检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2017年第4期66卷 247-253页

作者：封波邓彪刘乐功李增成冯美鑫赵汉民孙钱南昌大学、国家硅基LED工程技术研究中心南昌330047 晶能光电(江西)有限公司南昌330029 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、中科院纳米器件与应用重点实验室苏州215123

硅衬底GaN基发光二极管(LED)的内置n型欧姆接触在晶圆键合时的高温过程中常常退化,严重影响LED的工作电压等器件性能.本文深入研究了内置n电极蒸镀前对n-GaN表面的等离子体处理工艺对硅衬底GaN基发光二极管n型欧姆接触特性的影响.实验... 详细信息

硅衬底GaN基发光二极管(LED)的内置n型欧姆接触在晶圆键合时的高温过程中常常退化,严重影响LED的工作电压等器件性能.本文深入研究了内置n电极蒸镀前对n-GaN表面的等离子体处理工艺对硅衬底GaN基发光二极管n型欧姆接触特性的影响.实验结果表明,1.1 mm×1.1 mm的LED芯片在350 m A电流下,n-GaN表面未做等离子体处理时,n电极为高反射率Cr/Al的芯片正向电压为3.43 V,比n电极为Cr的芯片正向电压高0.28 V.n-GaN表面经O2等离子体表面处理后,Cr/Al和Cr电极芯片的正向电压均有所降低,但Cr/Al电极芯片的正向电压仍比Cr电极芯片高0.14 V.n-GaN表面经Ar等离子体处理后,Cr/Al电极芯片正向电压降至Cr电极芯片的正向电压,均为2.92 V.利用X射线光电子能谱对Ar等离子体处理前后的n-GaN表面进行分析发现,Ar等离子体处理增加了n-GaN表面的N空位(施主)浓度,更多的N空位可以提高n型欧姆接触的热稳定性,缓解晶圆键合的高温过程对n型欧姆接触特性的破坏.同时还发现,经过Ar等离子体处理并用HCl清洗后,n-GaN表面的O原子含量略有增加,但其存在形式由以介电材料GaO_x为主转变为导电材料GaO_xN_(1-x)和介电材料GaO_x含量相当的状态,这会使得接触电阻进一步降低.上述两方面的变化均有利于降低LED芯片的正向电压.

关键词：氮化镓发光二极管等离子体表面处理 n型欧姆接触

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等离子体表面处理的云母带的制造方法

等离子体表面处理的云母带的制造方法

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作者：朱艾成朱浩刘发喜郭振报崔拥方 212323 江苏省镇江市丹阳市界牌镇南大街9号

一种等离子体表面处理云母带的制造方法，包括以下步骤：1）云母带补强材料等离子体处理；2）浸胶；3）复合；4）烘焙；5）冷却制成胚料；6）分切收卷；本发明省能源、无公害、节能环保；处理的时间短、效率高；对材料表面的处理仅涉及... 详细信息

标准号: CN102254653B

一种等离子体表面处理云母带的制造方法，包括以下步骤：1）云母带补强材料等离子体处理；2）浸胶；3）复合；4）烘焙；5）冷却制成胚料；6）分切收卷；本发明省能源、无公害、节能环保；处理的时间短、效率高；对材料表面的处理仅涉及几到几百纳米，可明显改善材料表面性能而不影响基体性能。可以推广到各种层压材料、柔软复合材料等绝缘材料的制造。

关键词：云母带等离子体表面处理材料等离子体层压材料节能环保绝缘材料影响基体复合材料补强分切烘焙胚料收卷冷却无公害复合能源

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等离子体表面处理的云母带的制造方法

等离子体表面处理的云母带的制造方法

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作者：朱艾成朱浩刘发喜郭振报崔拥方 212323 江苏省镇江市丹阳市界牌镇南大街9号

一种等离子体表面处理云母带的制造方法，包括以下步骤：1)云母带补强材料等离子体处理；2)浸胶；3)复合；4)烘焙；5)冷却制成胚料；6)分切收卷；本发明，省能源、无公害、节能环保；处理的时间短、效率高；对材料表面的处理仅涉及几到... 详细信息

标准号: CN102254653A

一种等离子体表面处理云母带的制造方法，包括以下步骤：1)云母带补强材料等离子体处理；2)浸胶；3)复合；4)烘焙；5)冷却制成胚料；6)分切收卷；本发明，省能源、无公害、节能环保；处理的时间短、效率高；对材料表面的处理仅涉及几到几百纳米，可明显改善材料表面性能而不影响基体性能。可以推广到各种层压材料、柔软复合材料等绝缘材料的制造。

关键词：云母带等离子体表面处理材料等离子体层压材料节能环保绝缘材料影响基体复合材料补强分切烘焙胚料收卷冷却无公害复合能源

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等离子体表面处理设备及方法

等离子体表面处理设备及方法

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作者：万良淏徐龙万京林 211178 江苏省南京市江宁区滨江开发区颐年路7号

本发明公开了一种等离子体表面处理设备及方法，所述等离子体表面处理设备，包括工装组件，其特征在于，设有吸附系统：所述工装组件包括工装块，工装块顶面用于放置待处理的产品工件，在被产品工件覆盖的位置，工装块上设有至少一个吸... 详细信息

标准号: CN111161994A

本发明公开了一种等离子体表面处理设备及方法，所述等离子体表面处理设备，包括工装组件，其特征在于，设有吸附系统：所述工装组件包括工装块，工装块顶面用于放置待处理的产品工件，在被产品工件覆盖的位置，工装块上设有至少一个吸附孔；所述吸附系统包括吸附风机，工装块上的吸附孔通过气路与吸附风机连接，设备工作时，通过吸附风机将产品工件吸附在工装块上。本发明等离子体表面处理设备及方法，可有效避免了工件产品被射流等离子体吹移动的现象，极大的提高生产的稳定性、该工序处理结果的达标率和整个生产线的产品合格率。同时，本发明还具有对产品种类的适用范围广，改造成本低的优点，适合推广使用。

关键词：工装等离子体表面处理产品工件吸附风机工装组件吸附系统吸附孔射流等离子体产品合格率工件产品工序处理顶面气路吸附达标移动覆盖改造生产

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等离子体表面处理清洗对有机光伏电池表面有何作用?

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表面工程与再制造 2020年第6期20卷 55-56页

作者：诚峰智造腾灿丝网TC

铟锡氧化物(ITO)作为一种重要的透明半导体材料,不仅具有稳定的化学性质,而且具有优良的透光性和导电能力,因此在光电子工业中得到了非常广泛的应用。ITO的导带主要由In和Sn的5s轨道组成,而价带则是氧的2 p轨道占主导地位,氧空位及Sn取... 详细信息

铟锡氧化物(ITO)作为一种重要的透明半导体材料,不仅具有稳定的化学性质,而且具有优良的透光性和导电能力,因此在光电子工业中得到了非常广泛的应用。ITO的导带主要由In和Sn的5s轨道组成,而价带则是氧的2 p轨道占主导地位,氧空位及Sn取代掺杂原子构成施主能级并影响导带中的载流子浓度,ITO由于沉积过程中在薄膜中产生氧空位和Sn掺杂取代而形成高度简并的n型半导体,其费米能级Er位于导带底Ec之上,从而具有很高的载流子浓度和较低的电阻率。

关键词：载流子浓度半导体材料施主能级有机光伏电池导带底等离子体表面处理费米能级原子构成

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等离子体表面处理在钢/EPDM绝热层粘接中的应用

等离子体表面处理在钢/EPDM绝热层粘接中的应用

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中国航天第三专业信息网第三十八届技术交流会暨第二届空天动力联合会议

作者：沈兆宏蔡红军王旭波黄洪勇沈伟民上海航天动力技术研究所空军驻杭州地区军事代表室

采用等离子体对壳体钢进行表面改性,通过接触角测量、表面能测试笔等分析测试方法研究了等离子体处理前后钢表面润湿性、表面能的变化及钢片材放置时间对表面性质、钢/EPDM绝热层粘接的影响。研究结果表明,钢经等离子体处理后亲水性显... 详细信息

采用等离子体对壳体钢进行表面改性,通过接触角测量、表面能测试笔等分析测试方法研究了等离子体处理前后钢表面润湿性、表面能的变化及钢片材放置时间对表面性质、钢/EPDM绝热层粘接的影响。研究结果表明,钢经等离子体处理后亲水性显著提高,亲水性受处理功率、时间、距离及次数的影响,影响作用的大小依次为功率、距离、时间和次数。粘接性能与表面能有对应关系,表面能的提高有利于粘接性能的提高。等离子体处理后的试样在空气中放置时亲水性会出现老化效应。放置23h后,粘接试件由2.43MPa下降至1.14MPa。

关键词：绝热层等离子体处理钢表面亲水性等离子体表面处理

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等离子体表面处理设备

等离子体表面处理设备

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作者：万良淏徐龙万京林 211178 江苏省南京市江宁区滨江开发区颐年路7号

本实用新型公开了一种等离子体表面处理设备，所述等离子体表面处理设备，包括工装组件，其特征在于，设有吸附系统：所述工装组件包括工装块，工装块顶面用于放置待处理的产品工件，在被产品工件覆盖的位置，工装块上设有至少一个吸附... 详细信息

标准号: CN211238156U

本实用新型公开了一种等离子体表面处理设备，所述等离子体表面处理设备，包括工装组件，其特征在于，设有吸附系统：所述工装组件包括工装块，工装块顶面用于放置待处理的产品工件，在被产品工件覆盖的位置，工装块上设有至少一个吸附孔；所述吸附系统包括吸附风机，工装块上的吸附孔通过气路与吸附风机连接，设备工作时，通过吸附风机将产品工件吸附在工装块上。本实用新型等离子体表面处理设备，有效避免了工件产品被射流等离子体吹移动的现象，极大的提高生产的稳定性、该工序处理结果的达标率和整个生产线的产品合格率。同时，本实用新型还具有对产品种类的适用范围广，改造成本低的优点，适合推广使用。

关键词：工装等离子体表面处理本实用新型产品工件吸附风机工装组件吸附系统吸附孔射流等离子体产品合格率工件产品工序处理顶面气路吸附达标移动覆盖改造生产

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等离子体表面处理方法及装置

等离子体表面处理方法及装置

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作者：吴海英中国香港九龙观塘成业街27号日昇中心308室

本发明提供一种等离子体表面处理装置及处理方法，该装置包括箱体、与箱体连接的抽真空系统和反应气体室，该箱体内设有等离子源电极电板，该等离子源电极电板与高频高压电源连接。本发明还提供一种等离子体表面处理方法，其包括步骤：... 详细信息

标准号: CN102560439A

本发明提供一种等离子体表面处理装置及处理方法，该装置包括箱体、与箱体连接的抽真空系统和反应气体室，该箱体内设有等离子源电极电板，该等离子源电极电板与高频高压电源连接。本发明还提供一种等离子体表面处理方法，其包括步骤：将工件置于箱体内并密闭箱体；抽真空系统对箱体进行抽真空处理；从反应气体室向箱体内加入反应气体；高频高压电源输出高压电，使等离子源电极电板激发等离子体，令到反应气体被电离激发，轰击工件表面粒子而形成表面自由基。采用本发明进行工件等离子体表面处理，所利用的条件和工作元素都是环保无害的，无有害废气废液排出，符合绿色环保的生产原则。

关键词：反应气体等离子体表面处理等离子源电极电板高频高压电源抽真空系统等离子体装置及处理方法高压电电离激发工件表面工作元素绿色环保密闭箱体有害废气抽真空自由基连接废液粒子环保

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等离子体表面处理的方法以及实现该方法的设备

等离子体表面处理的方法以及实现该方法的设备

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作者：帕维尔·库里克米克海尔·萨姆索诺夫亚历山大·切列帕诺夫叶夫根尼·彼得罗夫瑞士锡永

本发明涉及一种等离子体表面处理方法，用于待处理对象或粒子的表面，包括制造等离子体，将等离子体应用到待处理表面，本发明方法的特征在于待处理表面被激励或者等离子体被声频地振动，使得待处理表面和等离子体之间产生相对波动。

标准号: CN100437883C

关键词：等离子体处理表面等离子体表面处理等离子体应用声频处理对象相对波动振动粒子

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等离子体表面处理设备和等离子体设备腔体结构

等离子体表面处理设备和等离子体设备腔体结构

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作者：唐玄玄彭帆 200241上海市闵行区东川路555号戊楼4026室

本发明涉及真空设备领域，公开了一种等离子体表面处理设备和等离子体设备腔体结构，等离子体设备腔体结构包括：料盒、射频电极和接地电极；等离子体表面处理设备包括设置有进气模块和抽气口的真空等离子腔体，真空等离子腔体内设置有... 详细信息

标准号: CN107424897B

本发明涉及真空设备领域，公开了一种等离子体表面处理设备和等离子体设备腔体结构，等离子体设备腔体结构包括：料盒、射频电极和接地电极；等离子体表面处理设备包括设置有进气模块和抽气口的真空等离子腔体，真空等离子腔体内设置有料盒、射频电极和接地电极。料盒内装有多个标的物，这些标的物在料盒内间隔设置，并使任意相邻的两个标的物之间预留有供气流通过的间隙；料盒的侧壁上设置有若干个通风槽，通风槽和间隙数量相对应设置，使得通风槽和间隙共同构成了经过标的物表面的气流通道；射频电极位于料盒的一侧，且正对气流通道；接地电极至少有一部分位于接地电极位于料盒的另一侧，且正对气流通道。本发明能够提高标的物的表面处理效果。

关键词：料盒接地电极气流通道射频电极通风槽等离子体表面处理等离子体设备真空等离子腔体结构正对表面处理效果间隔设置进气模块真空设备抽气口侧壁腔体供气预留体内流通

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