检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：刘杰 201206 上海市自由贸易试验区金吉路789号

本申请实施例提供一种绝缘栅极双极型晶体管的保护装置和方法。所述保护装置包括：采集电路，其采集IGBT的驱动信号，并在驱动信号是开通IGBT的第一电平、或者是从关断IGBT的第二电平转为开通IGBT的第一电平的情况下进行延时处理，并根... 详细信息

标准号: CN113394753A

本申请实施例提供一种绝缘栅极双极型晶体管的保护装置和方法。所述保护装置包括：采集电路，其采集IGBT的驱动信号，并在驱动信号是开通IGBT的第一电平、或者是从关断IGBT的第二电平转为开通IGBT的第一电平的情况下进行延时处理，并根据延时处理后的信号和驱动信号输出第一信号；检测电路，其检测IGBT的集电极和发射极之间的电压，并根据所述电压与预设阈值输出第二信号；以及判定电路，其在第一信号和第二信号均有效的情况下输出报警信号或者保护信号。由此，能够以简单的结构进行延时处理并且不会对驱动信号产生影响，能够提高IGBT的性能并且降低保护电路的成本，并且提高对IGBT控制的易调节性。

关键词：驱动信号延时处理保护装置第二信号绝缘栅极双极型晶体管驱动信号输出输出报警信号保护信号采集电路检测电路判定电路易调节性发射极集电极关断开通预设电路采集输出检测申请

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具有低衬底泄露的绝缘栅极双极型晶体管

具有低衬底泄露的绝缘栅极双极型晶体管

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作者：霍克孝郑志昌苏如意叶人豪杨富智蔡俊琳中国台湾新竹

在本发明中提供了一种高电压横向扩散金属氧化物半导体(HV LDMOS)器件(具体为绝缘栅极双极结型晶体管(IGBT))及其制造方法。该器件包括具有至少一个高度掺杂的埋置部分的半导体衬底；在衬底上方生长的第一掺杂阱；在第一阱上形成的栅极... 详细信息

标准号: CN103178114A

在本发明中提供了一种高电压横向扩散金属氧化物半导体(HV LDMOS)器件(具体为绝缘栅极双极结型晶体管(IGBT))及其制造方法。该器件包括具有至少一个高度掺杂的埋置部分的半导体衬底；在衬底上方生长的第一掺杂阱；在第一阱上形成的栅极结构；在栅极结构的一侧上形成的源极和在栅极结构的另一侧形成的漏极；以及在第一阱中形成的具有U形截面的第二掺杂阱。漏极的一部分形成在位于所述第二阱之外的第一阱上方。本发明还提供了一种具有低衬底泄露的绝缘栅极双极型晶体管。

关键词：栅极结构掺杂阱衬底漏极横向扩散金属氧化物半导体绝缘栅极双极型晶体管半导体衬底绝缘栅极晶体管源极电压掺杂生长

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具有低衬底泄露的绝缘栅极双极型晶体管

具有低衬底泄露的绝缘栅极双极型晶体管

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作者：霍克孝郑志昌苏如意叶人豪杨富智蔡俊琳中国台湾新竹

在本发明中提供了一种高电压横向扩散金属氧化物半导体(HV？LDMOS)器件(具体为绝缘栅极双极结型晶体管(IGBT))及其制造方法。该器件包括具有至少一个高度掺杂的埋置部分的半导体衬底；在衬底上方生长的第一掺杂阱；在第一阱上形成的栅... 详细信息

标准号: CN103178114B

在本发明中提供了一种高电压横向扩散金属氧化物半导体(HV？LDMOS)器件(具体为绝缘栅极双极结型晶体管(IGBT))及其制造方法。该器件包括具有至少一个高度掺杂的埋置部分的半导体衬底；在衬底上方生长的第一掺杂阱；在第一阱上形成的栅极结构；在栅极结构的一侧上形成的源极和在栅极结构的另一侧形成的漏极；以及在第一阱中形成的具有U形截面的第二掺杂阱。漏极的一部分形成在位于所述第二阱之外的第一阱上方。本发明还提供了一种具有低衬底泄露的绝缘栅极双极型晶体管。

关键词：栅极结构第一阱掺杂阱衬底漏极一侧一种横向扩散金属氧化物半导体绝缘栅极双极型晶体管双极结型晶体管半导体衬底绝缘栅极埋置部分掺杂的高电压源极泄露生长

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集成绝缘栅极双极型晶体管(IGBT)在矿山架线式电机车调速装置中的应用

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龙岩学院学报 2005年第6期23卷 34-35页

作者：洪茂林龙岩学院物理与机电工程学院福建龙岩364000

论述了绝缘栅极双极型晶体管机车调速装置的结构性能、工作原理,应用中取得的经济效益及其投资回收分析,并得知有着较大推广应用前景。

关键词：绝缘栅极双极型晶体管调速应用

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一种绝缘栅极双极型晶体管IGBT的控制方法及装置

一种绝缘栅极双极型晶体管IGBT的控制方法及装置

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作者：李玮代康伟梁海强刘超张小帅 102606 北京市大兴区采育经济开发区采和路1号

本发明提供了一种绝缘栅极双极型晶体管IGBT的控制方法及装置，该绝缘栅极双极型晶体管IGBT的控制方法包括：获取所述绝缘栅极双极型晶体管IGBT的上桥臂的寿命消耗指数和下桥臂的寿命消耗指数；根据所述上桥臂的寿命消耗指数和下桥臂的... 详细信息

标准号: CN106740260A

本发明提供了一种绝缘栅极双极型晶体管IGBT的控制方法及装置，该绝缘栅极双极型晶体管IGBT的控制方法包括：获取所述绝缘栅极双极型晶体管IGBT的上桥臂的寿命消耗指数和下桥臂的寿命消耗指数；根据所述上桥臂的寿命消耗指数和下桥臂的寿命消耗指数，确定主动短路的桥臂。本发明实施例的绝缘栅极双极型晶体管IGBT的控制方法及装置，通过对IGBT的上桥臂和下桥臂的寿命消耗指数进行比较，选择用于主动短路的桥臂，通过控制上桥臂和三相下桥臂的交替工作，实现延长电机控制器寿命的目的。并且，本发明实施例的方法不涉及电机及电机控制器中的硬件变更，具有普遍适用性，且成本较低。

关键词：寿命消耗绝缘栅极双极型晶体管上桥臂下桥臂电机控制器主动短路桥臂普遍适用性三相下桥臂电机变更

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一种绝缘栅极双极型晶体管IGBT的控制方法及装置

一种绝缘栅极双极型晶体管IGBT的控制方法及装置

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作者：李玮代康伟梁海强刘超张小帅 102606 北京市大兴区采育经济开发区采和路1号

标准号: CN106740260B

关键词：寿命消耗绝缘栅极双极型晶体管上桥臂下桥臂电机控制器主动短路桥臂普遍适用性三相下桥臂电机变更

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一种绝缘栅双极型晶体管的短路保护电路及方法

一种绝缘栅双极型晶体管的短路保护电路及方法

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作者：冉建冉彦杰杜露涛周涛 401133 重庆市江北区鱼嘴镇永和路39号2屋208室

本申请提供一种绝缘栅双极型晶体管的短路保护电路及方法，该电路包括：绝缘栅双极型晶体管；电压检测子电路，用于对所述绝缘栅双极型晶体管的集电极与发射极之间的压降进行采样，以基于所述第一采样电压以确定电压检测电平；温度检测... 详细信息

标准号: CN116760397A

本申请提供一种绝缘栅双极型晶体管的短路保护电路及方法，该电路包括：绝缘栅双极型晶体管；电压检测子电路，用于对所述绝缘栅双极型晶体管的集电极与发射极之间的压降进行采样，以基于所述第一采样电压以确定电压检测电平；温度检测子电路，所述温度检测子电路用于对温度传感器的电压进行采样，以基于所述第二采样电压确定温度检测电平；电流检测子电路，其通过电流传感器与所述绝缘栅极双极型晶体管的发射极连接，所述电流检测子电路用于对所述电流传感器的电压进行采样，以基于所述第三采样电压确定电流检测电平；逻辑选择保护子电路，用于在所述所述绝缘栅双极型晶体管短路时控制所述绝缘栅双极型晶体管关断。

关键词：绝缘栅双极型晶体管子电路采样电压温度检测采样电流传感器电流检测绝缘栅极双极型晶体管电流检测电平电压检测电平短路保护电路发射极连接温度传感器电压检测逻辑选择短路发射极集电极关断压降电路申请

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电动汽车用IGBT及逆变器的电磁兼容性分析

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高电压技术 2014年第6期40卷 1732-1737页

作者：郭彦杰王丽芳廖承林中国科学院电工研究所电力电子与电气驱动重点实验室北京100190

为了抑制电动汽车中的电磁干扰,提高整车的稳定性和安全性,建立了包含杂散参数的绝缘栅极双极型晶体管(IGBT)和三相电压型脉宽调制(PWM)逆变器的等效电路模型,计算得到了IGBT对周边设备的干扰传播增益;并通过仿真和实车实验分析了电动... 详细信息

为了抑制电动汽车中的电磁干扰,提高整车的稳定性和安全性,建立了包含杂散参数的绝缘栅极双极型晶体管(IGBT)和三相电压型脉宽调制(PWM)逆变器的等效电路模型,计算得到了IGBT对周边设备的干扰传播增益;并通过仿真和实车实验分析了电动汽车用逆变器差模电压和共模电流干扰的时域、频域特征以及IGBT开关过程、PWM控制策略和干扰传播路径阻抗对干扰特性的影响。得出如下结论:逆变器的差模干扰主要是由IGBT开关过程和PWM控制策略所决定;逆变器的共模干扰本质上是由三相PWM脉冲之和不为0所引起,并且更多的受干扰传播路径阻抗特性的影响。上述模型和结论为整车电磁兼容性分析和干扰抑制打下了良好的基础。

关键词：电磁兼容电磁干扰绝缘栅极双极型晶体管等效电路模型杂散参数逆变器电动汽车

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基于传热反问题的绝缘栅双极型晶体管模块温度计算方法

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吉林大学学报（工学版） 2011年第6期41卷 1743-1747页

作者：魏克新杜明星天津大学电气与自动化工程学院天津300072 天津理工大学天津市复杂系统控制理论及应用重点实验室天津300384

在分析绝缘栅双极型晶体管(Insulated grid bipolar transistor,IGBT)模块内部传热机理的基础上,建立了集总参数的温度计算模型。采用边界元法对传热反问题的解空间进行离散。采用共轭梯度法求解传热反问题,得到较准确的等效热阻和等效... 详细信息

在分析绝缘栅双极型晶体管(Insulated grid bipolar transistor,IGBT)模块内部传热机理的基础上,建立了集总参数的温度计算模型。采用边界元法对传热反问题的解空间进行离散。采用共轭梯度法求解传热反问题,得到较准确的等效热阻和等效热容值。该方法通过与制造商提供的IGBT模块结温实验数据和有限元方法计算的结果相比较,计算误差小于5%。

关键词：电气工程温度计算模型传热反问题绝缘栅极双极型晶体管结温

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地面核磁共振找水仪大功率发射机的研制

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吉林大学学报（信息科学版） 2007年第3期25卷 268-272页

作者：姜艳秋王应吉段清明王中兴吉林大学地球信息探测仪器教育部重点实验室长春130061

为缓解中国西部地区淡水供需矛盾,研制了一种大功率核磁共振找水仪发射机。该发射机由DDS（Direct Digital Frequency Synthesis）芯片产生频率为当地拉莫尔频率的信号,通过大功率开关器件IGBT（Isolation Gate Bipolar Transistor）向... 详细信息

为缓解中国西部地区淡水供需矛盾,研制了一种大功率核磁共振找水仪发射机。该发射机由DDS（Direct Digital Frequency Synthesis）芯片产生频率为当地拉莫尔频率的信号,通过大功率开关器件IGBT（Isolation Gate Bipolar Transistor）向天线等负载输出交变电流,从而激发地下水中氢质子产生可供检测的核磁信号,已成功应用到地面核磁共振找水仪样机中。与目前世界上唯一商品化的法国NUMIS（Nuclear Magnetic Induction System）系统相比,其频率范围（1～4 kHz）比NUMIS（0.8～3 kHz）宽,最大脉冲矩（18000 ***）比NUMIS（9000 ***）大,能够应用于更深层地下水的探测。

关键词：核磁共振直接数字频率合成器绝缘栅极双极型晶体管谐振

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