检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2012年第15期61卷 361-368页

作者：黄永宪冷劲松田修波吕世雄李垚哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室哈尔滨150001 哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所哈尔滨150001

本文建立了绝缘材料等离子体浸没离子注入过程的动力学Panicle-in-cell(PIC)模型,将二次电子发射系数直接与离子注入即时能量建立关联,研究了非导电聚合物厚度、介电常数和二次电子发射系数对表面偏压电位的影响规律以及栅网诱导效应.... 详细信息

本文建立了绝缘材料等离子体浸没离子注入过程的动力学Panicle-in-cell(PIC)模型,将二次电子发射系数直接与离子注入即时能量建立关联,研究了非导电聚合物厚度、介电常数和二次电子发射系数对表面偏压电位的影响规律以及栅网诱导效应.研究结果表明:非导电聚合物较厚时,表面自偏压难以实现全方位离子注入,栅网诱导可以间接为非导电聚合物提供偏压,并抑制二次电子发射,为厚大非导电聚合物表面等离子体浸没离子注入提供了有效途径.

关键词：非导电聚合物二次电子发射等离子体浸没离子注入

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

等离子体浸没离子注入圆筒内表面的时空尺度

引用

核技术 2002年第9期25卷 709-713页

作者：田修波 D T K Kwok 童洪辉 Paul K Chu 香港城市大学

等离子体浸没离子注入与工件外表面的注入不同 ,存在空间和时间上的尺度。研究结果表明 ,由于内腔 ,如内筒的有限尺寸 ,使注入电压的利用率降低 ,同时使内部等离子体快速耗尽 ,对于特定的内筒 ,利用提高注入电压从而提高注入能量只能在... 详细信息

等离子体浸没离子注入与工件外表面的注入不同 ,存在空间和时间上的尺度。研究结果表明 ,由于内腔 ,如内筒的有限尺寸 ,使注入电压的利用率降低 ,同时使内部等离子体快速耗尽 ,对于特定的内筒 ,利用提高注入电压从而提高注入能量只能在一定的电压范围内实现。在典型的外表面注入工艺条件下 ,内表面离子的耗尽速度是惊人的。如在对于直径 2 0cm的圆筒在 30kV、2× 10 15ions/cm3的条件下 ,等离子体耗尽时间仅为 0 .5 5 μs ,这个时间甚至小于多数脉冲电源的上升沿时间。结果表明 ,内部等离子体源的硬件结构可能是一种有效的解决方法。

关键词：时空尺度等离子体浸没离子注入尺度效应圆筒内表面表面改性

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

等离子体浸没离子注入制备黑硅抗反射层及其光学特性研究

引用

物理学报 2012年第14期61卷 412-415页

作者：刘杰刘邦武夏洋李超波刘肃兰州大学物理科学与技术学院兰州730000 中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室北京100029

表面织构是一种有效降低表面反射率、提高硅基太阳能电池效率的方法.采用等离子体浸没离子注入的方法制备了黑硅抗反射层.分别通过原子力显微镜和紫外-可见-近红外分光光度计对黑硅样品表面形貌和反射率进行分析,结果发现黑硅样品表面... 详细信息

表面织构是一种有效降低表面反射率、提高硅基太阳能电池效率的方法.采用等离子体浸没离子注入的方法制备了黑硅抗反射层.分别通过原子力显微镜和紫外-可见-近红外分光光度计对黑硅样品表面形貌和反射率进行分析,结果发现黑硅样品表面布满了高度为0-550 nm的山峰状结构,结构层中硅体积分数和折射率随抗反射层厚度增加而连续降低.在:300—1000nm波段范围内,黑硅样品的加权平均反射率低至6.0%.通过传递矩阵方法对黑硅样品反射谱进行模拟,得到的反射谱与实测反射谱非常符合.

关键词：等离子体浸没离子注入折射率抗反射层黑硅

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

等离子体浸没离子注入对ITO的表面改性及功函数变化机理研究

等离子体浸没离子注入对ITO的表面改性及功函数变化机理研究

引用

作者：何龙复旦大学

学位级别：博士

氧化铟锡(ITO)作为一种n型透明导电氧化物(TCO),具有低电阻率、对可见光高透过率、宽禁带宽度等特性,一直是材料和电子领域的研究热点之一。现如今,ITO被广泛应用于太阳能电池、液晶显示器、光伏、和有机电致发光器件(OLED)等光电器件中... 详细信息

氧化铟锡(ITO)作为一种n型透明导电氧化物(TCO),具有低电阻率、对可见光高透过率、宽禁带宽度等特性,一直是材料和电子领域的研究热点之一。现如今,ITO被广泛应用于太阳能电池、液晶显示器、光伏、和有机电致发光器件(OLED)等光电器件中。OLED是一种能直接将电能转化为光的载流子注入型固体发光器件,与液晶显示器(LCD)、无机发光二极管(LED)和等离子体显示器(PDP)相比,OLED器件具有发光效率高、能耗低、全固态、制备工艺简单、超薄、能够实现柔性显示等诸多优点,被誉为下一代最理想和最具有市场潜力的平板显示器(FPD)技术。同时,由于OLED发光均匀、光线自然柔和、光谱色彩丰富、低压工作、抗冲击、无眩光、显色指数高等,也可制成新型的固态节能光源而在照明市场内显现出强大的竞争力。 ITO是OLED器件制备过程中最广泛使用的阳极材料,主要被用于注入空穴到与之接触的有机半导体材料中。ITO与邻近有机材料之间形成的界面性能的优劣将严重影响OLED器件的整体性能。通常情况下,实验室生长的ITO薄膜由于功函数相对较低和表面污染,导致直接制备的OLED器件总体性能较差。通过表面处理可提高ITO的功函数,降低空穴注入势垒,从而降低驱动电压、提高空穴注入效率,OLED器件总体效率有很大的改善。为此研究人员提出了各种方法处理ITO表面,其中,氧等离子体表面修饰作为一种有效的表面处理方法而被广泛研究,它能够普遍将ITO功函数提高0.4eV左右,可用于制备高效率的OLED。然而,OLED器件中ITO/有机界面处仍存在较大空穴注入势垒,如何进一步增加ITO功函数是摆在大家面前的一个难题；同时人们对表面氧化处理后功函数的改变机理认识尚不统一,各种解释之间存在较大争论；另外,经过氧等离子体处理后功函数表现出明显的时效性,即保存时间的增加功函数迅速降低甚至回到初始值,人们对此问题的认识和物理机制尚不明确。围绕上述问题,本论文提出使用等离子体浸没离子注入(Pill)技术对ITO薄膜进行表面改性。PⅢ是近年来随着半导体工艺发展而出现的新型表面改性技术,具有对三维物体处理能力强、处理效果持久等特点。在本论文工作中,作者通过自行设计搭建了一套普适性强的PⅢ系统,围绕ITO表面处理提高功函数及其机理解释这一主题,从实验和机理方面,深入系统地研究了PⅢ处理对ITO各表面性能的影响。 1.首次使用了pⅢ技术对商用ITO薄膜进行了表面处理,分别研究了工作气体种类、偏压大小、处理时间和脉冲宽度对ITO表面性能的影响,获得了最优化实验参数。研究中将PⅢ表面改性后的ITO薄膜和超声预处理、氧等离子体处理后的样品进行了对比。采用X射线光电子能谱仪(XPS)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外可见光分光光度计(UV-VIS)、四探针测量仪和开尔文探针等手段对ITO的各种表面性能进行了表征。结果表明：氧pⅢ技术能在不明显影响ITO薄膜的结晶取向、表面电阻、透过率和表面形貌的前提下,有效地清除其表面污染,增加氧含量,并大幅提高1TO的表面功函数,同时实验也证明了氧pⅢ对ITO进行表面处理是要比氧感应耦合等离子体(ICP)更为有效。 2.利用各次实验得到的优化参数对ITO进行了表面处理,实验结果发现：本底真空度为5×10-4Pa,氧气流量50sccm,等离子体放电气压4Pa,射频正向入射功率66w,脉宽10μs,脉冲频率1kHz,偏压大小-I kV,脉冲上升沿小于40ns时,通过XPS分析和开尔文探针直接测量,发现氧PⅢ处理后ITO的功函数能在原来的基础上(仅做超声预处理)提高1.1～1.2eV；然而,由氧ICP处理后的ITO功函数只能在原来基础上增加0.4～0.5eV。因此,本论文得出结论：使用氧PⅢ方法对ITO进行表面处理,其功函数能在氧等离子体处理的基础上进一步增加,使得ITO的功函数可达到与OLED中空穴传输材料的HOMO能级相匹配的地步。 3.通过观测到的PⅢ改性ITO极大地提高其表面功函数的现象,分析并提出了一种表面氧化处理ITO后引起功函数升高的理论解释。即ITO通过吸附处理氛围中的氧并占据其体系中的氧空位使其浓度降低,从而降低了ITO中的载流子浓度,导致费米能级降低,从而功函数增加。这种解释对实验发现的氧PⅢ更有效地提高ITO表面功函数能进行合理的解释。同时,为了验证这种解释的可靠性,进行了一次额外实验,通过选择具体优化后的PⅢ参数对ITO进行处理,发现实验结果和提出的理论解释符合得很好。 4.利用开尔文探针测量研究了经过氧ICP和PⅢ处理的ITO薄膜表面功函数的时效性。实验发现经过氧ICP和PⅢ处理的ITO薄膜在暴露空气中都发生了功函数随时间增加而快速降低的现象。经过氧ICP处理后ITO的表面功函数大约5天后回

关键词：等离子体浸没离子注入表面处理氧化铟锡透明导电薄膜表面功函数

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

等离子体浸没离子注入对AZO透明导电薄膜的功函数调控及其机理研究

等离子体浸没离子注入对AZO透明导电薄膜的功函数调控及其机理研究

引用

作者：李泽斌复旦大学

学位级别：博士

透明导电氧化物(TCO)薄膜由于在可见光区具有很高的透过率、在红外区具有很高的反射率、并且具有较低的电阻率等特性,因此被广泛的应用于太阳能电池、平板显示、电磁屏蔽和防静电膜、气敏传感器、红外隐身材料和有机电致发光器件(OLED)... 详细信息

透明导电氧化物(TCO)薄膜由于在可见光区具有很高的透过率、在红外区具有很高的反射率、并且具有较低的电阻率等特性,因此被广泛的应用于太阳能电池、平板显示、电磁屏蔽和防静电膜、气敏传感器、红外隐身材料和有机电致发光器件(OLED)等领域。在目前各种透明导电氧化物薄膜中,ITO的应用最为广泛,这是因为ITO具有较低的电阻率、较高的可见光透过率、较高的功函数。然而ITO薄膜在还原气氛或等离子体条件下,稳定性较差,薄膜中会有金属In析出,且当温度大于700 K时,ITO薄膜会出现性能退化现象,这主要是由于In向衬底的扩散引起的,比如将ITO用作OLED阳极时,就存在In向有机层扩散,使OLED器件光电性能劣化的问题。另外由于In属于稀有金属,据估计地壳中的In的含量仅为0.1 ppm,也将面临枯竭的问题,ITO的成本将越来越高,而液晶显示和太阳能电池,尤其是OLED器件等行业均需要大量的TCO材料,因此寻求新的TCO材料替代ITO已成为近年来TCO研究的热点。在诸多ITO的替代者中,ZnO及其掺杂体系被广泛的研究,包括掺Al、Ga、In、Zr、B和稀土元素掺杂的ZnO薄膜都有报道,其中掺铝氧化锌(AZO)薄膜由于光电性能优异,且具有原材料丰富、绿色环保、成本低等显著优点,被认为是ITO最理想的替代者之一。然而AZO的功函数仅为4.5 eV左右,与有机材料的HOMO能级(如NPB,5.7 eV)的失配度大,因此将AZO作为阳极材料应用于OLED时,需要将其表面功函数提高到与有机层HOMO能级相当的水平。目前AZO表面功函数调控的研究报道比较少,但AZO与ITO性质相似,ITO表面功函数调控的理论和方法同样适用于AZO。氧等离子体处理被认为是ITO表面处理中一种常用且最有效的方法,其可将功函数提高0.6 eV,但空穴注入势垒仍然较大；而且人们对于功函数变化机理的认识仍存在很多争议；以及氧等离子体处理后功函数的时效性等问题的物理机制尚不明确。针对上述问题,本论文开展了采用等离子体浸没离子注入(plasma immersion ion implantation, PⅢ)技术对AZO透明导电薄膜进行表面功函数调控的研究。利用开尔文探针、XPS、XRD、AFM、四探针测试仪和紫外可见分光光度计等分析手段对PⅢ改性后的AZO薄膜的表面功函数、表而化学成分、晶体结构、表面形貌和光电性质进行了表征。从实验和机理两方面对功函数的变化进行了分析和研究。主要的研究内容和结果如下：(1)首次提出采用PⅢ技术对AZO薄膜进行表面功函数调控的研究,系统的研究了不同的工作气体种类、偏压大小、处理时间和脉冲宽度对AZO表面性能的影响,对氧PⅢ处理、氧ICP处理和参考样品的性质进行了对比研究。利用上面提到的各种表面分析手段对氧PⅢ和氧ICP处理的样品进行表征后,我们发现氧PⅢ在大幅提高AZO薄膜表面功函数的同时并未对薄膜的晶体结构、表而形貌、电光学性质造成明显的影响。(2)在对实验进行多次优化后获得了最佳的PⅢ改性效果。实验结果表明：采用氧气作为工作气体,在本底真空1.0x10-3Pa,气体流量50 sccm,工作气压4.0 Pa,射频功率88 W,偏压源电压-500 V,脉冲频率1 kHz,脉宽10μs,处理时长30分钟的实验条件下,PⅢ的改性效果最好,AZO的功函数相比参考样品最大可被提高1.1 eV,其功函数值已经足以和有机材料的HOMO能级很好的匹配。而氧ICP处理的仅增加了0.6 eV,说明氧PⅢ可在氧ICP处理的基础上将功函数再提高0.5 eV,而且我们发现所有经过氧PⅢ的样品的功函数都比氧ICP处理的要高,因此证实氧PⅢ是比氧ICP更有效的提高AZO表面功函数的处理方式。(3)对于经过氧ICP和氧PⅢ处理后AZO功函数提高的现象,我们在前人的基础上并通过具体的实验和理论研究,对其提高的机理进行分析并提出了自己的理论解释。我们认为功函数提高的根本原因是表面污染的清除和氧空位的减少,其中氧空位的减少是主要原因。氧ICP和氧PⅢ处理均能有效的清除AZO表面的污染,增加表面的氧含量,表面氧含量的增加使得氧空位减少,导致表面载流子浓度降低引起费米能级的下降,继而功函数提高。而氧PⅢ由于处理的深度比氧ICP更深一些,不是单纯的表面被动吸附,而是主动的将氧原子注入到AZO表层几个到十几个原子层的深度,所以注入的氧的量更多,更能有效的减少氧空位,且注入的氧原子受到晶格的束缚很难逸出,因此氧PⅢ比氧ICP处理更有效且处理效果保持的更持久。因此我们就可以通过对AZO表面氧空位的多少进行调控从而实现对AZO薄膜表面功函数的调控,同时这个理论也可对现有所有实验现象和理论进行合理的解释。(4)通过对处理后功函数的衰退现象进行实验研究和机理分析,我们发现处理后功函数的时效性是由于表面

关键词：等离子体浸没离子注入 AZO透明导电薄膜表面功函数功函数调控

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

等离子体浸没离子注入球形靶的鞘层尺度

引用

真空科学与技术 2001年第2期21卷 99-104页

作者：田修波 Paul K.Chu 香港城市大学物理及材料科学系

对于等离子体浸没离子注入 (PIII)技术 ,球形靶鞘层尺度预测对真空室设计、批量处理研究等是十分有用的。但由于球形靶鞘层Child Langmuir定律数学表达的非线性使得工程应用较为困难。本文对球形靶的鞘层尺度进行了数值求解、讨论了注... 详细信息

对于等离子体浸没离子注入 (PIII)技术 ,球形靶鞘层尺度预测对真空室设计、批量处理研究等是十分有用的。但由于球形靶鞘层Child Langmuir定律数学表达的非线性使得工程应用较为困难。本文对球形靶的鞘层尺度进行了数值求解、讨论了注入参数对鞘层尺度的影响。计算结果表明 ,鞘层厚度 (包括离子阵鞘层和稳态鞘层 )随球体半径或注入电压增加而增加 ,随等离子体密度增加而减小。但对于不同的参数区间 ,鞘层特性对参数的变化表现出不同的敏感性。当等离子体密度较高、注入电压较低时 ,稳态鞘层厚度对于靶体半径的变化极不敏感。相反鞘层厚度对靶体大小变化较为敏感。虽然平面靶与球形靶的离子阵鞘层尺度比值与等离子体密度及球体半径有关 ,但平面靶稳态鞘层尺度总是大于球形靶的。这对于实际的PIII应用具有重要的指导意义。

关键词：等离子体浸没离子注入球形靶鞘层尺度金属表面处理

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

等离子体浸没离子注入系统研制及其相关物理研究

等离子体浸没离子注入系统研制及其相关物理研究

引用

作者：徐旭复旦大学

学位级别：博士

等离子体浸没离子注入克服了视线限制,具有注入效率高、对三维物体处理能力强、与等离子体工艺兼容的特点,在金属材料、化工材料的表面处理和微电子材料的制备等方面有着广阔的应用,本论文工作以作者为主独立研制了一套适用于微电子材... 详细信息

等离子体浸没离子注入克服了视线限制,具有注入效率高、对三维物体处理能力强、与等离子体工艺兼容的特点,在金属材料、化工材料的表面处理和微电子材料的制备等方面有着广阔的应用,本论文工作以作者为主独立研制了一套适用于微电子材料处理的等离子体浸没离子注入装置系统,系统采用顶部电感耦合等离子体源和固态开关电路的快上升沿高压脉冲电源。我们以该装置系统为实验平台研究了等离子体浸没离子注入的相关物理过程并在平台上进行微电子材料注入实验。本文提出拱形变气隙射频天线设计方法,通过有意识优化天线的电感耦合和电容耦合作用效果,实现射频电感耦合等离子体密度径向均匀性的提高和电子温度的降低,在源头上提高等离子体浸没离子注入的均匀性。经过模拟计算和理论分析,上述实验现象被认为是拱形天线产生的电磁场分布较为均匀和电容耦合作用被抑制的结果。本文为等离子体浸没离子注入寻找新的等离子体源——表面波等离子体,该等离子体源满足高密度、大面积、均匀的要求。我们设计三明治型环状狭缝天线提高表面波等离子体的均匀性,研究表面波通过环形波导狭缝天线在等离子体和介质的界面上所产生的等离子体激元,从驻波角度解释等离子体激元的发光方式,将表面波等离子体应用于等离子体浸没离子注入实验。本文分析了等离子体浸没离子注入各特征时间阶段的鞘层性质,研究了负脉冲高压的电学参数对鞘层外等离子体的影响,实验发现鞘层外等离子体密度随高压频率的增加和脉宽的加大而变大,对电压的变化不敏感。我们使用电子电离截面和二次电子发射系数随入射离子能量的关系来解释上述实验结果。本文在等离子体浸没离子注入平台上进行微电子材料实验,实验中发现经过等离子体浸没离子注入处理后的多孔硅发光光谱有蓝移现象,根据X光电子能谱仪检测的结果发现样品表面形成了Si-NxOy相,这一物相出现导致了光谱的蓝移;发现经过等离子体浸没离子注入并退火后的n型znO薄膜的电子迁移率和电子载流子浓度大幅下降,为通过等离子体浸没离子注入实现p型ZnO薄膜做出前期摸索性工作。

关键词：等离子体浸没离子注入电感耦合等离子体表面波等离子体等离子体激元等离子体鞘层微电子材料

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

等离子体浸没离子注入技术在FinFET掺杂中的应用

引用

半导体技术 2014年第8期39卷 596-599,604页

作者：邹志超李超波罗军夏洋中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室北京100029

基于传统的束线离子注入在对FinFET器件进行保形注入时面临的巨大挑战,介绍一种新的适用于FinFET器件的掺杂技术,即等离子体浸没离子注入技术。总结了与束线离子注入技术相比,等离子体浸没离子注入技术在对FinFET进行掺杂时的优点。利... 详细信息

基于传统的束线离子注入在对FinFET器件进行保形注入时面临的巨大挑战,介绍一种新的适用于FinFET器件的掺杂技术,即等离子体浸没离子注入技术。总结了与束线离子注入技术相比,等离子体浸没离子注入技术在对FinFET进行掺杂时的优点。利用自行设计并搭建的等离子体浸没超低能离子注入机分别对平面单晶硅和鳍状结构进行离子注入,并对鳍状结构进行快速退火。利用二次离子质谱(SIMS)测量了平面单晶硅的注入结深,通过透射电子显微镜(TEM)测试了退火前后鳍状结构的晶格损伤及修复状况,结果显示,利用等离子体浸没离子注入技术可以对鳍状结构进行有效的掺杂,而且对注入后的样片进行快速退火后,晶格损伤得到良好的修复。

关键词：等离子体浸没离子注入束线离子注入鞘层 FinFET 保形注入

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

等离子体浸没离子注入技术与设备研究

引用

半导体技术 2010年第7期35卷 626-629页

作者：刘杰汪明刚杨威风李超波夏洋中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室北京100029 兰州大学物理科学与技术学院兰州730000

基于传统束线离子注入在制造器件源漏超浅结时面临的挑战,介绍了一种新的超浅结的制造方法——等离子体浸没离子注入技术,总结了该技术在制造超浅结时的优点,阐述了放电方式、线圈结构、偏压电源等系统核心部件的设计,自行设计并搭建了... 详细信息

基于传统束线离子注入在制造器件源漏超浅结时面临的挑战,介绍了一种新的超浅结的制造方法——等离子体浸没离子注入技术,总结了该技术在制造超浅结时的优点,阐述了放电方式、线圈结构、偏压电源等系统核心部件的设计,自行设计并搭建了等离子体浸没离子注入系统。采用ESPion高级朗缪尔探针测试和计算流体力学模拟方法对比研究了等离子体的特性,结果显示,在一定功率范围内等离子体密度随放电功率增加类似线性地增加;采用二次离子质谱仪对B和P的注入样片进行深度剖析,给出了偏压为-500V时B和P的注入深度分布曲线,表明注入时间既影响注入剂量,又影响峰值的位置和注入深度。

关键词：等离子体浸没离子注入超浅结感应耦合线圈结构脉冲偏压电源

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

介质靶表面的充电效应对等离子体浸没离子注入过程中鞘层特性的影响

引用

物理学报 2004年第8期53卷 2666-2669页

作者：李雪春王友年大连理工大学物理系

针对等离子体浸没离子注入技术在绝缘体表面制备硅薄膜工艺 ,采用一维脉冲鞘层模型描述介质靶表面的充电效应对鞘层厚度、注入剂量及靶表面电位等物理量的影响 .数值模拟结果表明 :随着等离子体密度的增高 ,表面的充电效应将导致鞘层厚... 详细信息

针对等离子体浸没离子注入技术在绝缘体表面制备硅薄膜工艺 ,采用一维脉冲鞘层模型描述介质靶表面的充电效应对鞘层厚度、注入剂量及靶表面电位等物理量的影响 .数值模拟结果表明 :随着等离子体密度的增高 ,表面的充电效应将导致鞘层厚度变薄、表面电位下降以及注入剂量增加。

关键词：等离子体浸没离子注入脉冲鞘层绝缘介质充电效应硅薄膜注入剂量

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：