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15 篇 上海集成电路研发...
6 篇 河南科技大学
4 篇 中国科学院半导体...
3 篇 昆山光微电子有限...
3 篇 中国科学院上海微...
2 篇 华中科技大学
2 篇 中国科学院长春光...
2 篇 南京大学
2 篇 北京北方高业科技...
2 篇 中国电子科技集团...
2 篇 中国科学院上海技...
2 篇 上海大亚科技有限...
1 篇 深圳市赛福力电子...
1 篇 深圳通感微电子有...
1 篇 烟台睿创微纳技术...
1 篇 复旦大学
1 篇 无锡中科德芯光电...
1 篇 湖北光谷实验室
1 篇 上海巨哥电子科技...
1 篇 东莞先导先进科技...

作者

14 篇 康晓旭
6 篇 张晓玲
6 篇 孟庆端
6 篇 普杰信
6 篇 张立文
4 篇 钟晓兰
3 篇 卢狄克
3 篇 尚海平
3 篇 陈大鹏
3 篇 孔延梅
3 篇 焦斌斌
3 篇 顾溢
3 篇 刘瑞文
3 篇 高超群
3 篇 李洪坤
3 篇 李志刚
2 篇 尚林涛
2 篇 潘辉
2 篇 叶小玲
2 篇 李铭

语言

71 篇 中文

检索条件"主题词=红外探测器结构"

共 71 条记录，以下是1-10 订阅

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一种红外探测器结构及制造方法

一种红外探测器结构及制造方法

引用

作者：康晓旭 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号

本发明公开了一种红外探测器结构，包括：设于衬底层上的牺牲层，设于所述牺牲层上的红外微桥结构，所述红外微桥结构包括微桥桥面以及支撑结构；其中，所述微桥桥面设于所述牺牲层上，所述支撑结构包括两个设于所述微桥桥面上的支撑孔... 详细信息

标准号: CN111392683A

本发明公开了一种红外探测器结构，包括：设于衬底层上的牺牲层，设于所述牺牲层上的红外微桥结构，所述红外微桥结构包括微桥桥面以及支撑结构；其中，所述微桥桥面设于所述牺牲层上，所述支撑结构包括两个设于所述微桥桥面上的支撑孔和两个对应设于所述牺牲层中的金属通孔，所述牺牲层经释放去除后形成空腔，所述微桥桥面通过对应相连的所述支撑孔和所述金属通孔得到支撑及实现与所述衬底层之间的电连接。本发明可降低工艺难度，并提升性能。本发明还公开了一种红外探测器结构制造方法。

关键词：牺牲层微桥桥面红外探测器结构金属通孔微桥结构支撑结构衬底层支撑孔工艺难度提升性能电连接空腔去除释放支撑制造

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一种超晶格甚长波红外探测器结构

一种超晶格甚长波红外探测器结构

引用

作者：施毅岳壮豪牛智川王国伟徐应强蒋洞微常发冉李勇王军转郑有炓 210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号

一种基于锑化物超晶格的甚长波红外探测器结构，包括从下到上的以下结构：衬底，缓冲层，甚长波波段吸收层，中长波波段势垒层，甚长波波段欧姆接触层，顶盖层；缓冲层外延于所述衬底之上；本发明拥有良好载流子输运性能的锑化物超晶格... 详细信息

标准号: CN111710733B

一种基于锑化物超晶格的甚长波红外探测器结构，包括从下到上的以下结构：衬底，缓冲层，甚长波波段吸收层，中长波波段势垒层，甚长波波段欧姆接触层，顶盖层；缓冲层外延于所述衬底之上；本发明拥有良好载流子输运性能的锑化物超晶格甚长波红外探测器。本发明引入了同型结和分段掺杂，同时对各个区域超晶格结构，掺杂浓度和厚度进行了调控以得到高综合探测率的红外探测器结构。

关键词：长波红外探测器长波波段超晶格缓冲层锑化物衬底掺杂红外探测器结构超晶格结构欧姆接触层载流子输运顶盖层势垒层探测率吸收层中长波波段分段引入调控

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一种红外探测器结构及制造方法

一种红外探测器结构及制造方法

引用

作者：康晓旭 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号

标准号: CN111392683B

关键词：牺牲层微桥桥面红外探测器结构金属通孔微桥结构支撑结构衬底层支撑孔工艺难度提升性能电连接空腔去除释放支撑制造

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一种红外探测器结构及其制造方法

一种红外探测器结构及其制造方法

引用

作者：康晓旭钟晓兰沈若曦 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号

本发明提供一种红外探测器结构及其制造方法，该结构包括从下到上依次层叠的带有处理电路的衬底、顶层金属层、通孔层和像元阵列，所述像元阵列中的每一个像元包括从上到下依次层叠的微桥谐振腔和铝反射层，所述铝反射层位于所述微桥谐... 详细信息

标准号: CN111847375B

本发明提供一种红外探测器结构及其制造方法，该结构包括从下到上依次层叠的带有处理电路的衬底、顶层金属层、通孔层和像元阵列，所述像元阵列中的每一个像元包括从上到下依次层叠的微桥谐振腔和铝反射层，所述铝反射层位于所述微桥谐振腔和通孔层之间，所述微桥谐振腔上表面为所述像元接收入射光的表面；其中，所述带有处理电路的衬底和顶层金属层为平面水平结构，所述微桥谐振腔上表面与所述带有处理电路的衬底和顶层金属层之间呈倾斜锐角设置。因此，本发明能够在缩减平面投影面积的情况下，将实际吸收入射光的面积保持不变甚至增大。

关键词：谐振腔微桥顶层金属层处理电路衬底铝反射层像元阵列依次层叠上表面通孔层像元红外探测器结构从上到下平面水平平面投影倾斜锐角入射光吸收制造收入

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底电极红外探测器结构

底电极红外探测器结构

引用

作者：康晓旭钟晓兰李铭 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号

本发明提供一种底电极红外探测器结构，包括：设于介质结构内的底电极结构，所述底电极结构包括金属互连层和位于所述金属互连层上的金属通孔；设于所述介质结构表面的反射层；设于所述反射层上微桥结构，所述微桥结构包括微桥桥面及支... 详细信息

标准号: CN112551477A

本发明提供一种底电极红外探测器结构，包括：设于介质结构内的底电极结构，所述底电极结构包括金属互连层和位于所述金属互连层上的金属通孔；设于所述介质结构表面的反射层；设于所述反射层上微桥结构，所述微桥结构包括微桥桥面及支撑结构，所述微桥桥面包括自下而上依次设置的第一红外敏感层和红外保护层，所述支撑结构包括自内向外依次设置的电极柱、第一功能层和第二红外敏感层。通过第二红外敏感层与反射层形成欧姆接触，有效提升器件的性能。

关键词：红外敏感层反射层底电极结构金属互连层介质结构微桥结构依次设置支撑结构微桥桥面红外探测器结构红外保护层金属通孔欧姆接触提升器件底电极电极柱功能层

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一种高效的红外探测器结构

一种高效的红外探测器结构

引用

作者：周涛李琛王修翠 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号

本发明提供一种高效的红外探测器结构，通过相邻支撑壁、反射结构和红外频段选择结构形成反射空腔；红外射线自开口入射进入所述反射空腔，经所述反射结构反射至所述红外频段选择结构；所述红外频段选择结构选择吸收特定波长的红外射线... 详细信息

标准号: CN112748474A

本发明提供一种高效的红外探测器结构，通过相邻支撑壁、反射结构和红外频段选择结构形成反射空腔；红外射线自开口入射进入所述反射空腔，经所述反射结构反射至所述红外频段选择结构；所述红外频段选择结构选择吸收特定波长的红外射线，输出红外响应信号，提高特定波长的红外射线的能量吸收效率，进而提高红外探测器的灵敏度。

关键词：红外频段红外射线反射结构反射空腔波长红外探测器结构能量吸收效率红外探测器红外响应结构形成结构选择灵敏度支撑壁入射反射开口输出吸收

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一种CMOS直接集成的红外探测器结构及其工艺

一种CMOS直接集成的红外探测器结构及其工艺

引用

作者：王启胜成者王立张贤晶 330000 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号

本发明提供了一种CMOS直接集成的红外探测器结构及其工艺，包括CMOS红外探测结构和CMOS测量电路系统，所述CMOS红外探测结构和所述CMOS测量电路系统均采用CMOS工艺制备；所述CMOS红外探测结构直接集成在CMOS测量电路系统外层的单晶硅/... 详细信息

标准号: CN115394767A

本发明提供了一种CMOS直接集成的红外探测器结构及其工艺，包括CMOS红外探测结构和CMOS测量电路系统，所述CMOS红外探测结构和所述CMOS测量电路系统均采用CMOS工艺制备；所述CMOS红外探测结构直接集成在CMOS测量电路系统外层的单晶硅/二氧化硅层，所述二氧化硅层上设置有金属电极或导电层中的一种，所述金属电极或导电层可与CMOS测量电路系统连接，用于信号传输；所述金属电极或导电层上设置热电材料层，所述热电材料层作为整个红外探测器的光敏部位；所述热电材料层上设置导电玻璃层。本发明与CMOS直接集成，像元间距小，可实现超大像素FPA制备。本发明制备成本低，对材料单晶性要求低，器件结构微小，操作简单。

关键词：测量电路系统红外探测结构热电材料层金属电极制备二氧化硅层导电层红外探测器结构单晶硅导电玻璃层红外探测器材料单晶导电层中光敏部位器件结构信号传输性要求像素像元

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一种红外探测器结构及其制造方法

一种红外探测器结构及其制造方法

引用

作者：康晓旭钟晓兰沈若曦 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号

标准号: CN111847375A

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底电极红外探测器结构

底电极红外探测器结构

引用

作者：康晓旭钟晓兰李铭 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号

标准号: CN112551477B

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一种InAsSb红外探测器结构的外延方法

一种InAsSb红外探测器结构的外延方法

引用

作者：苏大鸿祁秋月郭帅谢小刚 215151 江苏省苏州市高新区建林路666号出口加工区配套工业园28号厂房

本发明提供了一种InAsSb红外探测器结构的外延方法，涉及半导体材料技术领域。该方法包括：GaSb衬底脱膜，自下而上依次外延未掺杂的GaSb缓冲层，n型InAs1‑xSbx接触层，本征InAs0.91Sb0.09吸收层，p型AlAsSb数字合金保护层，p型AlAsSb... 详细信息

标准号: CN117766615A

本发明提供了一种InAsSb红外探测器结构的外延方法，涉及半导体材料技术领域。该方法包括：GaSb衬底脱膜，自下而上依次外延未掺杂的GaSb缓冲层，n型InAs_1‑xSb_x接触层，本征InAs_0.91Sb_0.09吸收层，p型AlAsSb数字合金保护层，p型AlAsSb数字合金势垒层，p型InAs_1‑ySb_y或GaSb接触层。用数字合金的方式将AlAsSb层的As和Sb的束流比转化为AlSb和AlAs的厚度比；使用C掺杂代替Be掺杂，提高生长温度，提高AlAsSb层的质量；p型AlAsSb数字合金保护层可以防止InAs_0.91Sb_0.09吸收层中In的偏析，提高材料质量。

关键词：数字合金保护层接触层吸收层掺杂半导体材料红外探测器结构厚度比势垒层未掺杂本征衬底偏析束流脱膜生长转化

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