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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

168 篇 专利

馆藏范围

168 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

10 篇 西安电子科技大学
10 篇 台湾积体电路制造...
8 篇 意法半导体股份有...
8 篇 陕西科技大学
5 篇 株式会社日立制作...
5 篇 nxp股份有限公司
5 篇 三星电子株式会社
5 篇 新唐科技股份有限...
5 篇 富士电机株式会社
4 篇 罗姆股份有限公司
4 篇 三洋电机株式会社
3 篇 丰田自动车株式会...
3 篇 苏州生物医学工程...
3 篇 万国半导体股份有...
3 篇 南亚科技股份有限...
3 篇 株式会社东芝
3 篇 南京元络芯科技有...
3 篇 华为技术有限公司
3 篇 飞兆半导体公司
2 篇 日产自动车株式会...

作者

8 篇 毛维
8 篇 孟彦京
8 篇 谢仕宏
8 篇 郝跃
6 篇 高筱筱
6 篇 杨翠
6 篇 杨波
5 篇 李林涛
5 篇 陈景文
5 篇 陈鲁夫
5 篇 陈柏安
5 篇 伊牧
4 篇 山田悟
4 篇 桥本贵之
4 篇 郑雪峰
4 篇 毛星原
4 篇 d·g·帕蒂
4 篇 郭建国
4 篇 范举胜
4 篇 张成豪

语言

168 篇 中文

检索条件"主题词=绝缘栅极"

共 168 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

绝缘栅极型半导体装置及其制造方法

绝缘栅极型半导体装置及其制造方法

引用

作者：成田舜基日本神奈川县

提供一种绝缘栅极型半导体装置及其制造方法，能够缩小元胞尺寸从而能够降低通态电阻。设置有第一导电型的漂移层、配置于漂移层的表面的第二导电型的基区，在基区的表面选择性地设置有第一导电型的源极区和第二导电型的第一接触区。沟... 详细信息

标准号: CN110556413A

提供一种绝缘栅极型半导体装置及其制造方法，能够缩小元胞尺寸从而能够降低通态电阻。设置有第一导电型的漂移层、配置于漂移层的表面的第二导电型的基区，在基区的表面选择性地设置有第一导电型的源极区和第二导电型的第一接触区。沟槽贯通源极区、第一接触区以及基区并设置为格子状，由沟槽划分出排列为格子状的多边形状的活性元胞柱。在沟槽的内侧设置有绝缘栅极型电极构造。各个活性元胞柱具备源极区、第一接触区以及基区，在活性元胞柱的上部表面，第一接触区与活性元胞柱的外周相接。

关键词：元胞导电型接触区基区源极区绝缘栅极格子状漂移层半导体装置电极构造多边形状上部表面通态电阻外周贯通配置制造

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绝缘栅极型半导体装置

绝缘栅极型半导体装置

引用

作者：宫下博行日本神奈川县

本公开提供一种能够抑制单元间隔的增大、且能够抑制由于沟槽底部周边的下侧埋入区与上侧埋入区之间的相对位置的在制造工序中的偏移而导致的特性的偏差的绝缘栅极型半导体装置。绝缘栅极型半导体装置具备：第一导电型的载体输送层，其... 详细信息

标准号: CN111725304A

本公开提供一种能够抑制单元间隔的增大、且能够抑制由于沟槽底部周边的下侧埋入区与上侧埋入区之间的相对位置的在制造工序中的偏移而导致的特性的偏差的绝缘栅极型半导体装置。绝缘栅极型半导体装置具备：第一导电型的载体输送层，其由禁带宽度比硅的禁带宽度宽的半导体材料形成；第二导电型的下侧埋入区，其埋入于载体输送层的上部；多个第二导电型的上侧埋入区，其分散地埋入于下侧埋入区上；第二导电型的注入控制区，其设置于上侧埋入区上；以及绝缘栅极构造，其对位于沟槽的侧壁的注入控制区的表面势进行控制，其中，在平面图案中，沟槽为条状，下侧埋入区具有与沟槽分离设置的第一条部，多个上侧埋入区分别间断性地设置于第一条部上。

关键词：埋入区导电型绝缘栅极半导体装置载体输送层控制区禁带半导体材料分离设置间断性地平面图案抑制单元制造工序表面势宽度比偏移侧壁地埋埋入

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绝缘栅极功率半导体器件以及用于制造这种器件的方法

绝缘栅极功率半导体器件以及用于制造这种器件的方法

引用

作者： L.德-米歇利斯 C.科瓦斯瑞士巴登

绝缘栅极功率半导体器件(1)在发射极侧(22)和集电极侧(27)之间具有(n‑)掺杂漂移层(5)。p掺杂保护枕(8)覆盖沟槽栅极电极(7、7')的沟槽底部(76)。在增强层深度(97)中具有最大增强层掺杂浓度的n掺杂增强层(95)将基极层(4)与漂移层(5)... 详细信息

标准号: CN109314130A

绝缘栅极功率半导体器件(1)在发射极侧(22)和集电极侧(27)之间具有(n‑)掺杂漂移层(5)。p掺杂保护枕(8)覆盖沟槽栅极电极(7、7')的沟槽底部(76)。在增强层深度(97)中具有最大增强层掺杂浓度的n掺杂增强层(95)将基极层(4)与漂移层(5)分离。具有最大等离子体增强层掺杂浓度的n掺杂等离子体增强层(9、9')覆盖保护枕(8)和沟槽栅极电极(7、7')之间的边缘区域。n掺杂浓度从最大增强层掺杂浓度朝向等离子体增强层(9、9')减小，并且n掺杂浓度从最大等离子体增强层掺杂浓度朝向增强层(95)减小，使得n掺杂浓度在增强层(95)和等离子体增强层(9、9')之间具有局部掺杂浓度最小值。

关键词：增强层等离子体增强掺杂沟槽栅极电极保护枕漂移层减小功率半导体器件边缘区域局部掺杂绝缘栅极发射极基极层集电极覆盖

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绝缘栅极功率半导体器件及其制造方法

绝缘栅极功率半导体器件及其制造方法

引用

作者： L·德-米奇伊里斯 M·拉希莫 C·科瓦斯塞瑞士巴登

一种绝缘栅极功率半导体器件(1a)，按照从第一主侧(20)朝向与第一主侧(20)相对的第二主侧(27)的顺序包括：第一导电类型的源极层(3)、第二导电类型的基极层(4)、第一导电类型的增强层(6)以及第一导电类型的漂移层(5)。该绝缘栅极功率半... 详细信息

标准号: CN112930601B

一种绝缘栅极功率半导体器件(1a)，按照从第一主侧(20)朝向与第一主侧(20)相对的第二主侧(27)的顺序包括：第一导电类型的源极层(3)、第二导电类型的基极层(4)、第一导电类型的增强层(6)以及第一导电类型的漂移层(5)。该绝缘栅极功率半导体器件(1a)进一步包括两个相邻的沟槽栅极电极(7)，以形成夹在两个相邻的沟槽栅极电极(7)之间的垂直MOS单元。第二导电类型的保护层(8a)的至少一部分布置在两个相邻的沟槽栅极电极(7)之间的区域中，其中，保护层(8a)由沿着栅极绝缘层(72)延伸的第一导电类型的沟道层(60a；60b)与栅极绝缘层(72)隔开。

关键词：第一导电类型沟槽栅极电极功率半导体器件栅极绝缘层导电类型绝缘栅极保护层沟道层基极层漂移层源极层增强层隔开垂直延伸

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绝缘栅极驱动器、牵引逆变器、电动车

绝缘栅极驱动器、牵引逆变器、电动车

引用

作者：石川俊行日本京都府

一种绝缘栅极驱动器(1)具有：寄存器(443)，构成为存储从非易失性存储器(445)读出的所述调整用数据；栅极驱动部(441)，构成为以基于所述寄存器(443)的存储值设定的各特性进行开关元件的栅极驱动；异常检测部(442)，构成为进行所述非易... 详细信息

标准号: CN117044170A

一种绝缘栅极驱动器(1)具有：寄存器(443)，构成为存储从非易失性存储器(445)读出的所述调整用数据；栅极驱动部(441)，构成为以基于所述寄存器(443)的存储值设定的各特性进行开关元件的栅极驱动；异常检测部(442)，构成为进行所述非易失性存储器(445)以外的异常检测；错误检测校正电路(ECC)，构成为进行写入到所述非易失性存储器(445)的所述调整用数据的错误检测以及错误校正；第一外部端子(FLT1)和第二外部端子(FLT2)，所述第一外部端子(FLT1)构成为将所述异常检测的结果向外部输出，所述第二外部端子(FLT2)构成为将所述错误检测的结果向外部输出；以及，故障控制部(442)，其构成为：在所述调整用数据中检测到1个比特的错误时，将所述第二外部端子(FLT2)设为错误检测时的输出状态，继续所述栅极驱动部(441)的通常动作，并且，在所述调整用数据中检测到2个比特以上的错误时，强制停止所述栅极驱动部(441)。

关键词：外部端子错误检测非易失性存储器栅极驱动部外部输出异常检测寄存器存储驱动器异常检测部错误校正故障控制绝缘栅极开关元件强制停止输出状态通常动作校正电路栅极驱动检测读出写入

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绝缘栅极型半导体装置及其制造方法

绝缘栅极型半导体装置及其制造方法

引用

作者：石川隆正野口晴司日本神奈川县

本发明提供一种绝缘栅极型半导体装置及其制造方法，能够抑制工时的增加、且能够与栅极沟槽的栅极绝缘膜相独立地进行虚设沟槽的栅极绝缘膜不良的筛查。包括以下工序：掘出栅极沟槽(51)和虚设沟槽(42)；隔着栅极绝缘膜(6)在虚设沟槽(42... 详细信息

标准号: CN111613667A

本发明提供一种绝缘栅极型半导体装置及其制造方法，能够抑制工时的增加、且能够与栅极沟槽的栅极绝缘膜相独立地进行虚设沟槽的栅极绝缘膜不良的筛查。包括以下工序：掘出栅极沟槽(51)和虚设沟槽(42)；隔着栅极绝缘膜(6)在虚设沟槽(42)中埋入虚设电极(72)，并且隔着栅极绝缘膜(6)在栅极沟槽(51)中埋入栅极电极(71)；以将虚设电极(72)上露出、且将栅极电极(71)覆盖的方式选择性地形成检查用绝缘膜(11)；在虚设电极(72)和检查用绝缘膜(11)上沉积检查用导电膜(20)；以及在检查用导电膜(20)与电荷输送区(1)之间施加电压，由此选择性地检查虚设沟槽(51)内的栅极绝缘膜(6)的绝缘特性。

关键词：栅极绝缘膜虚设电极栅极沟槽虚设栅极电极检查导电膜绝缘膜埋入半导体装置电荷输送方式选择绝缘特性绝缘栅极施加电压筛查沉积覆盖制造

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绝缘栅极驱动器、牵引逆变器、电动车

绝缘栅极驱动器、牵引逆变器、电动车

引用

作者：石川俊行日本京都府

一种绝缘栅极驱动器(1)具有：开关连接端子(OUT端子等)，其构成为外部连接开关元件；非易失性存储器(445)，其被写入有调整用数据(D1、D2)；寄存器(443)，其构成为存储从非易失性存储器(445)读出的调整用数据(D1、D2)；栅极驱动部(441)... 详细信息

标准号: CN116941226A

一种绝缘栅极驱动器(1)具有：开关连接端子(OUT端子等)，其构成为外部连接开关元件；非易失性存储器(445)，其被写入有调整用数据(D1、D2)；寄存器(443)，其构成为存储从非易失性存储器(445)读出的调整用数据(D1、D2)；栅极驱动部(441)，其构成为以根据寄存器(443)的存储值设定的各特性进行开关元件的栅极驱动；以及控制逻辑部(444)，其在从所述非易失性存储器(445)中读取所述调节用数据(D1、D2)并将所述调节用数据(D1、D2)存储于所述寄存器(443)中的结束之前，将所述栅极驱动部(441)维持在非工作状态。

关键词：非易失性存储器寄存器栅极驱动部存储开关元件驱动器读取开关连接端子非工作状态控制逻辑部绝缘栅极外部连接栅极驱动读出写入

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绝缘栅极功率半导体器件以及用于制造这种器件的方法

绝缘栅极功率半导体器件以及用于制造这种器件的方法

引用

作者： L.德-米歇利斯 C.科瓦斯瑞士巴登

标准号: CN109314130B

关键词：增强层等离子体增强掺杂沟槽栅极电极保护枕漂移层减小功率半导体器件边缘区域局部掺杂绝缘栅极发射极基极层集电极覆盖

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绝缘栅极功率半导体器件及其制造方法

绝缘栅极功率半导体器件及其制造方法

引用

作者： L·德-米奇伊里斯 M·拉希莫 C·科瓦斯塞瑞士巴登

标准号: CN112930601A

关键词：第一导电类型沟槽栅极电极功率半导体器件栅极绝缘层导电类型绝缘栅极保护层沟道层基极层漂移层源极层增强层隔开垂直延伸

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绝缘栅极场效双极性晶体管及其制造方法

绝缘栅极场效双极性晶体管及其制造方法

引用

作者：陈骏盛中国台湾新竹科学工业园区

本发明公开一种绝缘栅极场效双极性晶体管及其制造方法。所述绝缘栅极场效双极性晶体管包括基底、形成于基底内的深阱区及其上方的第一导电型阱区、形成于基底上的栅极结构、位于栅极结构两侧的第一导电型阱区上的源极区与漏极区、阳极... 详细信息

标准号: CN113540223B

本发明公开一种绝缘栅极场效双极性晶体管及其制造方法。所述绝缘栅极场效双极性晶体管包括基底、形成于基底内的深阱区及其上方的第一导电型阱区、形成于基底上的栅极结构、位于栅极结构两侧的第一导电型阱区上的源极区与漏极区、阳极以及阴极。源极区包括第一掺杂区以及介于第一掺杂区与栅极结构之间的第二掺杂区、漏极区包括第三掺杂区以及形成于第三掺杂区上的第四掺杂区。基底、第一掺杂区与第四掺杂区为第一导电型，深阱区、第二掺杂区与第三掺杂区为第二导电型。阳极电性耦接至第四掺杂区，阴极则电性耦接至第一与第二掺杂区。

关键词：掺杂区基底栅极结构双极性晶体管阴极导电型阱区绝缘栅极导电型漏极区深阱区源极区场效电性耦接阳极电性阳极耦接制造

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