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机构

  • 1 篇 华中科技大学
  • 1 篇 沈阳工业大学
  • 1 篇 株式会社东芝
  • 1 篇 电力系统及发电设...

作者

  • 1 篇 欧立生
  • 1 篇 于孟春
  • 1 篇 关新
  • 1 篇 雷明
  • 1 篇 成燕
  • 1 篇 魏应冬
  • 1 篇 申勇哲
  • 1 篇 姜齐荣
  • 1 篇 张树卿
  • 1 篇 梁中华
  • 1 篇 韩英铎
  • 1 篇 松下宪一
  • 1 篇 程善美
  • 1 篇 侯灵犀

语言

  • 4 篇 中文
检索条件"主题词=绝缘门极双极性晶体管"
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抑制高压直流换相失败的串联电压换相变流器及控制方法
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中国电机工程学报 2018年 第22期38卷 6481-6490页
作者： 侯灵犀 魏应冬 张树卿 姜齐荣 韩英铎 电力系统及发电设备控制和仿真国家重点实验室(清华大学)
为有效降低电网换相高压直流(line-commutated converterhighvoltagedirectcurrent,LCC-HVDC)输电系统换相失败的概率,提出串联电压换相变流器(seriesvoltage commutated converter,SVCC)方案。该方案以直接增加换流阀换相电压面积为目... 详细信息
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基于有源箝位的IGBT过电压抑制技术
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变频器世界 2012年 第4期 71-73页
作者： 雷明 程善美 于孟春 申勇哲 华中科技大学控制科学与工程系
在介绍绝缘门极双极性晶体管(IGBT)在关断过程中产生过电压原理基础上,分析了传统的过电压抑制方法存在的问题,给出了一种基于有源箝位的IGBT过电压抑制策略。所给出的有源箝位电路由瞬态电压抑制器(TVS)构成,位于IGBT的集电极与门极之... 详细信息
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半导体装置
半导体装置
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引用
作者： 松下宪一 日本东京都
一种半导体装置，具备：主元件，具有绝缘门极双极性晶体管构造；和感应元件，具有回授电容比上述主元件大的绝缘门极双极性晶体管构造。上述主元件连接在集电极端子与发射极端子之间。上述感应元件经由感应电阻相对于上述主元件并联连... 详细信息
来源： 评论
一种三电平高压变频器IGBT驱动电路的实现
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沈阳工业大学学报 2002年 第4期24卷 309-312页
作者： 梁中华 欧立生 关新 成燕 沈阳工业大学电气工程学院 辽宁沈阳110023
三电平高压变频器对绝缘门极双极性晶体管(IGBT)驱动电路有特殊的要求,比如:高低压侧的隔离问题、绝缘等级、动态驱动能力以及快速保护功能都有严格的要求.采用美国UNITRODE公司生产的UC3726/3727驱动IGBT芯片对,两芯片可组合使用,从而... 详细信息
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