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  • 245 篇 电子文献
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  • 1 篇 工学
    • 1 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 1 篇 逻辑工艺
  • 1 篇 数据保持
  • 1 篇 存储器
  • 1 篇 编程存储器

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  • 245 篇 中文
检索条件"主题词=编程存储器"
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编程存储器单元的方法
编程存储器单元的方法
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作者： 王郁仁 郑旭辰 邓端理 中国台湾新竹市
本发明提供一种编程存储器阵列的方法。提供至少一存储器单元，其中存储器单元包括磁性元件。提供至少一电流源耦接至磁性元件。从至少一电流源供应多非零电流位准的一单向电流至磁性元件。
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编程存储器的方法
编程存储器的方法
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作者： 李逸哲 黄怀莹 中国台湾新竹市
一种编程存储器的方法，包含在第一时间周期将写入信号的电流位阶设定为不为零的第一数值。在第一时间周期提供写入信号至存储器元件。在第二时间周期将写入信号的电流位阶从不为零的第一数值调整至不为零的第二数值，不为零的第二数值... 详细信息
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三维纵向电编程存储器
三维纵向电编程存储器
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作者： 张国飙 310051 浙江省杭州市5288信箱
本发明提出一种三维纵向电编程存储器（3D‑EPMV）。它含有多层堆叠的水平地址线，多个穿透水平地址线的存储井，一层覆盖存储井边墙、厚度小于100nm的薄存储膜（包括编程膜和二极管膜），多条形成在存储井中的竖直地址线。由于薄存储膜... 详细信息
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一种用于控制单次可编程存储器的控制电路及其控制方法
一种用于控制单次可编程存储器的控制电路及其控制方法
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作者： 朱潇挺 蒋振雷 214192 江苏省无锡市锡山区锡山经济技术开发区芙蓉中三路99号
本发明公开了一种用于控制单次可编程存储器的控制电路及其控制方法，包括上位机、接口电路、总线控制器以及单次可编程存储器，上位机通过接口电路与总线控制器连接，总线控制器同时与单次可编程存储器连接，上位机通过一根数据线与接... 详细信息
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用于编程存储器阵列的方法
用于编程存储器阵列的方法
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作者： 本迪克·克莱韦兰 李泰元 于承恩 杨嘉 李锋 杨晓宇 美国加利福尼亚州
本发明揭示用于编程存储器阵列的方法和设备。在一个实施例中，在编程各个字线后，设法检测所述字线上的缺陷。如果检测到缺陷，那么用冗余字线修复所述字线。然后重新编程所述字线并重新检查是否有缺陷。在另一个实施例中，在编程各个... 详细信息
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多位元三维掩膜编程存储器
多位元三维掩膜编程存储器
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作者： 张国飙 310051 浙江省杭州市(高新区)邮政信箱5288号
本发明提供一种多位元（largebit-per-cell）三维掩膜编程存储器（3D-MPROMB），其每个存储元能存储多位（如4位）信息。3D-MPROMB通过在存储元中增加电阻膜和/或电阻元素来增大存储元伏－安曲线可调节的范围。
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一次性可编程存储器中启动程序的运行方法及装置
一次性可编程存储器中启动程序的运行方法及装置
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作者： 胡家安 刘尚林 施明刚 518000 广东省深圳市南山区科技中二路深圳软件园12号楼701、702室
本发明实施例公开了一次性可编程存储器中启动程序的运行方法及装置，用于芯片运行OTP存储器中的启动程序。本发明实施例方法包括：获取校验正确的配置表后，根据配置表中保存的主启动程序所在的OTP区块的偏移地址，依次对OTP区块进行CR... 详细信息
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多位元三维掩膜编程存储器
多位元三维掩膜编程存储器
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作者： 张国飙 310051 浙江省杭州市(高新区)邮政信箱5288号
本发明提供一种多位元（large bit‑per‑cell）三维掩膜编程存储器（3D‑MPROMB），其每个存储元能存储多位（如4位）信息。3D‑MPROMB通过在存储元中增加电阻膜和/或电阻元素来增大存储元伏－安曲线可调节的范围。
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多位元三维掩膜编程存储器
多位元三维掩膜编程存储器
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作者： 张国飙 610051 四川省成都市建设路59号5A-001信箱
本发明提供一种多位元(large bit-per-cell)三维掩膜编程存储器(3D-MPROMB)，其每个存储元能存储多位(如4位)信息。3D-MPROMB通过在存储元中增加电阻膜和/或电阻元素来增大存储元伏-安曲线可调节的范围。
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电可编程存储器、编程方法以及读方法
电可编程存储器、编程方法以及读方法
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作者： 安德鲁·博尼 英国汉普郡
一种电可编程存储器，包括：一个具有漏电极和源电极的浮动栅FET单元(10)；用于在编程时间(TP)向漏电极施加第一电压(VPP)的装置；用于在编程时间向源电极施加第二电压(VML)的装置，该第二电压在两个以上的电平之间是可变的，以便确定... 详细信息
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