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  • 1 篇 绝缘栅双极型场效...

机构

  • 1 篇 宽禁带半导体电力...
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作者

  • 1 篇 刁绅
  • 1 篇 杨同同
  • 1 篇 郭亚楠
  • 1 篇 陈宏
  • 1 篇 陶永洪
  • 1 篇 皮彬彬
  • 1 篇 叶士杰
  • 1 篇 柏松
  • 1 篇 杨晓磊
  • 1 篇 刘洋
  • 1 篇 黄润华

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=绝缘栅双极型场效应晶体管"
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排序:
12kV 4H-SiC N沟道IGBT的设计与实现
收藏 引用
固体电子学研究与进展 2018年 第5期38卷 311-315,323页
作者: 杨同同 陶永洪 杨晓磊 黄润华 柏松 宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室南京电子器件研究所 南京210016
报道了一款阻断能力为12kV的4H-SiC N沟道绝缘栅双极型场效应晶体管(IGBT)。器件为穿通IGBT,漂移层厚度为120μm,掺杂浓度为2e14cm^(-3);缓冲层厚度为3μm,掺杂浓度为4e16cm^(-3)。为缓解器件主结边缘处的电场集中效应,采用了结终端扩... 详细信息
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一种具有多有效的IGBT结构
一种具有多有效栅的IGBT结构
收藏 引用
作者: 刁绅 陈宏 刘洋 皮彬彬 叶士杰 郭亚楠 214000 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A2栋14层(东侧)
本发明涉及绝缘栅双极型场效应晶体管技术领域,具体说是一种具有多有效的IGBT结构。它包括具有第一导电类的半导体衬底,半导体衬底的正面有源区内设置有若干个元胞。元胞中依次平行布置有不少于两个条形的沟槽,相连两个沟槽... 详细信息
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