；位于介质层上的第一功函数层，第一功函数层至少包含铝层；第一栅极层，第一栅极层位于第一功函数层上；其中，介质层、第一功函数层及第一栅极层构成第一导电类型晶体管。

关键词：功函数层介质层栅极层半导体结构衬底第一导电类型晶体管铝层制备

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MIS电容器及制造MIS电容器的方法

MIS电容器及制造MIS电容器的方法

引用

作者：陈超罗周益丛锋荷兰埃因霍温高科技园区60邮编:5656 AG

一种MIS电容器以及一种制造所述MIS电容器的方法。所述电容器包括半导体衬底，所述半导体衬底包括具有第一导电类型的第一部分和用于将所述第一部分耦合到输出节点的接触区。所述衬底在所述第一部分的表面上具有电介质且在所述电介质上... 详细信息

标准号: CN115548130A

一种MIS电容器以及一种制造所述MIS电容器的方法。所述电容器包括半导体衬底，所述半导体衬底包括具有第一导电类型的第一部分和用于将所述第一部分耦合到输出节点的接触区。所述衬底在所述第一部分的表面上具有电介质且在所述电介质上具有电极。所述衬底包括具有第二导电类型的第二部分和具有所述第一导电类型的第三部分。所述第三部分可耦合到电源电压。所述第二部分位于所述第一部分与所述第三部分之间。所述第一部分和所述第二部分形成第一p‑n结，且所述第二部分和所述第三部分形成第二p‑n结。提供参考触点以用于将所述第二部分耦合到参考电压。提供另外的接触区以用于将所述第二部分耦合到所述输出节点。

关键词：耦合到衬底电介质第一导电类型输出节点接触区半导体电容器参考电压导电类型电源电压电极触点参考制造

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用于碳化硅器件的屏蔽结构

用于碳化硅器件的屏蔽结构

引用

作者： M·海尔 C·伦德茨德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-15号

公开了用于碳化硅器件的屏蔽结构。一种碳化硅器件，包括：在碳化硅衬底的第一表面上的平面栅极结构，平面栅极结构具有沿着横向第一方向的栅极长度；第一导电类型的源极区，其在栅极长度的至少一部分上在平面栅极结构下方延伸；第二导... 详细信息

标准号: CN116153984A

公开了用于碳化硅器件的屏蔽结构。一种碳化硅器件，包括：在碳化硅衬底的第一表面上的平面栅极结构，平面栅极结构具有沿着横向第一方向的栅极长度；第一导电类型的源极区，其在栅极长度的至少一部分上在平面栅极结构下方延伸；第二导电类型的本体区，本体区包括在平面栅极结构下方邻接源极区的沟道区带；以及第二导电类型的屏蔽区，其在至少20%但是小于100%的栅极长度上覆盖沟道区带，其中屏蔽区中的最大掺杂剂浓度高于本体区中的最大掺杂剂浓度。

关键词：平面栅极结构碳化硅器件导电类型沟道区带掺杂剂屏蔽区源极区第一导电类型第一表面屏蔽结构碳化硅邻接衬底延伸覆盖

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太阳能电池

太阳能电池

引用

作者：曹海宗吴东海郑柱和安俊勇韩国首尔

公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括：第一导电区域，其位于半导体基板的前表面处并且包含第一导电类型或第二导电类型的杂质；第二导电区域，其位于半导体基板的后表面处并且包含与第一导电区域的杂质的导电类型相反的导电类型的... 详细信息

标准号: CN108400173A

公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括：第一导电区域，其位于半导体基板的前表面处并且包含第一导电类型或第二导电类型的杂质；第二导电区域，其位于半导体基板的后表面处并且包含与第一导电区域的杂质的导电类型相反的导电类型的杂质；第一电极，其位于半导体基板的前表面上并且连接到第一导电区域；以及第二电极，其位于半导体基板的后表面上并且连接到第二导电区域。第一电极和第二电极中的每一个包括金属颗粒和玻璃料。

关键词：导电区域半导体基板导电类型太阳能电池第二电极第一电极后表面前表面第一导电类型金属颗粒玻璃料

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