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2 篇 林明桂
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6 篇 中文

检索条件"主题词=组分浓度梯度"

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一种组分浓度梯度分布的CuFe纳米级球形颗粒的合成方法

一种组分浓度梯度分布的CuFe纳米级球形颗粒的合成方法

引用

作者：孙予罕韩信有房克功林明桂王俊刚郭荷芹 030001 山西省太原市桃园南路27号

一种组分浓度梯度分布的CuFe纳米级球形颗粒的合成方法是按摩尔比Fe：Cu=2-8：1，将硝酸铜、硝酸铁配制成总金属离子浓度为0.05-0.2mol/L的混合A水溶液，按摩尔比Fe：Cu=1：2-8，将硝酸铜、硝酸铁配制成总金属离子浓度为0.05-0.2mol/L... 详细信息

标准号: CN103170287A

一种组分浓度梯度分布的CuFe纳米级球形颗粒的合成方法是按摩尔比Fe：Cu=2-8：1，将硝酸铜、硝酸铁配制成总金属离子浓度为0.05-0.2mol/L的混合A水溶液，按摩尔比Fe：Cu=1：2-8，将硝酸铜、硝酸铁配制成总金属离子浓度为0.05-0.2mol/L的混合B水溶液，碳酸钠水溶液的体积为A水溶液体积的2倍配制碳酸钠水溶液，将甲苯、TX-100和正丁醇混合，得到混合溶液C；将B混合溶液以恒定速度加入到A混合溶液中的同时，将A,B混合得到的溶液与碳酸钠水溶液分别以2倍步骤（4）的速度，并流加入到混合溶液C中，滴加完成后，继续搅拌30-60min，分离，洗涤，干燥，煅烧制得纳米颗粒。本发明具有粒径小，制备方法简单，组分浓度梯度分布的优点。

关键词：混合溶液碳酸钠水溶液金属离子浓度组分浓度梯度按摩尔比硝酸铁硝酸铜水溶液体积恒定速度纳米颗粒球形颗粒制备方法纳米级甲苯滴加丁醇粒径烧制洗涤配制干燥

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一种组分浓度梯度分布的CuFe纳米级球形颗粒的合成方法

一种组分浓度梯度分布的CuFe纳米级球形颗粒的合成方法

引用

作者：孙予罕韩信有房克功林明桂王俊刚郭荷芹 030001 山西省太原市桃园南路27号

标准号: CN103170287B

一种组分浓度梯度分布的CuFe纳米级球形颗粒的合成方法是按摩尔比Fe：Cu=2-8：1，将硝酸铜、硝酸铁配制成总金属离子浓度为0.05-0.2mol/L的混合A水溶液，按摩尔比Fe：Cu=1：2-8，将硝酸铜、硝酸铁配制成总金属离子浓度为0.05-0.2mol/L的混合B水溶液，碳酸钠水溶液的体积为A水溶液体积的2倍配制碳酸钠水溶液，将甲苯、TX-100和正丁醇混合，得到混合溶液C；将B混合溶液以恒定速度加入到A混合溶液中的同时，将A,B混合得到的溶液与碳酸钠水溶液分别以两倍此前步骤的速度，并流加入到混合溶液C中，滴加完成后，继续搅拌30-60min，分离，洗涤，干燥，煅烧制得纳米颗粒。本发明具有粒径小，制备方法简单，组分浓度梯度分布的优点。

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一种电极表面氢气泡生长过程的数值模拟模型构建方法

一种电极表面氢气泡生长过程的数值模拟模型构建方法

引用

作者：詹水清袁睿程然王晓涵王军锋 212013 江苏省镇江市学府路301

本发明公开了一种电极表面氢气泡生长过程的数值模拟模型构建方法，建立二维轴对称计算几何模型并进行网格划分和网格加密处理；推导出描述电极表面单个氢气泡动态生长过程中气液两相传质行为和特性的数学物理模型，考虑气液两相对流作... 详细信息

标准号: CN118313135A

本发明公开了一种电极表面氢气泡生长过程的数值模拟模型构建方法，建立二维轴对称计算几何模型并进行网格划分和网格加密处理；推导出描述电极表面单个氢气泡动态生长过程中气液两相传质行为和特性的数学物理模型，考虑气液两相对流作用、氢气泡生长诱导液相对流的影响和溶解氢组分的扩散行为建立两相流模型；利用两相流模型计算电解水制氢电极表面单个氢气泡生长过程的数据，基于所获得的数据生成电极表面氢气泡生长曲线，完成电极表面氢气泡生长过程的数值模拟。本方法精确地表征复杂的气液两相流动过程，以及过饱和溶解氢组分浓度梯度驱动下的氢组分从气液界面或微液层区域向气泡内进行质量传质、从而促进氢气泡生长的动态过程。

关键词：氢气泡电极表面生长过程两相流溶解氢动态生长过程数学物理模型数值模拟模型组分浓度梯度动态过程几何模型两相传质流动过程模型计算气液界面气液两相生长曲线数据生成数值模拟网格加密电解水过饱和诱导液轴对称生长推导网格传质二维构建气液微液制氢地表扩散驱动

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一种双壳层树枝状介孔中空SiO₂纳米颗粒稳定剂及其制备方法和应用

一种双壳层树枝状介孔中空SiO<Sub>2</Sub>纳米颗粒稳定剂及其制...

引用

作者：鲍艳吴宇鹏高璐项茹张文博刘超祝茜 710021 陕西省西安市未央区大学园

本发明公开了一种双壳层树枝状介孔中空SiO2纳米颗粒稳定剂及其制备方法和应用，属于固体纳米颗粒稳定剂制备技术领域，使用正硅酸乙酯和1,2‑双(三乙氧基硅基)乙烷作为硅源，十六烷基三甲基溴化铵和水杨酸钠形成胶束软模板，通过电荷作... 详细信息

标准号: CN116515500A

本发明公开了一种双壳层树枝状介孔中空SiO₂纳米颗粒稳定剂及其制备方法和应用，属于固体纳米颗粒稳定剂制备技术领域，使用正硅酸乙酯和1,2‑双(三乙氧基硅基)乙烷作为硅源，十六烷基三甲基溴化铵和水杨酸钠形成胶束软模板，通过电荷作用吸引硅包覆于胶束上，利用无机有机硅水解缩合速度的不同，得到具有硅源组分浓度梯度的树枝状纳米颗粒。连续两次进行反应并刻蚀部分无机硅组分，从而获得双组分双壳层树枝状介孔中空SiO₂纳米颗粒。由于有机硅组分中的‑CH₂‑CH₂‑基团存在，采用本发明的方法所制备的双壳层树枝状介孔中空SiO₂纳米颗粒无需再进行表面改性即可具有优异的乳化能力，对Pickering乳液具有很好的稳定作用。

关键词：树枝状纳米颗粒双壳层中空介孔有机硅硅源胶束十六烷基三甲基溴化铵树枝状纳米颗粒制备方法和应用乙烷固体纳米颗粒三乙氧基硅基组分浓度梯度稳定剂制备正硅酸乙酯表面改性电荷作用乳化能力水解缩合水杨酸钠软模板稳定剂无机硅硅包刻蚀制备吸引

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一种提高砷掺杂多晶碲化镉薄膜退火活化效率的方法

一种提高砷掺杂多晶碲化镉薄膜退火活化效率的方法

引用

作者：张静全胡钢武莉莉王文武 610065 四川省成都市武侯区一环路南一段24号

本发明公开了一种提高砷掺杂多晶碲化镉薄膜退火活化效率的方法，包括利用波长、功率和脉冲频率可控的脉冲激光进行温度和区域可控的快速加热；利用流量可控的惰性气体保护高温下的碲化镉薄膜并进行快速降温，实现砷掺杂多晶碲化镉薄膜... 详细信息

标准号: CN117059491A

本发明公开了一种提高砷掺杂多晶碲化镉薄膜退火活化效率的方法，包括利用波长、功率和脉冲频率可控的脉冲激光进行温度和区域可控的快速加热；利用流量可控的惰性气体保护高温下的碲化镉薄膜并进行快速降温，实现砷掺杂多晶碲化镉薄膜退火速率、退火区域可控的快速退火活化。本发明通过可控脉冲激光和惰性气体对砷掺杂多晶碲化镉薄膜快速退火，提升了砷掺杂活化效率，抑制了深能级缺陷的形成，提升了薄膜质量；同时通过快速退火技术，减小了含硒吸收层中硒组分浓度梯度受高温退火的影响；通过区域可控的快速退火，使异质结界面保持较低温度，避免了结区因高温退火而引起的质量下降，最终从整体上提升器件性能。

关键词：碲化镉薄膜快速退火可控的砷掺杂多晶活化退火高温退火脉冲激光惰性气体保护组分浓度梯度深能级缺陷异质结界面惰性气体快速加热快速降温流量可控脉冲频率提升器件退火区域质量下降硒吸收波长减小可控薄膜

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使用溅射和蒸发功能形成硫族化合物半导体材料的方法和系统

使用溅射和蒸发功能形成硫族化合物半导体材料的方法和系统

引用

作者：李文钦严文材邱永升赵应诚中国台湾新竹

本发明公开了一种使用溅射和蒸发功能形成硫族化合物半导体材料的方法和系统，所述方法和系统实现了来自靶的金属前体材料和来自Se基生成系统的Se基的同时沉积。Se基生成系统包括产生Se蒸汽的蒸发器和使用等离子体生成Se基通量的等离子... 详细信息

标准号: CN103021805A

本发明公开了一种使用溅射和蒸发功能形成硫族化合物半导体材料的方法和系统，所述方法和系统实现了来自靶的金属前体材料和来自Se基生成系统的Se基的同时沉积。Se基生成系统包括产生Se蒸汽的蒸发器和使用等离子体生成Se基通量的等离子腔室。可以依次进行多个这种沉积操作，每一个操作具有准确控制的沉积温度。沉积材料可以包括组分浓度梯度或者可以是复合材料，并可以用作太阳能电池中的吸收层。

关键词：沉积化合物半导体材料等离子体组分浓度梯度太阳能电池沉积材料沉积温度等离子腔系统实现蒸发功能准确控制复合材料吸收层蒸发器溅射硫族前体蒸汽金属

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