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轴承部件的等离子体浸没离子注入批量处理技术研究
轴承部件的等离子体浸没离子注入批量处理技术研究
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全国特种连接技术交流会
作者： 王小峰 王浪平 汤宝寅 王宇航 甘孔银 于永皓 刘洪喜 哈尔滨工业大学现代焊接生产技术国家重点实验室
采用高压慢速旋转靶台使滚珠和轴承内外套圈绕其中心慢速旋转,然后采用金属等离子体浸没离子注入技术,实现轴承滚珠和内外套圈的全方位离子注入批量处理.处理后的轴承部件表面不存在任何盲点,表面颜色均匀,均匀性比一般离子注入技术大... 详细信息
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利用等离子体浸没离子注入技术对AZO薄膜表面改性的研究
利用等离子体浸没离子注入技术对AZO薄膜表面改性的研究
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第十六届全国等离子体科学技术会议暨第一届全国等离子体医学研讨会
作者： 李泽斌 吴忠航 居家奇 何孔多 区琼荣 梁荣庆 复旦大学 光源与照明工程系 复旦大学 先进照明技术教育部工程研究中心
利用等离子体浸没离子注入技术(PⅢ)对AZO薄膜进行表面改性,然后用X射线光电子衍射仪(XPS)和开尔文探针(KP-Probe)对结果进行了表征。结果发现,AZO薄膜表面的氧元素含量经过处理后显著提高,而碳含量明显减少;AZO薄膜的表面功函数最高可... 详细信息
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一种等离子体浸没离子注入系统
一种等离子体浸没离子注入系统
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作者： 李超波 刘杰 汪明刚 夏洋 罗威 罗小晨 李勇滔 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
本实用新型涉及半导体处理技术和设备领域，具体其涉及一种等离子体浸没离子注入系统，包括离子注入腔室、电源部分、注入电极部分和真空部分，还包括掺杂源腔室和隔板；所述掺杂源腔室和所述离子注入腔室通过隔板相连。本实用新型提既... 详细信息
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2Cr13钢表面钛沉积层等离子体浸没离子注入
2Cr13钢表面钛沉积层等离子体浸没离子注入
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第十次全国焊接会议
作者： 王小峰 汤宝寅 杨培 哈尔滨工业大学现代焊接生产技术国家重点实验室 哈尔滨工业大学现代焊接生产技术国家重点实验室 哈尔滨工业大学现代焊接生产技术国家重点实验室
采用等离子体浸没离子注入（PⅢ）技术对油田注聚泵柱塞材料2Cr13钢样品表面钛沉积层进行强化处理。X射线光电子能谱分析表明2Cr13钢改性层中已形成了大量的TiN相;利用球-盘摩擦磨损试验机测试了表面改性层的摩擦磨损性能;结果表明:Ti+... 详细信息
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乙炔等离子体浸没离子注入医用聚氨酯材料的表面改性
乙炔等离子体浸没离子注入医用聚氨酯材料的表面改性
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第四届中国功能材料及其应用学术会议
作者： 王进 孙鸿 杨萍 陈俊英 冷永祥 万国江 杨子彬 黄楠 西南交通大学材料科学与工程系 中国医学科学院基础医学研究所
采用等离子体浸没离子注入技术(PIII),用乙炔对医用聚氨酯材料进行表面改性,对改性后材料表面的X光电子能谱(XPS)、衰减全反射红外光谱(ATR-FTIR)和接触角测试分析表明,医用聚氨酯材料表面的化学键发生断裂,碳元素含量增加,形成新的无... 详细信息
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具有腔室处理与处理层等离子体放电以释放晶片的等离子体浸没离子注入工艺
具有腔室处理与处理层等离子体放电以释放晶片的等离子体浸没离子...
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作者： 麦诺基·韦列卡 卡提克·桑瑟南姆 扬·B·塔 马丁·A·希尔金 马修·D·斯科特奈伊卡斯尔 坎芬·莱 彼得·I·波尔什涅夫 马耶德·A·福阿德 美国加利福尼亚州
在等离子体浸没离子注入工艺中，在不会因为增加处理层的厚度而损失晶片夹钳静电力的情况下，增加注入前腔室处理层的厚度，以允许在不用更换处理层的情况下进行一连串晶片的注入。可通过先以等离子体放电来除掉厚处理层的残留静电荷来... 详细信息
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一种等离子体浸没离子注入系统
一种等离子体浸没离子注入系统
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作者： 赵丽莉 邹志超 窦伟 李超波 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所
本发明公开了一种等离子体浸没离子注入系统，包括：离子注入腔室、进气口、出气口、基片台、射频电源、脉冲电源；其中，所述等离子体浸没离子注入系统还包括：注入源，所述注入源与所述进气口连接，用于给所述离子注入腔室注入金属气... 详细信息
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一种等离子体浸没离子注入系统
一种等离子体浸没离子注入系统
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作者： 李超波 刘杰 汪明刚 夏洋 罗威 罗小晨 李勇滔 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
本发明涉及半导体处理技术和设备领域，具体其涉及一种等离子体浸没离子注入系统，包括离子注入腔室、电源部分、注入电极部分和真空部分，还包括掺杂源腔室和隔板；所述掺杂源腔室和所述离子注入腔室通过隔板相连。本发明提既提高了掺... 详细信息
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利用等离子体浸没离子注入制备黑硅的方法
利用等离子体浸没离子注入制备黑硅的方法
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作者： 夏洋 刘邦武 李超波 刘杰 汪明刚 李勇滔 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
本发明公开了一种利用等离子体浸没离子注入制备黑硅的方法，所述方法包括：将硅片放置于黑硅制备装置的注入腔室内；调整黑硅制备装置的工艺参数进入预先设置的数值范围；黑硅制备装置产生等离子体，等离子体中的反应离子注入至硅片内... 详细信息
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利用等离子体浸没离子注入技术制备p型ZnO薄膜的方法
利用等离子体浸没离子注入技术制备p型ZnO薄膜的方法
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作者： 李泽斌 区琼荣 何龙 吴忠航 梁荣庆 200433 上海市杨浦区邯郸路220号
本发明属于半导体发光材料制备技术领域，具体为一种利用等离子体浸没离子注入技术制备p型ZnO薄膜的方法。本发明是采用等离子体浸没离子注入技术辅以N-Al共掺的方法，将二者的优势结合起来，制备出性能优异的p型ZnO薄膜：一方面等离子... 详细信息
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