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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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116 篇 专利

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116 篇 电子文献
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机构

17 篇 北京兆易创新科技...
17 篇 长江存储科技有限...
11 篇 旺宏电子股份有限...
11 篇 合肥格易集成电路...
6 篇 三星电子株式会社
5 篇 复旦大学
4 篇 长沙艾尔丰华电子...
4 篇 中国科学院微电子...
4 篇 深圳市国微电子有...
2 篇 美国博通公司
2 篇 群联电子股份有限...
2 篇 南京优存科技有限...
2 篇 西部数据技术公司
2 篇 华邦电子股份有限...
2 篇 爱思开海力士有限...
2 篇 力晶股份有限公司
2 篇 力晶科技股份有限...
2 篇 nxp股份有限公司
2 篇 国际商用机器公司
2 篇 株式会社东芝

作者

9 篇 刘言言
9 篇 许梦
9 篇 付永庆
8 篇 贾建权
7 篇 崔莹
6 篇 张安
6 篇 刘红涛
6 篇 宋雅丽
5 篇 贾信磊
5 篇 闵园园
5 篇 李楷威
4 篇 陈岚
4 篇 陈立刚
4 篇 钟汇才
4 篇 王明
4 篇 林子曾
4 篇 杨诗洋
4 篇 温长清
4 篇 陈巍巍
4 篇 梁擎擎

语言

116 篇 中文

检索条件"主题词=编程存储单元"

共 116 条记录，以下是11-20 订阅

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详细简洁

排序：

一种用于FPGA的可编程存储单元电路

一种用于FPGA的可编程存储单元电路

引用

作者：傅啟攀温长清 518057 广东省深圳市南山区高新南一道015号国微研发大楼6层A

本发明公开一种用于FPGA的可编程存储单元电路，该存储单元电路包括存储位置、电源、地；所述存储位置与地通过第一不可逆编程连接器件连接；所述存储位置与电源通过第二不可逆编程连接器件连接；在所述存储单元电路编程为0后，所述第... 详细信息

标准号: CN102956261B

本发明公开一种用于FPGA的可编程存储单元电路，该存储单元电路包括存储位置、电源、地；所述存储位置与地通过第一不可逆编程连接器件连接；所述存储位置与电源通过第二不可逆编程连接器件连接；在所述存储单元电路编程为0后，所述第一不可逆编程连接器件被不可逆编程为将所述存储位置与地永久连接；在所述存储单元电路编程为1后，所述第二不可逆编程连接器件被不可逆编程为将所述存储位置与电源永久连接。本发明通过以上技术方案，解决现有技术中用于FPGA的可编程存储单元电路安全性、可靠性偏低的技术问题。

关键词：存储位置编程连接器存储单元电路编程编程存储单元连接电源电路

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一次性可编程存储单元阵列及其制造方法

一次性可编程存储单元阵列及其制造方法

引用

作者：梁擎擎朱慧珑钟汇才 410100 湖南省长沙市经济技术开发区三一路2号

本发明提供了一次性可编程存储单元阵列及其制造方法。该存储单元阵列，包括：形成在支撑衬底上的绝缘层；形成在所述绝缘层上的导电材料层的多个相互分离的条形部分；形成在所述导电材料层的多个相互分离的条形部分上以及所述条形部分... 详细信息

标准号: CN102361030B

本发明提供了一次性可编程存储单元阵列及其制造方法。该存储单元阵列，包括：形成在支撑衬底上的绝缘层；形成在所述绝缘层上的导电材料层的多个相互分离的条形部分；形成在所述导电材料层的多个相互分离的条形部分上以及所述条形部分之间的所述绝缘层的部分上的电介质层；以及形成在所述电介质层上的与所述导电材料层的多个相互分离的条形部分垂直的多晶硅或多晶硅锗层的多个相互分离的条形部分，所述导电材料层的每一个所述条形部分与所述多晶硅或多晶硅锗层的每一个所述条形部分的重叠之处形成有一个存储单元。

关键词：导电材料绝缘层多晶硅锗层电介质层多晶硅编程存储单元存储单元阵列存储单元支撑衬底重叠

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一次可编程存储单元及其制造方法和一次可编程存储阵列

一次可编程存储单元及其制造方法和一次可编程存储阵列

引用

作者：梁擎擎朱慧珑钟汇才 410100 湖南省长沙市长沙经济技术开发区管委会信息楼12楼(三一路2号)

本发明涉及一次可编程存储单元及其制造方法和一次可编程存储阵列。本发明通过采用自下而上依次为衬底、电介质层、多晶硅或多晶硅锗层的结构，提供了低成本的一次性可编程存储单元及其制造方法，该存储单元包括电容器和MOS晶体管。电... 详细信息

标准号: CN102324428B

本发明涉及一次可编程存储单元及其制造方法和一次可编程存储阵列。本发明通过采用自下而上依次为衬底、电介质层、多晶硅或多晶硅锗层的结构，提供了低成本的一次性可编程存储单元及其制造方法，该存储单元包括电容器和MOS晶体管。电容器包括：由形成在半导体衬底中的掺杂区域或者形成在绝缘衬底上的导电材料层形成的第一电极、所述电介质层和由第一多晶硅或多晶硅锗层形成的第二电极。MOS晶体管的有源层位于与所述第一电介质层采用相同的工艺同时形成在所述半导体衬底上或绝缘衬底上的第二电介质层上，并且所述有源层由与所述第一多晶硅或多晶硅锗层采用相同的工艺同时形成的第二多晶硅或多晶硅锗层形成。

关键词：多晶硅锗层电介质层多晶硅电容器编程存储单元半导体衬底绝缘衬底电极有源编程存储阵列掺杂区域存储单元导电材料低成本衬底

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高可靠性一次可编程存储单元、存储器及其制备方法

高可靠性一次可编程存储单元、存储器及其制备方法

引用

作者：林殷茵王明 200433 上海市杨浦区邯郸路220号

本发明属于一次可编程存储器技术领域，具体为一种高可靠性一次可编程存储（OTP）单元、存储器及其制备方法。该OTP单元包括下电极、上电极以及两个或两个以上并联置于上电极和下电极之间的存储介质层。该存储介质层包括：第一金属氧化... 详细信息

标准号: CN102339949B

本发明属于一次可编程存储器技术领域，具体为一种高可靠性一次可编程存储（OTP）单元、存储器及其制备方法。该OTP单元包括下电极、上电极以及两个或两个以上并联置于上电极和下电极之间的存储介质层。该存储介质层包括：第一金属氧化物层和第二金属氧化物层，第一和第二金属氧化物层之间形成用于编程的相邻接区域。该OTP包括按行和列排列的多个所述一次可编程存储单元。本发明OTP可靠性高、编程电压低、单元面积小、可集成于集成电路的后端结构中、工艺灵活性强，其制备方法相对简单、成本低。

关键词：电极金属氧化物编程存储介质制备方法编程存储单元编程存储器工艺灵活性存储器单元面积并联后端集成电路存储排列

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自动对准的鳍型可编程存储单元

自动对准的鳍型可编程存储单元

引用

作者：龙翔澜马修·J·布雷杜斯克林仲汉中国台湾新竹科学工业园区力行路16号

本发明公开了一种自动对准的鳍型可编程存储单元，该存储单元具有一底电极与一存取装置电性耦接、一顶电极及一L形存储材料元件与底电极和顶电极电性耦接。一种存储阵列包括由上述存储单元构成的阵列，其与存取装置阵列电性耦接。本发... 详细信息

标准号: CN102244194A

本发明公开了一种自动对准的鳍型可编程存储单元，该存储单元具有一底电极与一存取装置电性耦接、一顶电极及一L形存储材料元件与底电极和顶电极电性耦接。一种存储阵列包括由上述存储单元构成的阵列，其与存取装置阵列电性耦接。本发明的另一目的为提供一种制造一具有上述存储单元的存储阵列的方法。

关键词：存储单元电极存储阵列存取装置电性编程存储单元存储材料电极电性鳍型

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非易失性可编程存储单元和存储阵列

非易失性可编程存储单元和存储阵列

引用

作者： G·蒙雷亚尔美国马萨诸塞州

一种非易失性一次可编程存储单元，其串联耦合两端熔丝和三端反熔丝。在非易失性可编程存储阵列中可以包括多个这样的存储单元。还描述了一种能够再编程的非易失性可编程存储单元。

标准号: CN102077299B

关键词：编程存储单元编程存储阵列串联耦合存储单元反熔丝熔丝编程

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自动对准的鳍型可编程存储单元

自动对准的鳍型可编程存储单元

引用

作者：龙翔澜马修·J·布雷杜斯克林仲汉中国台湾新竹科学工业园区力行路16号

标准号: CN102244194B

本发明公开了一种自动对准的鳍型可编程存储单元，该存储单元具有一底电极与一存取装置电性耦接、一顶电极及一L形存储材料元件与底电极和顶电极电性耦接。一种存储阵列包括由上述存储单元构成的阵列，其与存取装置阵列电性耦接。本发明的再一目的为提供一种制造一具有上述存储单元的存储阵列的方法。

关键词：存储单元电极存储阵列存取装置电性编程存储单元存储材料电极电性鳍型

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一次可编程存储单元、存储器及其制备方法

一次可编程存储单元、存储器及其制备方法

引用

作者：林殷茵王明 200433 上海市杨浦区邯郸路220号

本发明属于一次可编程存储器技术领域，具体为一种一次可编程存储（OTP）单元、存储器及其制备方法。该OTP单元包括下电极、上电极以及置于上电极和下电极之间的存储介质层，所述存储介质层包括：第一金属氧化物层以及第二金属氧化物层... 详细信息

标准号: CN102332454A

本发明属于一次可编程存储器技术领域，具体为一种一次可编程存储（OTP）单元、存储器及其制备方法。该OTP单元包括下电极、上电极以及置于上电极和下电极之间的存储介质层，所述存储介质层包括：第一金属氧化物层以及第二金属氧化物层，其中，第一金属氧化物层和第二金属氧化物层之间形成用于编程的相邻接区域。该OTP包括按行和列排列的多个以上所述及的一次可编程存储单元。该OTP单元以及OTP具有编程电压低、单元面积小、可集成于集成电路的后端结构中、工艺灵活性强的特点，并且其制备方法相对简单、成本低。

关键词：金属氧化物电极编程存储介质制备方法编程存储单元编程存储器工艺灵活性单元面积存储器后端集成电路存储排列

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基于可编程存储单元的移位寄存器结构

基于可编程存储单元的移位寄存器结构

引用

作者：刘彤冯盛孙中远胡凯 214072 江苏省无锡市滨湖区蠡园开发区国家工业设计园530大厦2号楼2003室

本发明涉及一种基于可编程存储单元的移位寄存器结构，其包括移位时钟使能模块以及至少一个用于存储或移位寄存的移位寄存基本结构，移位寄存基本结构包括存储单元、输入控制模块以及时钟使能区域控制模块，时钟使能区域控制模块与移位... 详细信息

标准号: CN104681092A

本发明涉及一种基于可编程存储单元的移位寄存器结构，其包括移位时钟使能模块以及至少一个用于存储或移位寄存的移位寄存基本结构，移位寄存基本结构包括存储单元、输入控制模块以及时钟使能区域控制模块，时钟使能区域控制模块与移位时钟使能模块的输出端连接，移位时钟使能模块能向时钟使能区域控制模块输入时钟使能控制信号，以使得时钟使能区域控制模块根据时钟使能控制信号产生所需的区域使能移位控制信号。本发明以可编程逻辑单元中的存储单元作为基本单元，能配置成存储单元或移位寄存器，有效地实现了宽时钟周期的移位功能，逻辑可控性强，移位实现灵活。

关键词：区域控制模块移位存储单元移位时钟控制信号移位寄存器结构编程存储单元移位控制信号移位寄存器编程逻辑基本单元时钟周期输入控制移位功能配置成输出端存储连接

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非易失性可编程存储单元和存储阵列

非易失性可编程存储单元和存储阵列

引用

作者： G·蒙雷亚尔美国马萨诸塞州

标准号: CN102077299A

关键词：编程存储单元编程存储阵列串联耦合存储单元反熔丝熔丝编程

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