检索结果-内蒙古大学图书馆

您好，读者！请登录

内蒙古大学图书馆

首页
概况
党建
资源
服务
科研支持
- 论文收录引用证明
- 科技查新
知识产权
档案馆
帮助

咨询与建议

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

您的常用邮箱：*

您的手机号码：*

问题描述：

当前已输入0个字，您还可以输入200个字

全部搜索
期刊论文
图书
学位论文
标准
纸本馆藏
外文资源发现
数据库导航
超星发现

高级检索

时间限定

出版年份：

文献类型

图书期刊文献学位论文多媒体

馆藏选择

电子馆藏纸本馆藏

核心期刊

全部期刊 SCI 收录期刊 SSCI 收录期刊 EI 收录期刊 CSCD 收录期刊 CSSCI 收录期刊

语言

中文英文

文献类型

期刊文献图书学位论文标准纸本馆藏

帮助

文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

分类表

所选分类

>> <<

限定检索结果

文献类型

299 篇 专利

馆藏范围

299 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

31 篇 京东方科技集团股...
15 篇 三星电子株式会社
11 篇 英飞凌科技股份有...
10 篇 友达光电股份有限...
7 篇 厦门市三安光电科...
5 篇 深圳新声半导体有...
5 篇 意法半导体股份有...
5 篇 厦门三安光电有限...
5 篇 台湾积体电路制造...
4 篇 北京京东方显示技...
4 篇 上海天马微电子有...
4 篇 财团法人工业技术...
4 篇 爱思开海力士有限...
4 篇 厦门乾照光电股份...
4 篇 北京京东方光电科...
4 篇 成都京东方光电科...
4 篇 深圳超多维科技有...
4 篇 罗伯特·博世有限公...
4 篇 广东工业大学
4 篇 度亘激光技术有限...

作者

6 篇 徐宸科
6 篇 m·菲尔德纳
5 篇 张丽明
5 篇 杨人龙
5 篇 郑逸
5 篇 邓有财
5 篇 张中英
4 篇 张敏
4 篇 蒋艳平
4 篇 李佳恩
4 篇 康俊勇
4 篇 邱云
4 篇 惠利省
4 篇 肖杰
4 篇 汤卉
4 篇 胡伟频
4 篇 蔡正晔
4 篇 张天富
4 篇 吴星来
4 篇 杨国文

语言

299 篇 中文

检索条件"主题词=第一电极结构"

共 299 条记录，以下是51-60 订阅

全选清除本页清除全部题录导出标记到"检索档案"

详细简洁

排序：

MEMS结构及MEMS麦克风

MEMS结构及MEMS麦克风

引用

作者：赵成龙何政达万蔡辛 214028 江苏省无锡市新吴区菱湖大道111号无锡软件园天鹅座C栋5楼

本申请公开了MEMS结构及MEMS麦克风。所述MEMS结构包括：第一电极结构；第二电极结构，第一电极结构的上表面与第二电极结构的下表面彼此相对；以及第一支撑结构，位于第一电极结构和第二电极结构之间，在的外围区将第一电极结构和第二... 详细信息

标准号: CN114845227A

本申请公开了MEMS结构及MEMS麦克风。所述MEMS结构包括：第一电极结构；第二电极结构，第一电极结构的上表面与第二电极结构的下表面彼此相对；以及第一支撑结构，位于第一电极结构和第二电极结构之间，在的外围区将第一电极结构和第二电极结构固定在一起，在的中间区形成第一空腔，其中，第一电极结构形成有第一进气孔和第一泄气孔，第二电极结构形成有第二进气孔和第二泄气孔，第一电极结构和第二电极结构之间形成有第一窄气流通道，第一泄气孔和第二泄气孔与第一窄气流通道连通以形成气压释放通道。该MEMS结构采用双泄气孔和气压释放通道，以兼顾高声压作用下的可靠性和低频响应特性。

关键词：第一电极结构第二电极泄气孔气流通道进气孔气压低频响应特性彼此相对第一空腔结构形成支撑结构释放上表面外围区下表面中间区连通申请

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种LED芯片

一种LED芯片

引用

作者：杨人龙张丽明郑逸张中英邓有财 361100 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道841-899号

本发明提供一种LED芯片，该芯片包括衬底、形成在衬底表面的外延层，以及第一电极结构和第二电极结构，其中，电极结构在第一方向上延伸的尺寸小于其在与第一方向垂直的第二方向上延伸的尺寸，即，第一电极结构和第二电极结构形成为长... 详细信息

标准号: CN117219712A

本发明提供一种LED芯片，该芯片包括衬底、形成在衬底表面的外延层，以及第一电极结构和第二电极结构，其中，电极结构在第一方向上延伸的尺寸小于其在与第一方向垂直的第二方向上延伸的尺寸，即，第一电极结构和第二电极结构形成为长边沿第二方向延伸的长条形结构，且二者在第一方向上平行排布。长条形的电极结构使电流在第一电极结构和第二电极结构之间的传导路径平行且等距，避免了现有技术中电流在圆形电极结构之间传导时的最短路径，从而解决了电流拥挤效应引发熔融击穿的问题；此外，长条状的电极结构也能使电流的扩展更加均匀，进而提高芯片的发光效率。

关键词：第一电极结构第二电极电极结构芯片电流拥挤效应圆形电极结构长条形结构衬底表面传导路径发光效率方向垂直方向延伸结构形成平行排布最短路径长边沿长条形长条状外延层延伸击穿衬底等距熔融传导平行

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

静电微型泵及生产静电微型泵的方法

静电微型泵及生产静电微型泵的方法

引用

作者：亨利·莱斯特纳马丁·瓦克尔马丁·里克特罗伯特·维兰德德国慕尼黑

根据本发明的一个实施例是包括隔膜布置的静电微型泵，隔膜布置包括隔膜和第一电极结构。静电微型泵还包括阀布置，阀布置包括入口止回阀和出口止回阀，其中隔膜布置和阀布置至少部分地封住泵室。静电微型泵还包括第二电极结构，其被布... 详细信息

标准号: CN116635630A

根据本发明的一个实施例是包括隔膜布置的静电微型泵，隔膜布置包括隔膜和第一电极结构。静电微型泵还包括阀布置，阀布置包括入口止回阀和出口止回阀，其中隔膜布置和阀布置至少部分地封住泵室。静电微型泵还包括第二电极结构，其被布置成与第一电极结构形成静电驱动器。静电驱动器被配置为使隔膜偏转。静电微型泵还包括布置在第一电极结构和第二电极结构之间的至少一个抗粘连凸块，其中在微型泵的非活动状态下，第一电极结构和第二电极结构之间的间距从泵室的外围区域开始朝着泵室的中心区域变化，其中外围区域封住中心区域。

关键词：微型泵第一电极结构隔膜静电第二电极泵室静电驱动器外围区域中心区域偏转出口止回阀非活动状态入口止回阀抗粘连凸块配置

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

芯片及激光器

芯片及激光器

引用

作者：杨国文唐松惠利省 215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢215、217室

本发明提供了一种芯片及激光器，涉及激光器的技术领域，芯片包括：主体，所述主体的上表面设置有脊结构，所述主体包括由后向前间隔设置的反射腔面和出光腔面；由后向前，所述脊结构具有依次且间隔设置的第一透明区域和增益区域；所述... 详细信息

标准号: CN114914786A

本发明提供了一种芯片及激光器，涉及激光器的技术领域，芯片包括：主体，所述主体的上表面设置有脊结构，所述主体包括由后向前间隔设置的反射腔面和出光腔面；由后向前，所述脊结构具有依次且间隔设置的第一透明区域和增益区域；所述脊结构的上表面具有与增益区域对应的第一电极结构以及与第一透明区域对应的第二电极结构；所述第一电极结构用于被注入第一电流I₁，以使所述增益区域产生增益光，所述第二电极结构用于被注入第二电流I₂,以使所述增益光在第一透明区域中传导时的损耗减少，所述第一电流I₁大于第二电流I₂。

关键词：透明区域增益区域脊结构第一电极结构第二电极间隔设置激光器上表面芯片出光腔面反射腔传导

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

可携式电子装置

可携式电子装置

引用

作者：胡师贤何基洲中国台湾台北市大安区罗斯福路三段309号3楼之一

本申请公开了一种可携式电子装置，其包含：一保护盖板，其中一第一表面上完成一屏蔽结构；一显示器，其中一第二表面上完成有一第一电极结构群与一第二电极结构群，而该第二电极结构群系被该屏蔽结构屏蔽，该第一电极结构群则未被该屏... 详细信息

标准号: CN107544627B

本申请公开了一种可携式电子装置，其包含：一保护盖板，其中一第一表面上完成一屏蔽结构；一显示器，其中一第二表面上完成有一第一电极结构群与一第二电极结构群，而该第二电极结构群系被该屏蔽结构屏蔽，该第一电极结构群则未被该屏蔽结构屏蔽；以及一控制芯片，分别电性连接于该第一电极结构群与该第二电极结构群，用以感测该第一电极结构群因应一导体于该保护盖板的一第三表面上方的水平移动所产生的一第一电容变化，又可感测因为该第二电极结构群与该保护盖板的该屏蔽结构间的距离变化所产生的一第二电容变化。本发明整合有电容式触控与压力感测的功能，改善制作成本过高且不易整合到智能型手机或是平板计算机结构中的公知缺失。

关键词：第一电极结构第二电极屏蔽结构结构群保护盖板电容变化屏蔽整合可携式电子装置电容式触控平板计算机智能型手机第二表面第一表面电性连接距离变化控制芯片压力感测导体感测公知显示器申请制作

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

液晶光学器件和电子产品

液晶光学器件和电子产品

引用

作者：冯文斌王滨叶茂 610000 四川省成都市高新区吉泰五路88号2栋19层16号

本发明涉及液晶光学器件技术领域，尤其涉及一种液晶光学器件和电子产品。本发明提供的液晶光学器件包括依次层叠设置的第一基板、第一电极层、液晶层、第二电极层和第二基板；所述第二电极层包括绝缘层、第一电极结构和第二电极结构，... 详细信息

标准号: CN118131540A

本发明涉及液晶光学器件技术领域，尤其涉及一种液晶光学器件和电子产品。本发明提供的液晶光学器件包括依次层叠设置的第一基板、第一电极层、液晶层、第二电极层和第二基板；所述第二电极层包括绝缘层、第一电极结构和第二电极结构，所述第一电极结构和第二电极结构中的一个位于所述绝缘层朝向液晶层的一面，另一个位于所述绝缘层背向液晶层的一面；所述第二电极结构在第一电极结构所处平面的投影覆盖所述第一电极结构相邻的分段之间的间隙，所述第一电极结构在第二电极结构所处平面的投影覆盖所述第二电极结构相邻的分段之间的间隙。本发明可有效消除液晶光学器件的衍射现象。

关键词：第二电极第一电极结构液晶光学器件液晶层绝缘层投影覆盖平面的分段绝缘层背向第二基板第一电极第一基板依次层叠电子产品衍射

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

微型发光二极管及制作方法，微型LED显示模块及制作方法

微型发光二极管及制作方法，微型LED显示模块及制作方法

引用

作者：范伟宏薛脱李东昇马新刚赵进超李超高默然 361012 福建省厦门市海沧区兰英路99号

公开了一种微型发光二极管及制作方法，微型LED显示模块及制作方法，微型发光二极管包括：外延层，依次包括第一半导体层，多量子阱层以及第二半导体层；第二电极，位于所述外延层中所述第二半导体层的表面；反射镜层，位于所述第二电... 详细信息

标准号: CN111933765A

公开了一种微型发光二极管及制作方法，微型LED显示模块及制作方法，微型发光二极管包括：外延层，依次包括第一半导体层，多量子阱层以及第二半导体层；第二电极，位于所述外延层中所述第二半导体层的表面；反射镜层，位于所述第二电极的表面；保护层，位于所述反射镜层的表面；以及第一电极结构，包括介质层、第一电极以及金属连接层，其中，所述第一电极结构中的所述第一电极与所述第一半导体层连接。本申请的微型发光二极管中，第一电极结构的第一电极和金属连接层共同作为导电层和反射层，提高了微型发光二极管出光率。制作方法采用两次光刻，提高了良率，降低了成本。

关键词：微型发光二极管半导体层第一电极结构第一电极金属连接层第二电极反射镜层外延层制作多量子阱层显示模块微型LED 保护层出光率导电层反射层介质层次光良率申请

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种半导体发光器件及其制备方法

一种半导体发光器件及其制备方法

引用

作者：钟志白李佳恩张敏卓昌正徐宸科康俊勇 361009 福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号

本发明提供一种半导体发光器件及其制备方法。半导体发光器件包括：衬底，具有衬底正面和衬底背面；形成在衬底正面上的堆叠外延层，堆叠外延层包括依次形成在衬底正面上的第一半导体层、有源层以及与第一半导体层的导电类型相反的第二... 详细信息

标准号: CN110364593A

本发明提供一种半导体发光器件及其制备方法。半导体发光器件包括：衬底，具有衬底正面和衬底背面；形成在衬底正面上的堆叠外延层，堆叠外延层包括依次形成在衬底正面上的第一半导体层、有源层以及与第一半导体层的导电类型相反的第二半导体层，半导体发光器件自所述堆叠外延层的第一端发光；形成在与第一端相对的第二端外侧的反射层；形成在底背面的第一电极结构；第一电极结构包括同时形成在堆叠外延层的第一端及第二端的反射层的外侧，并且位置低于有源层的连接金属层，连接金属层不会影响发光器件的发光效果，同时能够及时地将外延层、抗反射层和反射层产生的热量传导出去，提高抗反射层和反射层抗光学灾变损伤的能力以及抗热翻转的能力。

关键词：外延层反射层堆叠半导体发光器件半导体层衬底正面第一电极结构连接金属层抗反射层第一端源层衬底背面导电类型发光器件发光效果热量传导翻转衬底制备发光损伤

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

通过使用吸合功能性检测电容传感器中的灵敏度故障

通过使用吸合功能性检测电容传感器中的灵敏度故障

引用

作者： D-I-D·斯托伊卡 C·柯丽苏 B·温克勒 A·卡斯帕尼 C·巴法 V·波佩斯库-斯托雷德国诺伊比贝尔格

本发明的实施例涉及通过使用吸合功能性检测电容传感器中的灵敏度故障。一种电容传感器，包括：第一电极结构；与第一电极结构相对的第二电极结构，其中第二电极结构相对于第一电极结构是可移动的，并且与第一电极结构电容耦合以形成具... 详细信息

标准号: CN115727887A

本发明的实施例涉及通过使用吸合功能性检测电容传感器中的灵敏度故障。一种电容传感器，包括：第一电极结构；与第一电极结构相对的第二电极结构，其中第二电极结构相对于第一电极结构是可移动的，并且与第一电极结构电容耦合以形成具有电容的电容器，该电容随者在第一电极结构与第二电极结构之间的距离的变化而变化；信号发生器，被配置为在电容器的输入处或输出处施加电气信号，以在电容器的输出处引发电压瞬态响应；以及诊断电路，被配置为通过如下方式来检测电容传感器中的故障：测量第一电压瞬态响应的时间常数并基于时间常数，并基于第一电气信号是吸合信号还是非吸合信号来检测故障。

关键词：第一电极结构电容器第二电极吸合电容传感器电气信号电压瞬态时间常数电容输出处功能性检测信号发生器电容耦合检测电容诊断电路可移动灵敏度输入处响应传感器配置测量施加检测

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体装置

半导体装置

引用

作者：林义郞李珍秀姜政佑崔俊洛洪睿珍韩国京畿道水原市

提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括导电图案和电连接到导电图案的电容器。电容器包括电连接到导电图案的第一电极结构、设置在第一电极结构上的介电层、设置在介电层上的第二电极结构和设置在第二电极结构上的板电极。第二电极... 详细信息

标准号: CN118368890A

提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括导电图案和电连接到导电图案的电容器。电容器包括电连接到导电图案的第一电极结构、设置在第一电极结构上的介电层、设置在介电层上的第二电极结构和设置在第二电极结构上的板电极。第二电极结构包括包含第一金属元素和氮元素的第一电极材料层以及包含第二金属元素、第14族元素和氧元素的第一保护材料层。

关键词：导电图案第二电极电容器第一电极结构半导体装置金属元素电连接介电层保护材料层第一电极板电极材料层氮元素氧元素族元素

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

没有更多数据了...

全选清除本页清除全部题录导出标记到“检索档案”

共30页 << < 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 > >>

检索报告对象比较合并检索0

隐藏清空

合并搜索

回到顶部

执行限定条件

内容：

评分：

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

订阅名称：

通借通还

温馨提示：

图书名称：

借书校区：

取书校区：

手机号码：

邮箱地址：

一卡通帐号：

电话和邮箱必须正确填写，我们会与您联系确认。

联系人：

所在院系：

联系邮箱：

联系电话：

内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号邮编: 010021

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：