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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

36 篇 专利

馆藏范围

36 篇 电子文献
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日期分布

机构

8 篇 复旦大学
3 篇 联合汽车电子有限...
2 篇 广东顺德中山大学...
2 篇 杭州煦达新能源科...
2 篇 辉芒微电子有限公...
2 篇 上海交通大学
2 篇 杭州中恒电气股份...
2 篇 思特威电子科技股...
2 篇 南京宏泰半导体科...
2 篇 佛山市顺德区中山...
2 篇 西安理工大学
2 篇 中山大学
1 篇 北京芯格诺微电子...
1 篇 国家电网有限公司
1 篇 上海宏力半导体制...
1 篇 长沙景嘉微电子股...
1 篇 上海郎素生物科技...
1 篇 上海集成电路研发...
1 篇 成都微光集电科技...
1 篇 北京北方华创微电...

作者

8 篇 林殷茵
4 篇 薛晓勇
3 篇 王向炜
3 篇 孙儒文
3 篇 范昊
2 篇 陈鹏
2 篇 包智杰
2 篇 谭润钦
2 篇 方能杰
2 篇 谷文浩
2 篇 姬军鹏
2 篇 孟超
2 篇 顾卓斌
2 篇 蒋家琛
2 篇 董存霖
2 篇 潘吉钊
2 篇 孙亚男
2 篇 赵自强
2 篇 叶涛
2 篇 李剑铎

语言

36 篇 中文

检索条件"主题词=等效寄生电容"

共 36 条记录，以下是21-30 订阅

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逆变器IGBT模块封装结构

逆变器IGBT模块封装结构

引用

作者：孙儒文王向炜范昊 201206 上海市浦东新区榕桥路555号

本发明公开了一种逆变器IGBT模块封装结构，半桥IGBT模块的正输入端及负输入端均在芯片下表面，可用缓冲电容分别与第一绝缘陶瓷基板表面的正、负输入端区域表面焊接，最大限度短路掉IGBT模块引脚电感；半桥IGBT模块的上半桥IGBT芯片的... 详细信息

标准号: CN104952859B

本发明公开了一种逆变器IGBT模块封装结构，半桥IGBT模块的正输入端及负输入端均在芯片下表面，可用缓冲电容分别与第一绝缘陶瓷基板表面的正、负输入端区域表面焊接，最大限度短路掉IGBT模块引脚电感；半桥IGBT模块的上半桥IGBT芯片的E极及下半桥IGBT芯片的C极均在芯片上表面，可以远离水冷板，从而降低等效寄生电容，减低对地共模干扰电流，能提高逆变器的EMC性能；各相半桥IGBT模块取消绑定线，提高了电流能力及寿命，可使芯片面积减小，降低逆变器成本；各相半桥IGBT模块的电气引脚直接焊接到绝缘陶瓷基板及芯片，各相半桥IGBT模块的正输入端、负输入端及相输出引脚相隔很近，使逆变器出线短，布线简单，内部空腔不易被铜排加热。

关键词：半桥逆变器负输入端绝缘陶瓷基板正输入端芯片等效寄生电容共模干扰电流电感芯片上表面电流能力电气引脚封装结构缓冲电容面积减小内部空腔区域表面输出引脚绑定线水冷板下表面短路布线加热可用铜排引脚焊接相隔出线

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一种增益单元eDRAM单元、存储器及操作方法

一种增益单元eDRAM单元、存储器及操作方法

引用

作者：林殷茵孟超董存霖程宽马亚楠严冰解玉凤 200433 上海市邯郸路220号

本发明属于动态随机存储器技术领域，具体为一种增益单元eDRAM单元、存储器及其操作方法。本发明提供的增益单元eDRAM单元是在写MOS晶体管、读MOS晶体管、写字线、写位线、读字线、读位线、等效寄生电容的基础上，增加耦合互补MOS晶体... 详细信息

标准号: CN102081962A

本发明属于动态随机存储器技术领域，具体为一种增益单元eDRAM单元、存储器及其操作方法。本发明提供的增益单元eDRAM单元是在写MOS晶体管、读MOS晶体管、写字线、写位线、读字线、读位线、等效寄生电容的基础上，增加耦合互补MOS晶体管和接到固定电压的公共位线而获得，使该增益单元eDRAM单元具有数据保持时间长、刷新频率低的特点，由该增益单元eDRAM单元形成的存储器具有读取速度快、功耗低的特点。

关键词：增益单元位线存储器动态随机存储器等效寄生电容固定电压耦合互补MOS 功耗低晶体管字线写字刷新

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触控装置

触控装置

引用

作者：张绍雄张起豪郭晋玮中国台湾桃园县

一种触控装置，包含一触控单元、一检测单元及一补偿单元。触控单元具有一触控基板及至少一导电层，导电层设置于触控基板；检测单元与触控单元的导电层电性连接，且与一接地端之间具有一第一等效寄生电容，检测单元输出一驱动讯号至导... 详细信息

标准号: CN102486691A

一种触控装置，包含一触控单元、一检测单元及一补偿单元。触控单元具有一触控基板及至少一导电层，导电层设置于触控基板；检测单元与触控单元的导电层电性连接，且与一接地端之间具有一第一等效寄生电容，检测单元输出一驱动讯号至导电层；补偿单元分别与检测单元及触控单元的导电层电性连接，并输出一补偿讯号至第一等效寄生电容。因此，本发明的触控装置可消除寄生电容效应。

关键词：触控检测单元导电层等效寄生电容导电层电性触控装置补偿基板寄生电容效应驱动讯号接地讯号连接

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一种分段式大功率高频高压变压器及其分段绕制方法

一种分段式大功率高频高压变压器及其分段绕制方法

引用

作者：姬军鹏顾卓斌曾光张静刚杨波 710048 陕西省西安市金花南路5号

本发明公开了一种分段式大功率高频高压变压器，包括磁芯，磁芯的外部包裹有绝缘骨架，绝缘骨架上依次绕制有初级绕组和次级绕组，初级绕组和次级绕组之间绕制有绝缘层。本发明还公开了一种分段式高频高压变压器的分段绕制方法，在原有... 详细信息

标准号: CN106229123B

本发明公开了一种分段式大功率高频高压变压器，包括磁芯，磁芯的外部包裹有绝缘骨架，绝缘骨架上依次绕制有初级绕组和次级绕组，初级绕组和次级绕组之间绕制有绝缘层。本发明还公开了一种分段式高频高压变压器的分段绕制方法，在原有的初、次级绕组分层设计的基础上，进一步减小了初、次级绕组的层间电压，从而降低了初、次级绕组的层间的绝缘指标。另外，高频高压变压器的分段式绕制方法能够有效地降低初、次级绕组的等效寄生电容以及初、次级绕组间的等效寄生电容，从而减小了传导EMI噪声。同时，本发明还提出了一种高频高压变压器的分段数设计方案，有助于减小高频高压变压器的体积，以及减小变压器的漏感。

关键词：次级绕组高频高压变压器减小分段式绕制等效寄生电容初级绕组绝缘骨架磁芯绝缘层层间电压分层设计分段绕制绝缘指标分段数有效地原有的变压器层间传导漏感外部

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位线合并的增益单元eDRAM单元及存储器

位线合并的增益单元eDRAM单元及存储器

引用

作者：林殷茵薛晓勇 200433 上海市邯郸路220号

本发明属于动态随机存储器(DRAM)技术领域，具体为一种位线合并的增益单元eDRAM单元及存储器。本发明提供的增益单元eDRAM单元包括读MOS晶体管、写MOS晶体管、写字线、读字线、等效寄生电容以及一条位线，使用该条位线代替现有技术增益... 详细信息

标准号: CN101908370B

本发明属于动态随机存储器(DRAM)技术领域，具体为一种位线合并的增益单元eDRAM单元及存储器。本发明提供的增益单元eDRAM单元包括读MOS晶体管、写MOS晶体管、写字线、读字线、等效寄生电容以及一条位线，使用该条位线代替现有技术增益单元eDRAM单元的写位线和读位线，由于只包括一条位线，具有单元面积小的特点，并且在写位线和读位线合并后不影响增益单元eDRAM单元的存储特性。使用增益单元eDRAM单元的增益单元eDRAM具有存储密度相对高的特点。

关键词：位线增益单元动态随机存储器等效寄生电容存储密度存储特性单元面积存储器合并字线写字

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一种寄生效应低品质因子高的改进型开关电容结构

一种寄生效应低品质因子高的改进型开关电容结构

引用

作者：郭斌 410205 湖南省长沙市岳麓区麓景路2号长沙生产力促进中心

本发明公开了一种寄生效应低、品质因子高的改进型开关电容结构。相对于由一个NMOS管和一个电容实现的传统开关电容结构，本开关电容结构主要进行了如下改进：将NMOS管的栅极电压通过一个反相器和一个电阻连接到NMOS管的漏极，降低了开... 详细信息

标准号: CN102916686A

本发明公开了一种寄生效应低、品质因子高的改进型开关电容结构。相对于由一个NMOS管和一个电容实现的传统开关电容结构，本开关电容结构主要进行了如下改进：将NMOS管的栅极电压通过一个反相器和一个电阻连接到NMOS管的漏极，降低了开关管开启时的等效寄生电阻，减小了开关管关闭时的等效寄生电容，优化了NMOS开关管的开关特性。改进后的开关电容结构具有寄生效应低，品质因子高以及有效容差大的特性。

关键词：开关电容结构开关管寄生效应品质因子等效寄生电容传统开关电容结构寄生电阻开关特性栅极电压电容反相器电阻漏极连接优化

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增益单元eDRAM单元、存储器及其制备方法

增益单元eDRAM单元、存储器及其制备方法

引用

作者：林殷茵李慧 200433 上海市杨浦区邯郸路220号

本发明属于动态随机存储器（DRAM）技术领域，具体为一种增益单元eDRAM单元、存储器及其制备方法。该增益单元eDRAM单元包括读MOS晶体管、写MOS晶体管、写字线、写位线、读字线、读位线以及等效寄生电容，所述写MOS晶体管的漏端与读MOS... 详细信息

标准号: CN101853697B

本发明属于动态随机存储器（DRAM）技术领域，具体为一种增益单元eDRAM单元、存储器及其制备方法。该增益单元eDRAM单元包括读MOS晶体管、写MOS晶体管、写字线、写位线、读字线、读位线以及等效寄生电容，所述写MOS晶体管的漏端与读MOS晶体管的栅极电连接，写MOS晶体管的漏端的深度大于写MOS晶体管的源端的深度，设置写MOS晶体管的漏端掺杂浓度分布以减小漏端的PN结的漏电流。该增益单元eDRAM具有数据保持时间长的特点，由该增益单元eDRAM单元组成的存储器的刷新频率低、功耗小。

关键词：增益单元存储器位线动态随机存储器等效寄生电容掺杂浓度制备方法电连接漏电流功耗字线写字刷新大于

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转换增益可调的像素单元结构及其信号采集方法

转换增益可调的像素单元结构及其信号采集方法

引用

作者：任铮戚继鸣赵宇航李琛温建新 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号

本发明公开了一种像素单元结构，包括感光二极管和信号读取电路。所述信号读取电路包括传输管、复位管、源跟随器和变容二极管，所述传输管的漏极、所述源跟随器的栅极以及所述复位管的源极连接于悬浮节点；所述复位管的漏极连接复位电... 详细信息

标准号: CN105120186A

本发明公开了一种像素单元结构，包括感光二极管和信号读取电路。所述信号读取电路包括传输管、复位管、源跟随器和变容二极管，所述传输管的漏极、所述源跟随器的栅极以及所述复位管的源极连接于悬浮节点；所述复位管的漏极连接复位电压、其栅极连接第一控制信号；所述变容二极管的阴极与所述源跟随器的栅极相连、阳极连接第二控制信号，用于改变所述悬浮节点的等效寄生电容以调节所述光信号转换为电信号的转换增益。

关键词：源跟随器复位管变容二极管传输管悬浮阴极等效寄生电容第二控制信号第一控制信号像素单元结构信号读取电路感光二极管光信号转换读取电路复位电压漏极连接阳极连接源极连接栅极连接栅极相连转换增益和信号漏极一种改变公开

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功率因数校正装置、在该装置中使用的控制器和THD衰减器

功率因数校正装置、在该装置中使用的控制器和THD衰减器

引用

作者：谷文浩谭润钦 518057 广东省深圳市南山区科技园高新南一道国微大厦4楼

本发明涉及一种功率因数校正装置、在该功率因数校正装置中使用的控制器和THD衰减器。其中所述功率因数校正装置包括：转换器、与所述转换器连接以获取输入电压的控制器，所述控制器包括用于自动THD优化的THD衰减器。使用本发明的功率... 详细信息

标准号: CN101854116A

本发明涉及一种功率因数校正装置、在该功率因数校正装置中使用的控制器和THD衰减器。其中所述功率因数校正装置包括：转换器、与所述转换器连接以获取输入电压的控制器，所述控制器包括用于自动THD优化的THD衰减器。使用本发明的功率因数校正装置或在功率因数校正装置中使用本发明的控制器和THD衰减器，将使得整个功率因数校正装置具有内置THD优化功能，从而使得整个装置能够自动选择最适合的偏置电压以用于THD优化，而无需考虑电网电压、输出负载和功率管漏极等效寄生电容的电容值。

关键词：功率因数校正控制器衰减器转换器等效寄生电容电网电压偏置电压优化功能自动选择电容值功率管漏极内置电压优化连接

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一种MOS电容及电子设备

一种MOS电容及电子设备

引用

作者：姜俊敏姜一帆黄欣然刘寻 518055 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号

本发明公开了一种MOS电容及电子设备，属于电容技术领域。本发明的MOS电容包括P型衬底、形成于P型衬底中的深N阱、形成于深N‑阱中的第一N+扩散区、形成于深N‑阱中的P‑阱、形成于P‑阱中的第一P+扩散区，第一N+扩散区与预设的第一电阻的... 详细信息

标准号: CN114927579A

本发明公开了一种MOS电容及电子设备，属于电容技术领域。本发明的MOS电容包括P型衬底、形成于P型衬底中的深N阱、形成于深N‑阱中的第一N+扩散区、形成于深N‑阱中的P‑阱、形成于P‑阱中的第一P+扩散区，第一N+扩散区与预设的第一电阻的第一端连接，第一电阻的第二端与第一偏置电压相连，第一P+扩散区与预设的第二电阻的第一端连接，第二电阻的第二端与第二偏置电压相连，用于通过将深N‑阱与第一偏置电压相连、将P‑阱与第二偏置电压相连以降低MOS电容的等效寄生电容。这种MOS电容能够使得MOS电容的极板与地之间的寄生电容等效为三个电容串联，从而减小了寄生电容的等效电容值。

关键词：偏置电压扩散区电阻寄生电容第一端衬底预设等效寄生电容等效电容电容串联电容技术电子设备深N阱极板减小

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