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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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116 篇 专利

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116 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

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机构

17 篇 北京兆易创新科技...
17 篇 长江存储科技有限...
11 篇 旺宏电子股份有限...
11 篇 合肥格易集成电路...
6 篇 三星电子株式会社
5 篇 复旦大学
4 篇 长沙艾尔丰华电子...
4 篇 中国科学院微电子...
4 篇 深圳市国微电子有...
2 篇 美国博通公司
2 篇 群联电子股份有限...
2 篇 南京优存科技有限...
2 篇 西部数据技术公司
2 篇 华邦电子股份有限...
2 篇 爱思开海力士有限...
2 篇 力晶股份有限公司
2 篇 力晶科技股份有限...
2 篇 nxp股份有限公司
2 篇 国际商用机器公司
2 篇 株式会社东芝

作者

9 篇 刘言言
9 篇 许梦
9 篇 付永庆
8 篇 贾建权
7 篇 崔莹
6 篇 张安
6 篇 刘红涛
6 篇 宋雅丽
5 篇 贾信磊
5 篇 闵园园
5 篇 李楷威
4 篇 陈岚
4 篇 陈立刚
4 篇 钟汇才
4 篇 王明
4 篇 林子曾
4 篇 杨诗洋
4 篇 温长清
4 篇 陈巍巍
4 篇 梁擎擎

语言

116 篇 中文

检索条件"主题词=编程存储单元"

共 116 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

编程存储单元与数据读取方法、存储器控制器与储存装置

编程存储单元与数据读取方法、存储器控制器与储存装置

引用

作者：沈建辉曾明晖王清贤中国台湾苗栗县

一种编程存储单元与数据读取方法、存储器控制器与储存装置。该编程存储单元的方法，用于可重写式非易失性存储器模块。此编程存储单元的方法包括：接收用以指示对一个逻辑页面进行变更操作的指令；并且根据此指令识别逻辑页面中的无效... 详细信息

标准号: CN103324581A

一种编程存储单元与数据读取方法、存储器控制器与储存装置。该编程存储单元的方法，用于可重写式非易失性存储器模块。此编程存储单元的方法包括：接收用以指示对一个逻辑页面进行变更操作的指令；并且根据此指令识别逻辑页面中的无效逻辑存取地址与有效逻辑存取地址。本编程存储单元的方法还包括：选择一个物理页面；将对应有效逻辑存取地址的标志设定为有效状态，将对应无效逻辑存取地址的标志设定为无效状态；根据上述的变更操作将上述的标志与属于有效逻辑存取地址的数据编程至所选择的物理页面；以及将此物理页面映射至此逻辑页面。藉此，本方法可有效地增加编程存储单元的速度。

关键词：编程存储单元存取地址逻辑页面物理页面有效逻辑逻辑存取地址非易失性存储器存储器控制器数据读取方法储存装置数据编程无效状态有效状态指令识别根据此映射重写指令

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一种用于可编程芯片的可编程存储单元

一种用于可编程芯片的可编程存储单元

引用

作者：张勇傅启攀张延飞王佩宁 518057 广东省深圳市南山区高新南一道015号国微研发大楼6层A

本发明提供一种用于可编程芯片的可编程存储单元，该电路包括第一反熔丝模块、第二反熔丝模块、第一开关模块、第二开关模块和保护模块；第一反熔丝模块的一端与编程线端相连接，第一反熔丝模块的另一端与第一开关模块的一端以及保护模... 详细信息

标准号: CN103714849A

本发明提供一种用于可编程芯片的可编程存储单元，该电路包括第一反熔丝模块、第二反熔丝模块、第一开关模块、第二开关模块和保护模块；第一反熔丝模块的一端与编程线端相连接，第一反熔丝模块的另一端与第一开关模块的一端以及保护模块的第一输入端相连接，第一开关模块的另一端与第一保护端相连接，第二反熔丝模块的一端与编程线端相连接，第二反熔丝模块的另一端与第二开关模块的一端以及保护模块的第二输入端相连接，第二开关模块的另一端与第二保护端相连接，保护模块的输出端为可编程存储单元的公共输出端。通过以上技术方案，解决了现有可编程存储单元安全性、可靠性较低的问题。

关键词：开关模块反熔丝保护模块连接编程存储单元输出端编程编程芯片电路

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一次性可编程存储单元

一次性可编程存储单元

引用

作者：胡永中百慕大哈密尔顿

本发明涉及一种一次性可编程(OTP)存储单元，该一次性可编程存储单元包含有一介电层，介电层设置于二导电多晶硅区块间，且预先通过电压击穿的诱发，而从非导电状态转变为导电状态，在较佳实施例中，导电多晶硅区块还包含蚀刻底切结构... 详细信息

标准号: CN101171684B

本发明涉及一种一次性可编程(OTP)存储单元，该一次性可编程存储单元包含有一介电层，介电层设置于二导电多晶硅区块间，且预先通过电压击穿的诱发，而从非导电状态转变为导电状态，在较佳实施例中，导电多晶硅区块还包含蚀刻底切结构，便于诱发介电层上的电压击穿，另外，在较佳实施例中，介电层还形成为一个侧壁，覆盖导电多晶硅区块的边缘或隅角，便于通过边缘和隅角电场效应诱发介电层上的电压击穿。

关键词：介电层导电多晶硅区块电压导电状态诱发蚀刻编程存储单元存储单元电场效应侧壁电层编程转变

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一种可编程存储单元

一种可编程存储单元

引用

作者：温长清包朝伟蒋锦艳王佩宁 518057 广东省深圳市南山区高新南一道015号国微研发大楼6层A

本发明公开一种可编程存储单元，包括并联在电源接入端与公共输出端之间的第一开关模块、第一反熔丝模块，以及并联在所述公共输出端与保护端之间的第二开关模块、第二反熔丝模块；所述第一开关模块、第二开关模块用于断开或接通其两端... 详细信息

标准号: CN103730164A

本发明公开一种可编程存储单元，包括并联在电源接入端与公共输出端之间的第一开关模块、第一反熔丝模块，以及并联在所述公共输出端与保护端之间的第二开关模块、第二反熔丝模块；所述第一开关模块、第二开关模块用于断开或接通其两端的电路；所述第一反熔丝模块、第二反熔丝模块在加载编程电压之后由高阻抗变为低阻抗。本发明通过以上技术方案，提供一种新的可编程存储单元，解决现有技术中的可编程存储单元不完善的技术问题。

关键词：开关模块反熔丝编程存储单元输出端阻抗编程电压电源接入加载电路完善

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多次可编程存储单元及其形成方法

多次可编程存储单元及其形成方法

引用

作者：傅景鸿柯钧耀简铎欣许庭祯中国台湾新竹

一种器件，包括有源区和耦合电容器。电容器包括第一浮置栅极，作为耦合电容器的电容器上极板，以及掺杂的半导体区，作为耦合电容器的电容器下极板。掺杂半导体区包括位于有源区的表面处的表面部，以及低于表面部的底面的侧壁部。侧壁... 详细信息

标准号: CN103367368A

一种器件，包括有源区和耦合电容器。电容器包括第一浮置栅极，作为耦合电容器的电容器上极板，以及掺杂的半导体区，作为耦合电容器的电容器下极板。掺杂半导体区包括位于有源区的表面处的表面部，以及低于表面部的底面的侧壁部。侧壁部位于有源区的侧壁上。电容器绝缘体设置在电容器上极板和电容器下极板之间。电容器绝缘体包括上部，以及低于上部的底面的侧壁部。本发明还提供了多次可编程存储单元及其形成方法。

关键词：电容器侧壁极板耦合电容器有源电容器绝缘体上部半导体掺杂编程存储单元浮置栅极

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可编程存储单元

可编程存储单元

引用

作者：乔纳森·斯密特罗伊·米尔顿·卡尔森陆勇欧文·海因斯美国加利福尼亚州

本实用新型涉及可编程存储单元。一种可编程存储单元，包括：基板，包括原生掺杂注入区；厚氧化物隔离件晶体管，设置在所述原生掺杂注入区内的所述基板上；可编程薄氧化物抗熔丝，设置在与所述厚氧化物隔离件晶体管的第一侧相邻的所述... 详细信息

标准号: CN203456098U

本实用新型涉及可编程存储单元。一种可编程存储单元，包括：基板，包括原生掺杂注入区；厚氧化物隔离件晶体管，设置在所述原生掺杂注入区内的所述基板上；可编程薄氧化物抗熔丝，设置在与所述厚氧化物隔离件晶体管的第一侧相邻的所述基板上并位于所述基板的所述原生掺杂注入区内；以及第一厚氧化物存取晶体管和第二厚氧化物存取晶体管，设置在所述基板上，所述第一厚氧化物存取晶体管设置在所述厚氧化物隔离件晶体管的第二侧与所述第二厚氧化物存取晶体管之间。隔离件晶体管的横向距离降低了可能改变断裂部位的位置的影响，从而增加可编程存储单元的IV特性的均匀性。此外，第二厚氧化物存取晶体管的增设提供增加电压保护的好处。

关键词：氧化物存取晶体管基板晶体管编程存储单元氧化物隔离掺杂电压保护断裂部位横向距离隔离件均匀性熔丝编程

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一次性可编程存储单元及制造方法、半导体器件

一次性可编程存储单元及制造方法、半导体器件

引用

作者：蔡建祥蔡进生杜鹏周玮 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

本发明公开了一种一次性可编程存储单元及制造方法、半导体器件。本发明涉及半导体制造领域，解决了现有技术中不能在逻辑单元和存储单元集成在同一芯片上的同时，实现对存储单元的灵活编程的问题。本发明实施例提供的方案为：一种一次... 详细信息

标准号: CN103187420A

本发明公开了一种一次性可编程存储单元及制造方法、半导体器件。本发明涉及半导体制造领域，解决了现有技术中不能在逻辑单元和存储单元集成在同一芯片上的同时，实现对存储单元的灵活编程的问题。本发明实施例提供的方案为：一种一次性可编程存储单元，所述一次性可编程存储单元为MOS管组成，所述一次性可编程存储单元为MOS管组成，所述MOS管的源区上方覆盖隔离接触电极和源区的保留掩蔽层，所述保留掩蔽层用于编程时使所述接触电极和所述源区之间产生击穿。本发明实施例系统集成芯片、微处理芯片等。

关键词：编程存储单元掩蔽电极编程半导体制造领域芯片系统集成芯片半导体器件存储单元逻辑单元对存储微处理接触隔离

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一次可编程存储单元、存储器及其制备方法

一次可编程存储单元、存储器及其制备方法

引用

作者：林殷茵王明 200433 上海市杨浦区邯郸路220号

本发明属于一次可编程存储器技术领域，具体为一种一次可编程存储（OTP）单元、存储器及其制备方法。该OTP单元包括下电极、上电极以及置于上电极和下电极之间的存储介质层，所述存储介质层包括：第一金属氧化物层以及第二金属氧化物层... 详细信息

标准号: CN102332454B

本发明属于一次可编程存储器技术领域，具体为一种一次可编程存储（OTP）单元、存储器及其制备方法。该OTP单元包括下电极、上电极以及置于上电极和下电极之间的存储介质层，所述存储介质层包括：第一金属氧化物层以及第二金属氧化物层，其中，第一金属氧化物层和第二金属氧化物层之间形成用于编程的相邻接区域。该OTP包括按行和列排列的多个以上所述及的一次可编程存储单元。该OTP单元以及OTP具有编程电压低、单元面积小、可集成于集成电路的后端结构中、工艺灵活性强的特点，并且其制备方法相对简单、成本低。

关键词：金属氧化物电极编程存储介质制备方法编程存储单元编程存储器工艺灵活性单元面积存储器后端集成电路存储排列

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一次可编程存储单元及其制造方法和一次可编程存储阵列

一次可编程存储单元及其制造方法和一次可编程存储阵列

引用

作者：梁擎擎朱慧珑钟汇才 410100 湖南省长沙市长沙经济技术开发区管委会信息楼12楼(三一路2号)

本发明涉及一次可编程存储单元及其制造方法和一次可编程存储阵列。本发明通过采用自下而上依次为衬底、电介质层、多晶硅或多晶硅锗层的结构，提供了低成本的一次性可编程存储单元及其制造方法，该存储单元包括电容器和MOS晶体管。电... 详细信息

标准号: CN102324428A

本发明涉及一次可编程存储单元及其制造方法和一次可编程存储阵列。本发明通过采用自下而上依次为衬底、电介质层、多晶硅或多晶硅锗层的结构，提供了低成本的一次性可编程存储单元及其制造方法，该存储单元包括电容器和MOS晶体管。电容器包括：由形成在半导体衬底中的掺杂区域或者形成在绝缘衬底上的导电材料层形成的第一电极、所述电介质层和由第一多晶硅或多晶硅锗层形成的第二电极。MOS晶体管的有源层位于与所述第一电介质层采用相同的工艺同时形成在所述半导体衬底上或绝缘衬底上的第二电介质层上，并且所述有源层由与所述第一多晶硅或多晶硅锗层采用相同的工艺同时形成的第二多晶硅或多晶硅锗层形成。

关键词：多晶硅锗层电介质层多晶硅电容器编程存储单元半导体衬底绝缘衬底电极有源编程存储阵列掺杂区域存储单元导电材料低成本衬底

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高可靠性一次可编程存储单元、存储器及其制备方法

高可靠性一次可编程存储单元、存储器及其制备方法

引用

作者：林殷茵王明 200433 上海市杨浦区邯郸路220号

本发明属于一次可编程存储器技术领域，具体为一种高可靠性一次可编程存储（OTP）单元、存储器及其制备方法。该OTP单元包括下电极、上电极以及两个或两个以上并联置于上电极和下电极之间的存储介质层。该存储介质层包括：第一金属氧化... 详细信息

标准号: CN102339949A

本发明属于一次可编程存储器技术领域，具体为一种高可靠性一次可编程存储（OTP）单元、存储器及其制备方法。该OTP单元包括下电极、上电极以及两个或两个以上并联置于上电极和下电极之间的存储介质层。该存储介质层包括：第一金属氧化物层和第二金属氧化物层，第一和第二金属氧化物层之间形成用于编程的相邻接区域。该OTP包括按行和列排列的多个所述一次可编程存储单元。本发明OTP可靠性高、编程电压低、单元面积小、可集成于集成电路的后端结构中、工艺灵活性强，其制备方法相对简单、成本低。

关键词：电极金属氧化物编程存储介质制备方法编程存储单元编程存储器工艺灵活性存储器单元面积并联后端集成电路存储排列

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