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材料热处理学报 2023年第8期44卷 149-155页

作者：张志坤占勤窦志昂白敬元杨洪广中国原子能科学研究院北京102413

采用等离子增强化学气相沉积方法在p型硅片沉积氮化硅薄膜,通过椭偏仪和缓冲氧化物刻蚀液(BOE)溶解实验来表征薄膜的均匀性与致密度,研究了射频功率、腔室气压、气体流量比和衬底温度4个工艺参数对氮化硅薄膜性能的影响。结果表明:在60~... 详细信息

采用等离子增强化学气相沉积方法在p型<100>硅片沉积氮化硅薄膜,通过椭偏仪和缓冲氧化物刻蚀液(BOE)溶解实验来表征薄膜的均匀性与致密度,研究了射频功率、腔室气压、气体流量比和衬底温度4个工艺参数对氮化硅薄膜性能的影响。结果表明:在60~100 W范围内,射频功率越大,氮化硅薄膜生长速率越快;腔室气压在130 Pa时有利于形成均匀性好、结构致密的氮化硅薄膜。硅烷/氨气气体流量比例较低时,提高流量比可以提高薄膜的致密度,但比例超过1.4后致密度几乎不再变化;衬底温度在200~300℃时,衬底温度越高,薄膜的生长速率越低,致密度越高。最优的工艺参数为:射频功率100 W、腔室气压130 Pa、硅烷流量280 mL/min、氨气流量10 mL/min、衬底温度300℃,此时氮化硅薄膜的生长速率为16.3 nm/min,均匀性为0.07%,折射率为2.1,溶解速率为0.42 nm/s。

关键词：等离子增强化学气相沉积氮化硅致密度均匀性

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等离子增强化学气相沉积制备氧化硅薄膜的质谱诊断研究

等离子增强化学气相沉积制备氧化硅薄膜的质谱诊断研究

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2008年全国荷电粒子源、粒子束学术会议

作者：张军峰陈强张跃飞刘福平刘忠伟北京印刷学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室等离子体物理及材料研究室北京 102600

以六甲基二硅氧烷（（CH3）3-Si-O-Si-（CH3）3，HMDSO）为单体，在等离子增强化学气相沉积制备氧化硅薄膜过程中，研究引起薄膜生长的前驱体、中间产物及活性自由基或分子。通过四极杆质谱仪对气相中的中间产物及活性粒子进行原位诊断... 详细信息

以六甲基二硅氧烷（（CH3）3-Si-O-Si-（CH3）3，HMDSO）为单体，在等离子增强化学气相沉积制备氧化硅薄膜过程中，研究引起薄膜生长的前驱体、中间产物及活性自由基或分子。通过四极杆质谱仪对气相中的中间产物及活性粒子进行原位诊断，进行了不同功率、气压及O2与HMDSO比例等的影响研究。实验发现：高功率，低气压，及O2含量的增加有利于有机硅化合物的裂解，氧化硅沉积过程中质荷比为147的离子是气相反应形成含硅粒子的主要前驱体，对薄膜的形成起主要作用。

关键词：氧化硅薄膜薄膜生长等离子增强化学气相沉积质谱诊断

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等离子增强化学气相沉积制备氧化硅薄膜的质谱诊断研究

等离子增强化学气相沉积制备氧化硅薄膜的质谱诊断研究

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2008年全国荷电粒子源、粒子束学术会议暨中国电工技术学会第十二届电子束离子束学术年会、中国电子学会焊接专业委员会第九届全国电子束焊接学术交流会、粒子加速器学会第十一届全国离子源学术交流会、中国机械工程学会焊接分会2008年全国高能束加工技术研讨会、北京电机工程学会第十届粒子加速器学术交流会

作者：张军峰陈强张跃飞刘福平刘忠伟北京印刷学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室等离子体物理及材料研究室

以六甲基二硅氧烷(（CH）-Si-O-Si-（CH）,HMDSO)为单体,在等离子增强化学气相沉积制备氧化硅薄膜过程中,研究引起薄膜生长的前驱体、中间产物及活性自由基或分子。通过四极杆质谱仪对气相中的中间产物及活性粒子进行原位诊断,进行了不... 详细信息

以六甲基二硅氧烷(（CH）-Si-O-Si-（CH）,HMDSO)为单体,在等离子增强化学气相沉积制备氧化硅薄膜过程中,研究引起薄膜生长的前驱体、中间产物及活性自由基或分子。通过四极杆质谱仪对气相中的中间产物及活性粒子进行原位诊断,进行了不同功率、气压及O与HMDSO比例等的影响研究。实验发现:高功率,低气压,及O含量的增加有利于有机硅化合物的裂解,氧化硅沉积过程中质荷比为147的离子是气相反应形成含硅粒子的主要前驱体,对薄膜的形成起主要作用。

关键词：氧化硅薄膜等离子增强化学气相沉积有机硅化合物 HMDSO

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等离子增强化学气相沉积装置

等离子增强化学气相沉积装置

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作者：郑建毅杨群峰庄明凤郑高峰马少宇 361005 福建省厦门市思明南路422号

等离子增强化学气相沉积装置，涉及化学气相沉积装置。设有沉积薄膜的PECVD装置和为沉积薄膜提供超高频振动能量的超高频激振装置；所述沉积薄膜的PECVD装置设有气体输送控制装置、射频电源、上盖、喷射支持部、气体分配板、夹具、收集... 详细信息

标准号: CN103789750A

等离子增强化学气相沉积装置，涉及化学气相沉积装置。设有沉积薄膜的PECVD装置和为沉积薄膜提供超高频振动能量的超高频激振装置；所述沉积薄膜的PECVD装置设有气体输送控制装置、射频电源、上盖、喷射支持部、气体分配板、夹具、收集板、加热器、控制阀、机械泵、分子泵、排气管路、测温传感器、密封圈、激振梁、反应室、测压传感器、进气管路、压力控制器和温度控制器；所述气体输送控制装置设有气体存储室、安装开关、流量阀、气体混合室、开关、流量阀和气体输出管路；超高频激振装置安装于激振梁的端部，输出杆与连接环焊接在一起，连接环与激振梁螺栓连接。实现薄膜应力在线消除和低应力薄膜的快速沉积制造。

关键词：沉积薄膜激振超高频激振装置控制装置气体输送连接环流量阀传感器等离子增强化学气相沉积密封圈化学气相沉积装置夹具加热器超高频振动温度控制器压力控制器螺栓安装开关薄膜应力进气管路快速沉积排气管路气体分配气体混合应力薄膜在线消除存储室反应室分子泵机械泵控制阀测温上盖射频焊接喷射电源连接

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等离子增强化学气相沉积装置

等离子增强化学气相沉积装置

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作者：郑敬锡尤沙科夫·安德瑞朴宣美郑和俊金应秀韩国京畿道水原市

本发明涉及一种等离子增强化学气相沉积装置，包含：具有反应室和接近口的室主体；布置在反应室中而用于喷射沉积气体的气体喷射部；通过第一铰链结合于室主体的室导板，该室导板旋动于打开接近口的打开位置与关闭接近口的关闭位置之间... 详细信息

标准号: CN100529176C

本发明涉及一种等离子增强化学气相沉积装置，包含：具有反应室和接近口的室主体；布置在反应室中而用于喷射沉积气体的气体喷射部；通过第一铰链结合于室主体的室导板，该室导板旋动于打开接近口的打开位置与关闭接近口的关闭位置之间。因此，可以有效地分解气体喷射部。

关键词：反应室导板等离子增强化学气相沉积旋动分解气体喷射沉积气体喷射铰链喷射

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一种等离子增强化学气相沉积生长GaON外延薄膜的制备方法

一种等离子增强化学气相沉积生长GaON外延薄膜的制备方法

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作者：郭道友贺怀乐胡海争吴超王顺利朱羽晨王宇超马超群 310000 浙江省杭州市江干区杭州经济开发区白杨街道

本发明涉及半导体材料制备领域，具体涉及一种等离子增强化学气相沉积生长GaON外延薄膜的制备方法。本发明采用金属镓作为镓源，以氧气作为氧源，以氮气为氮源，以氩气作为运输气体，进而制备GaON外延膜。本发明使用等离子增强化学气相... 详细信息

标准号: CN117187954A

本发明涉及半导体材料制备领域，具体涉及一种等离子增强化学气相沉积生长GaON外延薄膜的制备方法。本发明采用金属镓作为镓源，以氧气作为氧源，以氮气为氮源，以氩气作为运输气体，进而制备GaON外延膜。本发明使用等离子增强化学气相沉积系统(PECVD)通过优化后生长参数来制备GaON外延膜，该方法能够借助辉光放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，进而实现薄膜材料生长。由于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需要的激活能，因而显著降低反应温度和提高薄膜沉积的效率和质量，经本方法制备的GaON外延膜性能优异，符合未来工业化量产的需求。

关键词：制备外延膜等离子增强化学气相沉积辉光放电等离子体半导体材料等离子体氮气化学气相沉积化学反应氩气薄膜材料薄膜沉积薄膜组成气态物质生长参数外延薄膜运输气体生长高能量激活能金属镓氮源量产氧源镓源氧气优化

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一种等离子增强化学气相沉积腔室的清洗方法

一种等离子增强化学气相沉积腔室的清洗方法

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作者：刘自明崔虎山邹志文蒋中原车东晨王珏斌陈璐许开东 221300 江苏省徐州市邳州市邳州市经济开发区辽河西路8号

本发明公开一种等离子增强化学气相沉积腔室的清洗方法，所采用的清洗气体包括CF4和N2O。本发明能够有效解决小型研究机构所使用的Si系等离子增强化学气相沉积腔室清洗问题，可以杜绝气路被污染甚至被堵的风险，提高设备的可靠性，延长... 详细信息

标准号: CN111370282B

本发明公开一种等离子增强化学气相沉积腔室的清洗方法，所采用的清洗气体包括CF₄和N₂O。本发明能够有效解决小型研究机构所使用的Si系等离子增强化学气相沉积腔室清洗问题，可以杜绝气路被污染甚至被堵的风险，提高设备的可靠性，延长设备维护周期，提高生产效率，降低颗粒污染，提高产品品质。

关键词：等离子增强化学气相沉积腔室清洗产品品质颗粒污染清洗气体设备维护生产效率研究机构有效解决气路污染

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一种等离子增强化学气相沉积腔室的清洗方法

一种等离子增强化学气相沉积腔室的清洗方法

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作者：刘自明崔虎山邹志文蒋中原车东晨王珏斌陈璐许开东 221300 江苏省徐州市邳州市经济开发区辽河西路8号

标准号: CN111370282A

关键词：等离子增强化学气相沉积腔室清洗产品品质颗粒污染清洗气体设备维护生产效率研究机构有效解决气路污染

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用于制备低介电常数材料的等离子增强化学气相沉积装置

用于制备低介电常数材料的等离子增强化学气相沉积装置

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作者：孙旭辉夏雨健 215123 江苏省苏州市工业园区仁爱路199号

本发明公开一种用于制备低介电常数材料的等离子增强化学气相沉积装置，包括炉体、位于炉体一侧的液体源喷射机构，炉体前半段缠绕有感应线圈，此感应线圈依次连接到13.36MHz射频电源和匹配器，液体源喷射机构包括耐压不锈钢釜、第一耐... 详细信息

标准号: CN103887139A

本发明公开一种用于制备低介电常数材料的等离子增强化学气相沉积装置，包括炉体、位于炉体一侧的液体源喷射机构，炉体前半段缠绕有感应线圈，此感应线圈依次连接到13.36MHz射频电源和匹配器，液体源喷射机构包括耐压不锈钢釜、第一耐压混气罐和第二耐压混气罐，第一耐压混气罐另一端与耐压不锈钢釜一端通过安装有顶针阀的管路连接，耐压不锈钢釜另一端通过安装有顶针阀、第一质量流量计的管路连接到第一喷嘴；第二耐压混气罐一端连接安装有第三进气管、第四进气管，第二耐压混气罐另一端连接到第二喷嘴。本发明结构简单、操作便捷、制造及使用费用低，实现了将不易于控制流量及速率的液态液体源转化为易于控制流量及速率的气体流，从而便捷精确调控薄膜介电常数值。

关键词：气罐炉体不锈钢顶针感应线圈管路连接控制流量喷射机构喷嘴进气管等离子增强化学气相沉积制备低介电常数质量流量计薄膜介电连接安装液态液体常数值匹配器气体流源转化连接射频缠绕电源调控

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等离子体增强化学气相沉积技术制备锗反蛋白石三维光子晶体(英文)

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硅酸盐学报 2008年第9期36卷 1315-1318页

作者：李宇杰谢凯张良静许静韩喻李运鹏国防科学技术大学材料工程与应用化学系长沙410073

采用溶剂蒸发对流自组装法将单分散二氧化硅(SiO2)微球组装形成三维有序胶体晶体模板,以锗烷(GeH4)为先驱体气用等离子增强化学气相沉积法在350℃填充高折射率材料锗,获得了锗反蛋白石光子晶体。通过扫描电镜、X射线衍射仪对锗反蛋白石... 详细信息

采用溶剂蒸发对流自组装法将单分散二氧化硅(SiO2)微球组装形成三维有序胶体晶体模板,以锗烷(GeH4)为先驱体气用等离子增强化学气相沉积法在350℃填充高折射率材料锗,获得了锗反蛋白石光子晶体。通过扫描电镜、X射线衍射仪对锗反蛋白石的形貌、成分、结构进行了表征。结果表明:锗在SiO2微球空隙内填充均匀,得到的锗为多晶态。锗反蛋白石光子晶体为三维有序多孔结构。等离子体增强化学气相沉积的潜在优势在于可实现材料的低温填充,从而以高分子材料为模板进行复型,得到多种结构的三维光子晶体。

关键词：光子晶体锗反蛋白石等离子增强化学气相沉积溶剂蒸发对流自组装低温填充

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