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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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文献类型

36 篇 专利

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36 篇 电子文献
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机构

8 篇 复旦大学
3 篇 联合汽车电子有限...
2 篇 广东顺德中山大学...
2 篇 杭州煦达新能源科...
2 篇 辉芒微电子有限公...
2 篇 上海交通大学
2 篇 杭州中恒电气股份...
2 篇 思特威电子科技股...
2 篇 南京宏泰半导体科...
2 篇 佛山市顺德区中山...
2 篇 西安理工大学
2 篇 中山大学
1 篇 北京芯格诺微电子...
1 篇 国家电网有限公司
1 篇 上海宏力半导体制...
1 篇 长沙景嘉微电子股...
1 篇 上海郎素生物科技...
1 篇 上海集成电路研发...
1 篇 成都微光集电科技...
1 篇 北京北方华创微电...

作者

8 篇 林殷茵
4 篇 薛晓勇
3 篇 王向炜
3 篇 孙儒文
3 篇 范昊
2 篇 陈鹏
2 篇 包智杰
2 篇 谭润钦
2 篇 方能杰
2 篇 谷文浩
2 篇 姬军鹏
2 篇 孟超
2 篇 顾卓斌
2 篇 蒋家琛
2 篇 董存霖
2 篇 潘吉钊
2 篇 孙亚男
2 篇 赵自强
2 篇 叶涛
2 篇 李剑铎

语言

36 篇 中文

检索条件"主题词=等效寄生电容"

共 36 条记录，以下是31-40 订阅

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排序：

一种增益单元eDRAM单元、存储器及操作方法

一种增益单元eDRAM单元、存储器及操作方法

引用

作者：林殷茵孟超董存霖程宽马亚楠严冰解玉凤 200433 上海市邯郸路220号

本发明属于动态随机存储器技术领域，具体为一种增益单元eDRAM单元、存储器及其操作方法。本发明提供的增益单元eDRAM单元是在写MOS晶体管、读MOS晶体管、写字线、写位线、读字线、读位线、等效寄生电容的基础上，增加耦合互补MOS晶体... 详细信息

标准号: CN102081962B

本发明属于动态随机存储器技术领域，具体为一种增益单元eDRAM单元、存储器及其操作方法。本发明提供的增益单元eDRAM单元是在写MOS晶体管、读MOS晶体管、写字线、写位线、读字线、读位线、等效寄生电容的基础上，增加耦合互补MOS晶体管和接到固定电压的公共位线而获得，使该增益单元eDRAM单元具有数据保持时间长、刷新频率低的特点，由该增益单元eDRAM单元形成的存储器具有读取速度快、功耗低的特点。

关键词：增益单元位线存储器动态随机存储器等效寄生电容固定电压耦合互补MOS 功耗低晶体管字线写字刷新

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逆变器IGBT模块封装结构

逆变器IGBT模块封装结构

引用

作者：孙儒文王向炜范昊 201206 上海市浦东新区榕桥路555号

本发明公开了一种逆变器IGBT模块封装结构，半桥IGBT模块的正输入端及负输入端均在芯片下表面，可用缓冲电容分别与第一绝缘陶瓷基板表面的正、负输入端区域表面焊接，最大限度短路掉IGBT模块引脚电感；半桥IGBT模块的上半桥IGBT芯片的... 详细信息

标准号: CN104952859A

本发明公开了一种逆变器IGBT模块封装结构，半桥IGBT模块的正输入端及负输入端均在芯片下表面，可用缓冲电容分别与第一绝缘陶瓷基板表面的正、负输入端区域表面焊接，最大限度短路掉IGBT模块引脚电感；半桥IGBT模块的上半桥IGBT芯片的E极及下半桥IGBT芯片的C极均在芯片上表面，可以远离水冷板，从而降低等效寄生电容，减低对地共模干扰电流，能提高逆变器的EMC性能；各相半桥IGBT模块取消绑定线，提高了电流能力及寿命，可使芯片面积减小，降低逆变器成本；各相半桥IGBT模块的电气引脚直接焊接到绝缘陶瓷基板及芯片，各相半桥IGBT模块的正输入端、负输入端及相输出引脚相隔很近，使逆变器出线短，布线简单，内部空腔不易被铜排加热。

关键词：半桥逆变器负输入端绝缘陶瓷基板正输入端引脚等效寄生电容共模干扰电流电感芯片上表面芯片下表面电流能力电气引脚封装结构缓冲电容内部空腔区域表面芯片面积最大限度绑定线上半桥水冷板下半桥相输出直接焊短路减低布线加热减小可用铜排一种焊接相隔出线芯片远离公开

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一种快速确定高压条件下IGBT驱动电阻值的方法

一种快速确定高压条件下IGBT驱动电阻值的方法

引用

作者：丁辰李剑铎方能杰 310000 浙江省杭州市滨江区高新之江科技工业园东信大道69号中恒大厦4幢20楼2001室

本发明属于电力技术领域，涉及一种快速确定高压条件下IGBT驱动电阻值的方法，步骤包括：S1、确定充电电量；S2、计算等效寄生电容；S3、计算驱动电阻值。本方法可以利用驱动器固有的寄生电容和使用场合的设计电压的改变量快速地求出最... 详细信息

标准号: CN115166366A

本发明属于电力技术领域，涉及一种快速确定高压条件下IGBT驱动电阻值的方法，步骤包括：S1、确定充电电量；S2、计算等效寄生电容；S3、计算驱动电阻值。本方法可以利用驱动器固有的寄生电容和使用场合的设计电压的改变量快速地求出最优化的驱动电阻值，功率大部分并不损耗在驱动电阻上，又避免了尖峰电压击穿栅极，省去了大量硬件调试的过程，又避免高压场景下的焊接调测实验的炸机危险，节省了时间。

关键词：驱动电阻驱动器等效寄生电容电力技术领域充电电量高压条件寄生电容尖峰电压快速确定硬件调试改变量最优化击穿炸机焊接场景

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一种分段式大功率高频高压变压器及其分段绕制方法

一种分段式大功率高频高压变压器及其分段绕制方法

引用

作者：姬军鹏顾卓斌曾光张静刚杨波 710048 陕西省西安市金花南路5号

本发明公开了一种分段式大功率高频高压变压器，包括磁芯，磁芯的外部包裹有绝缘骨架，绝缘骨架上依次绕制有初级绕组和次级绕组，初级绕组和次级绕组之间绕制有绝缘层。本发明还公开了一种分段式高频高压变压器的分段绕制方法，在原有... 详细信息

标准号: CN106229123A

本发明公开了一种分段式大功率高频高压变压器，包括磁芯，磁芯的外部包裹有绝缘骨架，绝缘骨架上依次绕制有初级绕组和次级绕组，初级绕组和次级绕组之间绕制有绝缘层。本发明还公开了一种分段式高频高压变压器的分段绕制方法，在原有的初、次级绕组分层设计的基础上，进一步减小了初、次级绕组的层间电压，从而降低了初、次级绕组的层间的绝缘指标。另外，高频高压变压器的分段式绕制方法能够有效地降低初、次级绕组的等效寄生电容以及初、次级绕组间的等效寄生电容，从而减小了传导EMI噪声。同时，本发明还提出了一种高频高压变压器的分段数设计方案，有助于减小高频高压变压器的体积，以及减小变压器的漏感。

关键词：次级绕组高频高压变压器减小分段式绕制等效寄生电容初级绕组绝缘骨架磁芯绝缘层层间电压分层设计分段绕制绝缘指标分段数有效地原有的变压器层间传导漏感外部

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位线合并的增益单元eDRAM单元及存储器

位线合并的增益单元eDRAM单元及存储器

引用

作者：林殷茵薛晓勇 200433 上海市邯郸路220号

本发明属于动态随机存储器(DRAM)技术领域，具体为一种位线合并的增益单元eDRAM单元及存储器。本发明提供的增益单元eDRAM单元包括读MOS晶体管、写MOS晶体管、写字线、读字线、等效寄生电容以及一条位线，使用该条位线代替现有技术增益... 详细信息

标准号: CN101908370A

本发明属于动态随机存储器(DRAM)技术领域，具体为一种位线合并的增益单元eDRAM单元及存储器。本发明提供的增益单元eDRAM单元包括读MOS晶体管、写MOS晶体管、写字线、读字线、等效寄生电容以及一条位线，使用该条位线代替现有技术增益单元eDRAM单元的写位线和读位线，由于只包括一条位线，具有单元面积小的特点，并且在写位线和读位线合并后不影响增益单元eDRAM单元的存储特性。使用增益单元eDRAM单元的增益单元eDRAM具有存储密度相对高的特点。

关键词：位线增益单元动态随机存储器等效寄生电容存储密度存储特性单元面积存储器合并字线写字

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用于可编程逻辑器件的增益单元eDRAM

用于可编程逻辑器件的增益单元eDRAM

引用

作者：林殷茵薛晓勇 200433 上海市邯郸路220号

本发明属于嵌入式动态随机存储器技术领域，具体为一种用于可编程逻辑器件的增益单元eDRAM。本发明中的增益单元eDRAM，包括读MOS晶体管、写MOS晶体管、写字线、读字线、写位线、读位线以及等效寄生电容，所述等效寄生电容的存储电荷端... 详细信息

标准号: CN101908371B

本发明属于嵌入式动态随机存储器技术领域，具体为一种用于可编程逻辑器件的增益单元eDRAM。本发明中的增益单元eDRAM，包括读MOS晶体管、写MOS晶体管、写字线、读字线、写位线、读位线以及等效寄生电容，所述等效寄生电容的存储电荷端控制所述可编程逻辑器件的开关管，利用该增益单元eDRAM无破坏性读出或者破坏性读出较小的特点，在刷新操作过程中，进行读操作时，存储节点的电位不发生变化或者电位变化比较小，从而不会影响开关管的逻辑状态的变化。使用该增益单元eDRAM的可编程逻辑器件的芯片面积可以大大缩小。

关键词：增益单元可编程逻辑器件等效寄生电容位线动态随机存储器电位操作过程存储电荷存储节点电位变化逻辑状态芯片面积影响开关读操作开关管嵌入式字线写字刷新

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