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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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11 篇 专利

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5 篇 上海林众电子科技...
2 篇 上海蔚来汽车有限...
1 篇 湖南工业大学
1 篇 南方电网科学研究...
1 篇 中国南方电网有限...

作者

5 篇 杨绍明
3 篇 张站旗
2 篇 苏谢祖
2 篇 李中兵
2 篇 张政
2 篇 陈涵
2 篇 王凯
2 篇 张嘉伟
2 篇 杨磊
2 篇 方建强
2 篇 黄建波
1 篇 吴振珲
1 篇 曾荣周
1 篇 赵书
1 篇 廖淋圆
1 篇 马溪原
1 篇 雷金勇
1 篇 袁智勇
1 篇 喻磊
1 篇 胡洋

语言

11 篇 中文

检索条件"主题词=绝缘双极型晶体管"

共 11 条记录，以下是1-10 订阅

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排序：

一种超结绝缘双极型晶体管的终结区制备方法

一种超结绝缘双极型晶体管的终结区制备方法

引用

作者：杨绍明黄建波张站旗 201600 上海市松江区车墩镇泖亭路369号3、4幢

本发明提供一种超结绝缘双极型晶体管的终结区制备方法，该方法包括：S1、提供一半导体器件；S2、从所述在所述形栅极绝缘氧化层的顶部周边向下蚀刻，以形成预定宽度及深度的沟槽一；S3、向所述沟槽一沉积形成P型硅柱，所述P型硅柱作为... 详细信息

标准号: CN115440588B

本发明提供一种超结绝缘双极型晶体管的终结区制备方法，该方法包括：S1、提供一半导体器件；S2、从所述在所述形栅极绝缘氧化层的顶部周边向下蚀刻，以形成预定宽度及深度的沟槽一；S3、向所述沟槽一沉积形成P型硅柱，所述P型硅柱作为终结保护环，其中，形成的所述双极晶体管的崩溃电压值与所述P型硅柱的深度呈正比。其技术方案的有益效果在于，此制备工艺，是通过一个场截止型沟槽双极晶体管的制造程序，在制作N+型发射极层与P+型发射极层前，另外蚀刻出沟槽填入P型掺杂的复晶硅柱来实现，后续完成器件背晶制作。该制备方法的超结结构避免因为接面浓度交互作用产生不可预测的特性，如影响电荷平衡的问题。

关键词：蚀刻双极晶体管发射极层制备终结绝缘双极型晶体管半导体器件绝缘氧化层崩溃电压超结结构顶部周边交互作用影响电荷制备工艺制造程序截止型超结接面晶硅填入沉积制作平衡预测

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一种超结绝缘双极型晶体管的终结区制备方法

一种超结绝缘双极型晶体管的终结区制备方法

引用

作者：杨绍明黄建波张站旗 201600 上海市松江区车墩镇泖亭路369号3、4幢

标准号: CN115440588A

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一种低导通电压的绝缘双极型晶体管及其制备方法

一种低导通电压的绝缘双极型晶体管及其制备方法

引用

作者：杨绍明杨磊张站旗 201500 上海市金山区枫泾镇环东二路153号

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及H01L技术领域，更具体涉及一种低导通电压的绝缘双极型晶体管及其制备方法。本技术方案中发明人在传统场截止型沟槽双极晶体管基础上，在沟槽蚀刻绝缘氧化层后，先做大于45°且小于90°的侧... 详细信息

标准号: CN115458579A

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及H01L技术领域，更具体涉及一种低导通电压的绝缘双极型晶体管及其制备方法。本技术方案中发明人在传统场截止型沟槽双极晶体管基础上，在沟槽蚀刻绝缘氧化层后，先做大于45°且小于90°的侧向磷离子布植，通过大角度侧向布植使磷离子的掺杂集中在沟槽靠近上方的地方，侧壁其他地方的磷离子布植的浓度较低，再通过小角度7‑15°的侧向硼离子布植打在沟槽底部以及靠近底部的侧壁的位置，使底部以及侧壁下方的磷离子被中和，没有被中和掉的磷离子部分来降低栅极导通电压。使本技术方案中的绝缘双极型晶体管既能维持原有的崩溃电压，又具有较低的导通电压和导通电阻，从而降低米勒电容，降低开关损耗，提高器件饱和电流。

关键词：磷离子布植侧向侧壁绝缘双极型晶体管导通电压中和半导体技术领域栅极导通电压绝缘氧化层双极晶体管饱和电流崩溃电压导通电阻沟槽蚀刻开关损耗米勒电容截止型硼离子原有的制备掺杂

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一种超结绝缘双极型晶体管及其制备方法

一种超结绝缘双极型晶体管及其制备方法

引用

作者：杨绍明杨磊方建强 201500 上海市金山区枫泾镇环东二路153号

本发明提供一种超结绝缘双极型晶体管及其制备方法，方法包括：于N型基板上依次形成N型漂移层，N型离子注入层；蚀刻形成的沟槽一部分到达N型漂移层中；于沟槽一内形成复晶硅栅极；形成P型基层；蚀刻形成沟槽二并于沟槽二内沉积形成P型... 详细信息

标准号: CN115472667A

本发明提供一种超结绝缘双极型晶体管及其制备方法，方法包括：于N型基板上依次形成N型漂移层，N型离子注入层；蚀刻形成的沟槽一部分到达N型漂移层中；于沟槽一内形成复晶硅栅极；形成P型基层；蚀刻形成沟槽二并于沟槽二内沉积形成P型复晶硅柱；形成N+发射极以及形成P+发射极；对栅极绝缘氧化层执行正面金属工艺，以形成发射极金属；在N型基板背面依次形成N型场截止层，P型离子注入层；于P型离子注入层背向述N型基板背面执行金属工艺。其技术方案的有益效果在于，其在电荷平衡制程条件下，超级结的双极晶体管的崩溃电压值是由P型复晶硅柱深度决定，有利不同额定电压之功率器件发展。

关键词：金属工艺发射极晶硅背面绝缘双极型晶体管蚀刻蚀刻形成沟槽发射极金属复晶硅栅极绝缘氧化层双极晶体管崩溃电压场截止层电荷平衡功率器件制程条件超级结注入层超结沉积制备基层

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一种能调整导通电压值的绝缘双极型晶体管及其制备方法

一种能调整导通电压值的绝缘双极型晶体管及其制备方法

引用

作者：杨绍明严学田方建强 201500 上海市金山区枫泾镇环东二路153号

本发明涉及半导体技术领域，更具体地涉及一种能调整导通电压值的绝缘双极型晶体管及其制备方法。一种能调整导通电压的绝缘双极型晶体管，其特征在于，自下到上依次包括集电极层、P+型硅衬底层、N+型缓冲层磊晶硅层、N‑型第一漂移层磊... 详细信息

标准号: CN115000165A

本发明涉及半导体技术领域，更具体地涉及一种能调整导通电压值的绝缘双极型晶体管及其制备方法。一种能调整导通电压的绝缘双极型晶体管，其特征在于，自下到上依次包括集电极层、P+型硅衬底层、N+型缓冲层磊晶硅层、N‑型第一漂移层磊晶硅层、N型场截止层、P型基层、贯穿N型场截止层和P型基层并延伸至N‑型第一漂移层磊晶硅层的沟槽、位于沟槽两侧的P型基层上方的N+射极极区和P+射极极区、位于沟槽上方的第一绝缘隔离层、分别位于沟槽两侧的N+射极极区和P+射极极区上方的发射极层，所述沟槽的底部为第二绝缘隔离层，所述沟槽的内部为复晶硅闸极电极，所述沟槽侧壁为闸极绝缘氧化层。本技术方案中的晶体管的击穿电压≥1300V,栅极电压＜2V，正向导通电压＜1.2V@100A/cm²，短路时间＜3us。

关键词：极区射极硅层磊晶绝缘双极型晶体管绝缘隔离层场截止层导通电压漂移层半导体技术领域正向导通电压绝缘氧化层发射极层沟槽侧壁硅衬底层击穿电压集电极层闸极电极栅极电压基层缓冲层短路晶体管晶硅闸极制备贯穿延伸

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一种测试绝缘双极型晶体管芯片的方法、装置及设备

一种测试绝缘双极型晶体管芯片的方法、装置及设备

引用

作者：袁智勇喻磊胡洋黄安迪马溪原雷金勇陈柔伊 510663 广东省广州市萝岗区科学城科翔路11号J1栋3、4、5楼及J3栋3楼

本申请公开了一种测试绝缘双极型晶体管芯片的方法，通过调取绝缘双极型晶体管芯片模型；在所述绝缘双极型晶体管芯片模型的键合线与键合面处设置芯片表面金属层；对设置芯片表面金属层后的绝缘双极型晶体管芯片模型进行仿真模拟，得到... 详细信息

标准号: CN109917266A

本申请公开了一种测试绝缘双极型晶体管芯片的方法，通过调取绝缘双极型晶体管芯片模型；在所述绝缘双极型晶体管芯片模型的键合线与键合面处设置芯片表面金属层；对设置芯片表面金属层后的绝缘双极型晶体管芯片模型进行仿真模拟，得到模拟失效数据，并通过所述模拟失效数据得到与所述绝缘双极型晶体管芯片模型对应的绝缘双极型晶体管芯片的测试结果。由于金属层对器件的结构强度与导热导电中均起到重要作用，同时也影响着所述键合线与所述键合面的连接结构，因此，本申请提供的模型更贴近实际工作中的情况，得到的测试结果也就更准确。本申请同时还提供了一种具有上述有益效果的测试绝缘双极型晶体管芯片的装置、设备及计算机可读存储介质。

关键词：绝缘双极型晶体管芯片模型芯片表面金属层失效数据键合线芯片申请计算机可读存储介质导热仿真模拟连接结构测试键合面金属层导电调取键合

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对绝缘栅双极型晶体管模块的结温进行在线估算的方法及模块

对绝缘栅双极型晶体管模块的结温进行在线估算的方法及模块

引用

作者：李中兵陈涵王凯苏谢祖张政 201804 上海市嘉定区安亭镇安拓路56弄20幢

本申请提供对绝缘栅双极型晶体管模块的结温进行在线估算的方法，该绝缘栅双极型晶体管模块包含电性连接的绝缘栅双极型晶体管及二极管，该方法包括：确定该绝缘栅双极型晶体管的第一功率，以及确定该二极管的第二功率；基于该第一功率... 详细信息

标准号: CN109490739B

本申请提供对绝缘栅双极型晶体管模块的结温进行在线估算的方法，该绝缘栅双极型晶体管模块包含电性连接的绝缘栅双极型晶体管及二极管，该方法包括：确定该绝缘栅双极型晶体管的第一功率，以及确定该二极管的第二功率；基于该第一功率计算该绝缘栅双极型晶体管的第一结温，以及基于该第二功率计算该二极管的第二结温；基于冷却水流量模型对所述第一结温与第二结温分别进行修正，获得修正后的第一结温与修正后的第二结温，其中，所述冷却水流量模型是基于所述冷却水流量和热负荷的关系而建立的，所述冷却水指的是对该绝缘双极型晶体管模块进行冷却的冷却水；以及将修正后的第一结温与修正后的第二结温中的较高者作为该绝缘栅双极型晶体管模块的结温。

关键词：结温绝缘栅双极型晶体管模块绝缘栅双极型晶体管修正冷却水流量二极管功率计算冷却水绝缘双极型晶体管电性连接在线估算热负荷冷却申请

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对绝缘栅双极型晶体管模块的结温进行在线估算的方法及模块

对绝缘栅双极型晶体管模块的结温进行在线估算的方法及模块

引用

作者：李中兵陈涵王凯苏谢祖张政 201804 上海市嘉定区安亭镇安拓路56弄20幢

标准号: CN109490739A

关键词：结温绝缘栅双极型晶体管模块绝缘栅双极型晶体管修正冷却水流量二极管功率计算冷却水绝缘双极型晶体管电性连接在线估算热负荷冷却申请

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一种可实现辅助耗尽和零回跳的阻塞结双沟槽IGBT

一种可实现辅助耗尽和零回跳的阻塞结双沟槽IGBT

引用

作者：曾荣周吴振珲阳治雄赵书廖淋圆 412007 湖南省株洲市泰山西路88号

本发明公开了一种可实现辅助耗尽和零回跳的阻塞结双沟槽绝缘双极型晶体管（SJBJ‑IGBT），属于功率半导体技术领域，本发明在传统阻塞结绝缘双极型晶体管（IPBJ‑IGBT）的P漂移区和N漂移区中加入N柱和P柱，形成具有超结结构的辅助耗尽漂... 详细信息

标准号: CN117012816A

本发明公开了一种可实现辅助耗尽和零回跳的阻塞结双沟槽绝缘双极型晶体管（SJBJ‑IGBT），属于功率半导体技术领域，本发明在传统阻塞结绝缘双极型晶体管（IPBJ‑IGBT）的P漂移区和N漂移区中加入N柱和P柱，形成具有超结结构的辅助耗尽漂移区，在器件正向阻断状态下，由于内部超结的横向辅助耗尽作用，实现器件内部的电场分布均匀，不存在电场峰值，极大地提高了器件的耐压；在器件开通条件下，内部有效漂移区面积的减小，使得P漂移区的内阻塞结侧更容易积累过量的空穴，使得器件更容易开通，且消除了传统器件的回跳现象，实现了零回跳电压和更低的开通损耗。

关键词：漂移区阻塞耗尽绝缘双极型晶体管开通功率半导体技术空穴电场超结结构传统器件电场分布阻断状态双沟槽超结减小耐压正向过量积累

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层叠电容电动机

层叠电容电动机

引用

作者：张嘉伟 400700 重庆市北碚区嘉陵村192号4-3

本实用新型属于静电电机技术领域，具体涉及一种层叠电容电动机，包括线圈和与输出轴固定连接的第一转轴，线圈设有四个电流霍尔传感器，第一转轴外侧套设有若干层电容传动组件，线圈桥式连接有第一绝缘双极型晶体管组、第二绝缘双极型... 详细信息

标准号: CN211151848U

本实用新型属于静电电机技术领域，具体涉及一种层叠电容电动机，包括线圈和与输出轴固定连接的第一转轴，线圈设有四个电流霍尔传感器，第一转轴外侧套设有若干层电容传动组件，线圈桥式连接有第一绝缘双极型晶体管组、第二绝缘双极型晶体管组、第三绝缘双极型晶体管组和第四绝缘双极型晶体管组，四个电流霍尔传感器分别于第一绝缘双极型晶体管组、第二绝缘双极型晶体管组、第三绝缘双极型晶体管组和第四绝缘双极型晶体管组连接，本实用新型可以在较小的体积里面输出更大的力矩，且不需要对材料的过分需求和对转子位置的精准控制。

关键词：绝缘双极型晶体管电流霍尔传感器本实用新型转轴层叠电容传动组件精准控制静电电机转子位置电动机输出轴线圈桥组连接电容输出

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