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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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71 篇 专利

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71 篇 电子文献
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15 篇 上海集成电路研发...
6 篇 河南科技大学
4 篇 中国科学院半导体...
3 篇 昆山光微电子有限...
3 篇 中国科学院上海微...
2 篇 华中科技大学
2 篇 中国科学院长春光...
2 篇 南京大学
2 篇 北京北方高业科技...
2 篇 中国电子科技集团...
2 篇 中国科学院上海技...
2 篇 上海大亚科技有限...
1 篇 深圳市赛福力电子...
1 篇 深圳通感微电子有...
1 篇 烟台睿创微纳技术...
1 篇 复旦大学
1 篇 无锡中科德芯光电...
1 篇 湖北光谷实验室
1 篇 上海巨哥电子科技...
1 篇 东莞先导先进科技...

作者

14 篇 康晓旭
6 篇 张晓玲
6 篇 孟庆端
6 篇 普杰信
6 篇 张立文
4 篇 钟晓兰
3 篇 卢狄克
3 篇 尚海平
3 篇 陈大鹏
3 篇 孔延梅
3 篇 焦斌斌
3 篇 顾溢
3 篇 刘瑞文
3 篇 高超群
3 篇 李洪坤
3 篇 李志刚
2 篇 尚林涛
2 篇 潘辉
2 篇 叶小玲
2 篇 李铭

语言

71 篇 中文

检索条件"主题词=红外探测器结构"

共 71 条记录，以下是41-50 订阅

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InP基截止波长大范围可调的晶格匹配InGaAsBi探测器结构及其制备

InP基截止波长大范围可调的晶格匹配InGaAsBi探测器结构及其制备

引用

作者：顾溢王庶民张永刚宋禹忻叶虹 200050 上海市长宁区长宁路865号5号楼505室

本发明涉及一种InP基截止波长大范围可调的晶格匹配InGaAsBi探测器结构及其制备方法，该探测器结构由下而上依次包括：InP衬底、高掺杂n型InP缓冲层、吸收层和高掺杂p型InP帽层，所述的吸收层为低掺杂n型InyGa1-yAs1-xBix吸收层，其中0&... 详细信息

标准号: CN103367520A

本发明涉及一种InP基截止波长大范围可调的晶格匹配InGaAsBi探测器结构及其制备方法，该探测器结构由下而上依次包括：InP衬底、高掺杂n型InP缓冲层、吸收层和高掺杂p型InP帽层，所述的吸收层为低掺杂n型In_yGa_1-yAs_1-xBi_x吸收层，其中0<x≤0.34，0≤y<0.53；其制备方法包括：（1）在InP衬底上生长高掺杂InP缓冲层；（2）生长低掺杂n型In_yGa_1-yAs_1-xBi_x吸收层；（3）生长帽层；（4）制备成红外探测器结构。本发明的探测器与InP衬底晶格匹配而截止波长λ在1.7μm<λ≤5.9μm大范围内可调，可用常规方法进行生长，制备方法简单。

关键词：吸收层制备方法生长探测器结构掺杂低掺杂缓冲层衬底帽层匹配红外探测器结构衬底晶格大范围波长探测器晶格

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一种红外面阵探测器结构建模及结构优化方法

一种红外面阵探测器结构建模及结构优化方法

引用

作者：张立文孟庆端张晓玲余倩吴景艳李鹏飞普杰信 471003 河南省洛阳市涧西区西苑路48号

本发明涉及一种红外面阵探测器结构建模及结构优化方法，首先根据红外面阵探测器的结构特点，将红外面阵探测器结构模型分割为两个部分，光敏元阵列区域和外围区域，分别设定光敏元阵列区域和外围区域的材料热膨胀系数及分析模型，基于... 详细信息

标准号: CN102682147B

本发明涉及一种红外面阵探测器结构建模及结构优化方法，首先根据红外面阵探测器的结构特点，将红外面阵探测器结构模型分割为两个部分，光敏元阵列区域和外围区域，分别设定光敏元阵列区域和外围区域的材料热膨胀系数及分析模型，基于等效原理，利用小面阵等效大面阵对大面阵红外探测器进行热应力分析及结构优化，预期降低探测器的碎裂几率，提高成品率。本发明适用于红外面阵探测器结构可靠性设计，具有建模准确和结构参数优化快速的双重功能，解决了大面阵红外探测器结构建模与优化时存在的数据存储占用空间大、求解速度慢等缺点，为分析大面阵红外探测器中的热应力提供了一条新途径。

关键词：探测器结构建模外面红外探测器结构优化阵列区域光敏元热应力探测器外围材料热膨胀系数红外探测器结构结构参数优化可靠性设计碎裂等效原理分析模型模型分割求解速度数据存储双重功能占用空间成品率新途径几率面阵分析优化

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一种红外面阵探测器结构建模及结构优化方法

一种红外面阵探测器结构建模及结构优化方法

引用

作者：张立文孟庆端张晓玲余倩吴景艳李鹏飞普杰信 471003 河南省洛阳市涧西区西苑路48号

标准号: CN102682147A

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光导型双色紫外红外探测器及其制备方法

光导型双色紫外红外探测器及其制备方法

引用

作者：李美成熊敏张森陈雪飞 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

光导型双色紫外红外探测器及其制备方法，它涉及一种双色紫外红外探测器结构及其制备方法。本发明解决了现有的同时探测红外和紫外信号的双色红外紫外探测器的结构复杂及探测成本高的问题。探测器结构是在蓝宝石衬底外延依次生长有AlN层... 详细信息

标准号: CN101572278B

光导型双色紫外红外探测器及其制备方法，它涉及一种双色紫外红外探测器结构及其制备方法。本发明解决了现有的同时探测红外和紫外信号的双色红外紫外探测器的结构复杂及探测成本高的问题。探测器结构是在蓝宝石衬底外延依次生长有AlN层、GaN层、GaN/Al_x1Ga_1-x1N多量子阱、GaAs过渡层、GaAs/Al_x2Ga_1-x2As多量子阱和GaAs盖层；方法：1.蓝宝石衬底置于分子束外延系统中进行氮化；2.在蓝宝石衬底上生长AlN层；3.在AlN层上生长GaN层；4.在GaN层生长GaN/Al_x1Ga_1-x1N多量子阱；5.在GaN/Al_x1Ga_1-x1N多量子阱上生长GaAs；6.在GaAs上生长GaAs/Al_x2Ga_1-x2As多量子阱；***/Al_x2Ga_1-x2As多量子阱生长GaAs盖层即得双色紫外红外探测器结构。本发明光导型双色紫外红外探测器结构简单，探测成本低。

关键词：多量子阱双色生长红外探测器结构蓝宝石探测制备方法光导型衬底盖层分子束外延红外探测器探测器结构紫外探测器衬底外延紫外信号过渡层

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长波III-V族红外探测器及其制备方法

长波III-V族红外探测器及其制备方法

引用

作者：顾溢孙夺 214028 江苏省无锡市新吴区弘毅路10号金乾座901—910室

本发明公开了一种长波III‑V族红外探测器，所述红外探测器结构包括衬底、缓冲层、吸收层和帽层；其中，所述吸收层的材料为非故意掺杂的BInAsSbBi，所述非故意掺杂的BInAsSbBi的组分结构满足：BxIn1‑xAs1‑y‑zSbyBiz，其中，x≥0.1，0.4... 详细信息

标准号: CN115602742A

本发明公开了一种长波III‑V族红外探测器，所述红外探测器结构包括衬底、缓冲层、吸收层和帽层；其中，所述吸收层的材料为非故意掺杂的BInAsSbBi，所述非故意掺杂的BInAsSbBi的组分结构满足：B_xIn_1‑xAs_1‑y‑zSb_yBi_z，其中，x≥0.1，0.4≤y≤0.7，0.01≤z≤0.06。本发明提供的长波III‑V族红外探测器及其制备方法通过在衬底上以满足适当组分要求的BInAsSbBi材料作为吸收层制备长波III‑V族红外探测器，获得了较好的化学稳定性，保证了耐热性的同时，具有较高的吸收系数，能够保持与衬底较小的晶格失配，从而提升了探测器性能。

关键词：长波红外探测器吸收层衬底掺杂的制备耐热性红外探测器结构化学稳定性晶格失配吸收系数组分结构组分要求缓冲层探测器帽层保证

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一种面向气体传感的宽角域带通红外探测器

一种面向气体传感的宽角域带通红外探测器

引用

作者：易飞李世浩刘斯坦曾洋刘欢李华曜王俊亚尤政 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

本发明公开了一种面向气体传感的宽角域带通红外探测器，属于红外气体传感领域。探测器自下而上包括热释电探测器、带通吸收体和聚光透镜。热释电探测器由上下电极和钽酸锂薄膜组成，带通吸收体由背板，介质层，天线簇构成。聚光透镜由... 详细信息

标准号: CN117491304A

本发明公开了一种面向气体传感的宽角域带通红外探测器，属于红外气体传感领域。探测器自下而上包括热释电探测器、带通吸收体和聚光透镜。热释电探测器由上下电极和钽酸锂薄膜组成，带通吸收体由背板，介质层，天线簇构成。聚光透镜由衬底，介质柱组成。本发明高效收集大角度入射光线并聚焦在于热电探测器上，通过调整圆盘半径和圆盘排列组合方式实现对特定目标通带内的电磁波高效吸收。大幅降低了红外探测器结构复杂度，赋予探测器带通响应的能力，同时提高了探测器探测率。同时，超材料聚光透镜大幅提升了探测器的聚光能力，相比于一般的探测器有着更高的灵敏度和探测效率。

关键词：探测器聚光透镜带通热释电探测器吸收体红外探测器结构排列组合方式热电探测器钽酸锂薄膜传感领域高效吸收红外气体聚光能力气体传感入射光线上下电极探测效率外探测器电磁波灵敏度超材料复杂度介质层介质柱探测率天线簇背板衬底宽角通带聚焦响应赋予

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基于CMOS工艺的红外探测器及像元，制备方法

基于CMOS工艺的红外探测器及像元，制备方法

引用

作者：翟光杰武佩潘辉翟光强 100070 北京市丰台区育仁南路1号院4号楼13层1301

本公开涉及基于CMOS工艺的红外探测器像元及其制备方法，红外探测器，该像元包括：CMOS测量电路系统和其上的CMOS红外传感结构，采用全CMOS工艺制备；CMOS红外传感结构包括位于CMOS测量电路系统上的反射层、红外转换结构和多个柱状结构... 详细信息

标准号: CN113720465B

本公开涉及基于CMOS工艺的红外探测器像元及其制备方法，红外探测器，该像元包括：CMOS测量电路系统和其上的CMOS红外传感结构，采用全CMOS工艺制备；CMOS红外传感结构包括位于CMOS测量电路系统上的反射层、红外转换结构和多个柱状结构，柱状结构位于反射层和红外转换结构之间，反射层包括反射板和支撑底座，红外转换结构通过柱状结构和支撑底座与CMOS测量电路系统电连接；CMOS红外传感结构还包括位于反射层上的介质保护层以及刻蚀阻挡层；介质保护层包围柱状结构的侧面，刻蚀阻挡层至少覆盖于介质保护层的棱角位置处。解决了传统MEMS工艺红外探测器的性能低，像素规模低，良率低等问题；以及提升了红外探测器结构稳定性。

关键词：柱状结构反射层测量电路系统红外传感结构红外探测器介质保护层红外转换刻蚀阻挡层支撑底座像元红外探测器结构工艺制备棱角位置电连接反射板全CMOS 良率像素制备包围侧面覆盖

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一种非制冷红外探测器及其制备方法

一种非制冷红外探测器及其制备方法

引用

作者：杨水长甘先锋孙瑞山王宏臣陈文礼王鹏 264006 山东省烟台市经济技术开发区贵阳大街11号

本发明提供了一种非制冷红外探测器制备方法，包括：提供一包含读出电路的半导体衬底，在半导体衬底上依次沉积金属反射层、绝缘介质层、牺牲层、支撑层、金属电极层、氮化硅介质层；刻蚀掉金属电极层上方的部分氮化硅保护层,露出金属... 详细信息

标准号: CN103715307A

本发明提供了一种非制冷红外探测器制备方法，包括：提供一包含读出电路的半导体衬底，在半导体衬底上依次沉积金属反射层、绝缘介质层、牺牲层、支撑层、金属电极层、氮化硅介质层；刻蚀掉金属电极层上方的部分氮化硅保护层,露出金属电极，形成接触孔；在形成接触孔的半导体衬底上沉积热敏薄膜，对热敏薄膜进行图形化处理，然后沉积氮化硅钝化层，进行钝化层图形化和结构释放。本发明还提出了一种非制冷红外探测器结构，即在金属电极之上覆盖热敏薄膜，使非制冷红外探测器对红外的反射率大大降低，提高了探测器的红外吸收效率。

关键词：金属电极半导体衬底热敏制冷薄膜红外探测器接触孔沉积红外探测器结构氮化硅钝化层氮化硅介质绝缘介质层图形化处理沉积金属读出电路红外吸收结构释放制备方法保护层氮化硅钝化层反射层反射率图形化牺牲层支撑层探测器刻蚀露出

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一种量子点红外探测器及其制备方法

一种量子点红外探测器及其制备方法

引用

作者：宋海胜吕逸飞杨霁 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

本发明公开了一种量子点红外探测器及其制备方法，属于半导体红外探测材料技术领域。该红外探测器自下而上依次包括：底电极、电子传输层、量子点吸光层、空穴传输层和顶电极，所述电子传输层为铋基硫属化合物薄膜，所述铋基硫属化合物... 详细信息

标准号: CN114220920A

本发明公开了一种量子点红外探测器及其制备方法，属于半导体红外探测材料技术领域。该红外探测器自下而上依次包括：底电极、电子传输层、量子点吸光层、空穴传输层和顶电极，所述电子传输层为铋基硫属化合物薄膜，所述铋基硫属化合物薄膜、量子点吸光层及空穴传输层形成N‑I‑P型异质结。本发明的量子点红外探测器弥补了探测截止波长≥2um的量子点红外探测器没有合适电子传输层的问题，并且制备的红外探测器结构简单，其性能高效、可重复性强、设备要求简单。

关键词：量子点红外探测器电子传输层硫属化合物薄膜空穴传输层量子点吸光层铋基制备红外探测器结构红外探测材料红外探测器截止波长可重复性设备要求底电极顶电极异质结半导体探测

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红外探测器、光谱芯片和多色成像芯片

红外探测器、光谱芯片和多色成像芯片

引用

作者：程传同王子栋郑玉琳黄北举张旭陈弘达 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

本公开提供一种红外探测器、光谱芯片和多色成像芯片。红外探测器包括：依次叠加的衬底，第一红外量子点层，第一介质层和第二红外量子点层；第一电极和第二电极；其中，第一电极与第二电极设置于第一红外量子点层的同一侧或相对侧，且... 详细信息

标准号: CN117810287A

本公开提供一种红外探测器、光谱芯片和多色成像芯片。红外探测器包括：依次叠加的衬底，第一红外量子点层，第一介质层和第二红外量子点层；第一电极和第二电极；其中，第一电极与第二电极设置于第一红外量子点层的同一侧或相对侧，且第一电极与衬底相接触；第一红外量子点层内设置有第一量子点，第二红外量子点层内设置有第二量子点；第一量子点与第二量子点均用于吸收红外光；以及第一量子点的尺寸大于第二量子点的尺寸。本公开的红外探测器结构简单小巧，易于大规模集成，可以用于制作光谱芯片和多色成像芯片。

关键词：量子点红外量子第一电极芯片红外探测器第二电极多色成像衬底光谱红外光红外探测器结构大规模集成依次叠加介质层吸收制作

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