检索结果-内蒙古大学图书馆

激光与红外 1984年第8期 16-19+35页

作者：吴佩琏电子部11所

以化学气相淀积工艺制备二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅薄膜,已成功地用作半导体器件的钝化膜。用低温（L）CVD制备SiO/InSbMOS器件及红外敏感元件的工艺研究也有不少的报导。但是Vasque以XPS法研究220℃温度下形成的SiO/InSb的界面时,发... 详细信息

以化学气相淀积工艺制备二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅薄膜,已成功地用作半导体器件的钝化膜。用低温（L）CVD制备SiO/InSbMOS器件及红外敏感元件的工艺研究也有不少的报导。但是Vasque以XPS法研究220℃温度下形成的SiO/InSb的界面时,发现在淀积过程中,可能由于硅烷氧化不完全,在二氧化硅-自然氧化物的界面形成元素铟,在自然氧化物-锑化铟界面形成元素锑,从而产生了分布不均匀的高浓度的界面态。七十年代中期,随着大型等离子增强化学气相淀积（PECVD）反应器的研制成功,大量的文章介绍了以低温PECVD技术制备半导体器件的钝化膜的基础研究及应用研究。Ta-keo Yoshimi及Pan认为PECVD二氧化硅膜的台阶覆盖比LCVD工艺好。Schimi-

关键词：钝化膜器件等离子增强化学气相淀积氮化硅光学薄膜四氮化三硅氮化物二氧化硅膜 PECVD 硅烷有机硅化合物膜层

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等离子增强化学气相淀积基座支撑设备

等离子增强化学气相淀积基座支撑设备

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作者：栗田真一恩斯特·凯勒约翰·M·怀特美国加利福尼亚州

等离子增强化学气相淀积基座支撑设备。提供一种用于维持或调整大面积基板的方位(或倾向性，orientation)的设备及方法，其利用多个设于一适于支撑大面积基板的基座下方的支撑板进行。该多个支撑板是由多个连接到至少一致动器的支撑轴... 详细信息

标准号: CN102220570A

等离子增强化学气相淀积基座支撑设备。提供一种用于维持或调整大面积基板的方位(或倾向性，orientation)的设备及方法，其利用多个设于一适于支撑大面积基板的基座下方的支撑板进行。该多个支撑板是由多个连接到至少一致动器的支撑轴予以支撑。该设备是经设计以选择性调整基座的水平截面轮廓，以促进平坦且均匀的制程。水平轮廓可为平面、凹面或凸面中的一种。该设备可允许在制程前、期间或之后进行任何调整。

关键词：支撑板基板制程等离子增强化学气相淀积设备及方法多个连接水平截面水平轮廓支撑设备支撑轴支撑凹面凸面倾向性平坦

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一种等离子增强化学气相淀积工艺腔

一种等离子增强化学气相淀积工艺腔

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作者：徐李洁张永刚 201203 上海市张江高科技园区郭守敬路818号

本发明提供了一种等离子增强化学气相淀积工艺腔，通过在加热器电源线封装盒的外围还设置保护罩阻挡工艺腔内的气流，使得气流无法吹倒加热器电源线封装盒左右盒体中的任何一侧，可确保加热器电源线不会有接地短路、造成工艺腔停机的风险。

标准号: CN101812677A

关键词：加热器电源线工艺腔封装盒等离子增强化学气相淀积接地短路保护罩盒体停机外围风险

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一种等离子增强化学气相淀积工艺腔

一种等离子增强化学气相淀积工艺腔

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作者：徐李洁张永刚 201203 上海市张江高科技园区郭守敬路818号

本发明提供了一种等离子增强化学气相淀积工艺腔，通过在加热器电源线封装盒的外围还设置保护罩阻挡工艺腔内的气流，使得气流无法吹倒加热器电源线封装盒左盒体和右盒体中的任何一侧，可确保加热器电源线不会有接地短路、造成工艺腔停... 详细信息

标准号: CN101812677B

本发明提供了一种等离子增强化学气相淀积工艺腔，通过在加热器电源线封装盒的外围还设置保护罩阻挡工艺腔内的气流，使得气流无法吹倒加热器电源线封装盒左盒体和右盒体中的任何一侧，可确保加热器电源线不会有接地短路、造成工艺腔停机的风险。

关键词：加热器电源线工艺腔封装盒盒体等离子增强化学气相淀积接地短路保护罩停机外围风险

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等离子体增强化学气相淀积腔室、设备及其控制方法

等离子体增强化学气相淀积腔室、设备及其控制方法

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作者：刘训春 221300 江苏省徐州市邳州市邳州经济开发区辽河西路8号

本发明公开一种等离子体增强化学气相淀积腔室、设备及其控制方法，该等离子增强化学气相淀积设备，至少包括射频电源和等离子体增强化学气相淀积腔室，其中，等离子体增强化学气相淀积腔室具有上盖、进气管、进气嘴、进气口、匀气室、... 详细信息

标准号: CN106119812A

本发明公开一种等离子体增强化学气相淀积腔室、设备及其控制方法，该等离子增强化学气相淀积设备，至少包括射频电源和等离子体增强化学气相淀积腔室，其中，等离子体增强化学气相淀积腔室具有上盖、进气管、进气嘴、进气口、匀气室、腔室外壳和载片下电极。进气口位于上盖中并与下方的匀气室相连通，进气管通过进气嘴与进气口相连通，射频电源的一端与载片下电极相连接，另一端接地，进气管、进气嘴、上盖、和匀气室均接地。本发明不仅避免了进气处粉末的产生，而且可灵活地应用于需要增加薄膜与衬底粘附性和不希望产生晶格损伤等各种不同的场合。

关键词：等离子体增强化学气相淀积进气口进气管进气嘴腔室上盖射频电源接地下电极匀气室载片等离子增强化学气相淀积晶格损伤腔室外壳进气处粘附性衬底和匀气室薄膜灵活应用

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等离子体增强化学气相淀积腔室、设备及其控制方法

等离子体增强化学气相淀积腔室、设备及其控制方法

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作者：刘训春 221300 江苏省徐州市邳州市邳州经济开发区辽河西路8号

标准号: CN106119812B

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传统PECVD制备高品质氢化非晶硅工艺中的P_d/f_r匹配

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固体电子学研究与进展 2001年第4期21卷 453-459页

作者：颜一凡湖南大学物理系长沙410082

等离子增强化学气相淀积 (PECVD)制备高品质氢化非晶硅 (HQ a- Si∶ H)工艺中 ,射频(rf)功率密度 / Si H4流速率匹配 (Pd/ fr)的研究已有许多报道 ,但至今并无明确的结论。文中根据传统的 Si H4辉光放电分解 (CPECVD)制备 HQ a- Si∶ H... 详细信息

等离子增强化学气相淀积 (PECVD)制备高品质氢化非晶硅 (HQ a- Si∶ H)工艺中 ,射频(rf)功率密度 / Si H4流速率匹配 (Pd/ fr)的研究已有许多报道 ,但至今并无明确的结论。文中根据传统的 Si H4辉光放电分解 (CPECVD)制备 HQ a- Si∶ H必须满足三个基本的化学物理要求 ,已经导出 Pdn/ fr(1

关键词：氢化非晶硅等离子增强化学气相淀积匹配工艺

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硅基垂直腔面光发射器件的设计与实现

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仪器仪表学报 2004年第Z1期25卷 279-280页

作者：姚永昭岳瑞峰刘理天清华大学微电子所北京100084

提出了一种新型硅基垂直腔面光发射器件结构。它采用等离子增强化学气相淀积(PECVD)方法制备的非晶硅/二氧化硅交替生长的多层薄膜结构为布拉格反射器(DBR),以夹在上下两个布拉格反射器之间的非晶碳化硅薄膜为中间发光层。通过设计与模... 详细信息

提出了一种新型硅基垂直腔面光发射器件结构。它采用等离子增强化学气相淀积(PECVD)方法制备的非晶硅/二氧化硅交替生长的多层薄膜结构为布拉格反射器(DBR),以夹在上下两个布拉格反射器之间的非晶碳化硅薄膜为中间发光层。通过设计与模拟,分析了DBR中薄膜生长顺序与层数对器件性能的影响。根据设计制作了光致红光发射器件并测量分析了它的光致发光谱。

关键词：垂直腔面光发射器件布拉格反射器等离子增强化学气相淀积

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添加H_2对SiH_4/N_2/Ar等离子体淀积的氮化硅电学和光学特性的影响

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材料导报 2014年第24期28卷 9-13页

作者：景亚霓钟传杰江南大学物联网工程学院无锡214122

研究了加H2对SiH4/N2/Ar高密度、低离子能量的等离子体淀积的氮化硅薄膜(淀积的衬底温度为400℃)电学和光学性能的影响。实验结果表明,加入H2使氮化硅薄膜的光学带隙增加,其折射率以及在氢氟酸缓冲液中腐蚀速率减小,而XPS测试的N、Si原... 详细信息

研究了加H2对SiH4/N2/Ar高密度、低离子能量的等离子体淀积的氮化硅薄膜(淀积的衬底温度为400℃)电学和光学性能的影响。实验结果表明,加入H2使氮化硅薄膜的光学带隙增加,其折射率以及在氢氟酸缓冲液中腐蚀速率减小,而XPS测试的N、Si原子比没有改变,均为1.3。FTIR测量表明,样品中Si-H键的密度低于仪器检测限,而添加H2的样品中N-H键密度稍增加。此外,由淀积的氮化硅膜构成的MIS结构的高频C-V测试(1 MHz)显示,当氢气流量从零增加到8sccm时,高频C-V的回滞幅度从(0.40±0.05)V降低到(0.10±0.01)V。基于这些实验结果和理论分析,表明了加适量H2能够促进弱的Si-Si键以及Si和N的悬挂键向Si-N键转化。

关键词：等离子增强化学气相淀积氮化硅氢气添加光学带隙高频电容-电压特性

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传统 PECVD高品质氢化非晶硅的淀积率

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固体电子学研究与进展 2004年第3期24卷 402-406页

作者：颜一凡湖南大学物理系长沙410082

根据 Winer模型 ,联合 Winer模型和 Street的氢化学势理论 ,分别研究了传统 PECVD( CPECVD)高品质氢化非晶硅 ( HQ a-Si:H)的淀积率上限 rdup和淀积率 rd 与 a-Si:H缺陷密度 ND 的关系。得到的结论是 :( 1 )rdup=1 .6nm/s(目前实验上 rd... 详细信息

根据 Winer模型 ,联合 Winer模型和 Street的氢化学势理论 ,分别研究了传统 PECVD( CPECVD)高品质氢化非晶硅 ( HQ a-Si:H)的淀积率上限 rdup和淀积率 rd 与 a-Si:H缺陷密度 ND 的关系。得到的结论是 :( 1 )rdup=1 .6nm/s(目前实验上 rd 已接近 1 .0 nm/s)。( 2 )对每一优化淀积温度 ( Ts=2 0 0～ 30 0°C) ,存在一相应的优化淀积率 rdop,当 rd淀积率下( 0 .5 nm/s

关键词：非晶硅等离子增强化学气相淀积淀积率上限优化淀积率

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