检索结果-内蒙古大学图书馆

电子与封装 2015年第3期15卷 35-37,48页

作者：王印权刘国柱徐海铭郑若成洪根深中国电子科技集团公司第58研究所江苏无锡214035

主要研究了编程参数对MTM反熔丝单元编程特性的影响,包括编程电压、编程电流、编程次数等。结果表明在满足最低编程电压条件下,编程电压的增大对反熔丝编程电阻无显著影响。编程电流对编程电阻的影响较大,编程电流越大,反熔丝编程电阻... 详细信息

主要研究了编程参数对MTM反熔丝单元编程特性的影响,包括编程电压、编程电流、编程次数等。结果表明在满足最低编程电压条件下,编程电压的增大对反熔丝编程电阻无显著影响。编程电流对编程电阻的影响较大,编程电流越大,反熔丝编程电阻越小。编程次数的增多可减小编程电阻,但离散性增大。

关键词： MTM反熔丝单元编程电阻编程电压编程次数

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一种EEPROM擦写控制装置

一种EEPROM擦写控制装置

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作者：陈高飞沈梓荣彭洪伟邱红霞苗书立 518000 广东省深圳市南山区南商路97号华英大厦A201室

本实用新型适用于存储技术领域，提供了一种EEPROM擦写控制装置，包括系统接口和EEPROM存储单元，所述装置还包括：SRAM缓冲单元；分别与所述系统接口、EEPROM存储单元、SRAM缓冲单元电连接的存储映射控制器；以及与所述存储映射控制器... 详细信息

标准号: CN202720900U

本实用新型适用于存储技术领域，提供了一种EEPROM擦写控制装置，包括系统接口和EEPROM存储单元，所述装置还包括：SRAM缓冲单元；分别与所述系统接口、EEPROM存储单元、SRAM缓冲单元电连接的存储映射控制器；以及与所述存储映射控制器电连接的电源管理单元。本实用新型实现了对EEPROM存储单元的零延时访问，可以大幅提高EEPROM的擦写和编程次数，拓展EEPROM存储单元的擦写寿命。

关键词：存储单元擦写存储映射缓冲单元系统接口控制器电连接存储技术领域电源管理单元编程次数控制装置延时拓展

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一种可编程芯片的编程控制电路

一种可编程芯片的编程控制电路

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作者：王钊 214135 江苏省无锡市新区太湖国际科技园清源路530大厦A区10层

本实用新型涉及智能芯片领域，具体涉及一种可编程芯片的编程控制电路，包括若干个数据组单元，编程识别单元和切换单元，各个数据组单元包括一个标志位子单元和多个编程数据位子单元，用于识别编程次数的所述编程识别单元，分别与各个... 详细信息

标准号: CN204229143U

本实用新型涉及智能芯片领域，具体涉及一种可编程芯片的编程控制电路，包括若干个数据组单元，编程识别单元和切换单元，各个数据组单元包括一个标志位子单元和多个编程数据位子单元，用于识别编程次数的所述编程识别单元，分别与各个数据组单元中的标志位子单元相连接，识别所述标志位子单元的标志位信号，并控制所述切换单元，所述切换单元连接所述各数据组单元的编程数据位子单元，并在所述编程识别单元的控制下，接通对应的编程数据位子单元，输出对应的编程数据位信号。本实用新型无需特殊工艺，即可实现能多次编程的效果，以节省芯片生产时的光刻步骤，降低了成本，而且可根据需要增减数据组单元的个数，来实现多次编程目的。

关键词：位子单元数据组编程编程数据编程控制电路编程数据位编程次数编程芯片单元连接光刻步骤特殊工艺智能芯片标志位芯片连接

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一种大容量固态存储板

一种大容量固态存储板

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作者：张硕 100089 北京市海淀区紫竹院路81号院3号楼708

本实用新型的目的是提供一种大容量固态存储板，采用1片FPGA连接4个NAND FLASH阵列，每个阵列由16片16GB的SLC NAND FLASH芯片组成，最小存储单位为256MB，用FPGA代码实现NAND FLASH阵列控制器，NAND FLASH存储阵列采用滚筒存储方式，... 详细信息

标准号: CN204537110U

本实用新型的目的是提供一种大容量固态存储板，采用1片FPGA连接4个NAND FLASH阵列，每个阵列由16片16GB的SLC NAND FLASH芯片组成，最小存储单位为256MB，用FPGA代码实现NAND FLASH阵列控制器，NAND FLASH存储阵列采用滚筒存储方式，以保证各个NAND FLASH芯片的编程次数尽量均等，延长使用寿命。全部芯片集成在一块6U VPX标准板卡上，实现1TB存储容量和1GBPs读写速率，方案结构清晰、易于实现，在满足存储容量和读写速率需求的同时，充分兼顾体积和功耗，确保存储板的实用性，具备容量大、速率快、可靠性高、体积小和功耗低的特点。

关键词：存储容量读写芯片阵列控制器编程次数存储单位存储方式存储阵列代码实现方案结构固态存储速率需求芯片集成标准板存储板大容量功耗低滚筒功耗连接

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一种JAVA卡利用缓存对编程只读存储器进行读写操作的方法

一种JAVA卡利用缓存对编程只读存储器进行读写操作的方法

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作者：底明辉 100140 北京市西城区金融大街5号新盛大厦B座8层

本发明公开了一种JAVA卡利用缓存对可编程只读存储器(EEPROM/FLASH ROM)进行读写操作的方法，其技术方案是：JAVA卡操作系统根据EEPROM/FLASH的页面大小，分配数倍于页面大小的随机存储器(RAM)空间，用于EEPROM/FLASH的动态数据缓存。当... 详细信息

标准号: CN102063384B

本发明公开了一种JAVA卡利用缓存对可编程只读存储器(EEPROM/FLASH ROM)进行读写操作的方法，其技术方案是：JAVA卡操作系统根据EEPROM/FLASH的页面大小，分配数倍于页面大小的随机存储器(RAM)空间，用于EEPROM/FLASH的动态数据缓存。当对EEPROM/FLASH编程时，数据并不是立即写入，而是将待写入的数据缓存到缓存RAM。只有当操作系统刷新缓存RAM时，缓存数据才被写入到EEPROM/FLASH。当操作系统读取数据时，如果数据已被缓存，则从缓存RAM读取。本发明通过数据缓存的方法可以减少EEPROM/FLASH的编程次数，从而提高卡片运行速度，延长卡片的使用寿命。

关键词：缓存操作系统数据缓存页面大小卡片可编程只读存储器随机存储器编程次数动态数据读写操作缓存数据分配数编程刷新

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一种基于NOR FLASH的数据存储方法

一种基于NOR FLASH的数据存储方法

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作者：李庚清王爱民李国盛 211100 江苏省南京市江宁经济技术开发区利源北路66号

本发明是一种基于NOR FLASH的数据存储方法，其特征在于，该方法是采用FLASH中存放一级索引，RAM中存放二级索引，存放数据时同时修改一级索引区和数据，并通过算法平衡FLASH每块的编程次数，防止掉电时数据丢失，具体包括如下步骤：A)... 详细信息

标准号: CN103399826A

本发明是一种基于NOR FLASH的数据存储方法，其特征在于，该方法是采用FLASH中存放一级索引，RAM中存放二级索引，存放数据时同时修改一级索引区和数据，并通过算法平衡FLASH每块的编程次数，防止掉电时数据丢失，具体包括如下步骤：A)初始化：B)数据定位：C)数据写入：判断索引是否存在：D)数据读取：E)写平衡算法：F)掉电处理。本发明的优点：有效地提高了数据存储的安全性和可靠性，延长了NOR FLASH的整体使用寿命。

关键词：索引安全性和可靠性数据存储方法编程次数存放数据平衡算法数据存储数据定位数据丢失数据读取数据写入初始化算法平衡

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增强NAND型FLASH可靠性的方法

增强NAND型FLASH可靠性的方法

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作者：刘会娟朱一明苏志强 100083 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层

本发明涉及闪存技术领域，尤其涉及一种增强NAND型FLASH可靠性的方法，包括：预先获取NAND型FLASH每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数；预先根据存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值... 详细信息

标准号: CN104766629A

本发明涉及闪存技术领域，尤其涉及一种增强NAND型FLASH可靠性的方法，包括：预先获取NAND型FLASH每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数；预先根据存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中；在使用过程中，进行读取、擦除或编程时，根据预先保存的衰退模型调整相应的读取、擦除或编程方式；根据调整后的读取、擦除或编程方式对所述NAND型FLASH进行读取、擦除或编程。本发明技术方案在读取、擦除或编程时利用衰退模型对存储单元的阈值电压进行补偿，增强了NAND型FLASH的可靠性。

关键词：擦除编程阈值电压衰退编程次数编程方式存储单元存储阵列模型调整闪存技术预先保存对存储补偿

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快闪存储器编程及读取的方法

快闪存储器编程及读取的方法

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作者：游英凯謝景星萧亦隆中国台湾桃园县

一种快闪存储器编程及读取的方法，在编程时存储快闪存储器中存储器区块的最后编程逻辑页数。读取时由存储的最后编程逻辑页数，配合预设存储器区块的逻辑页分配表的逻辑页顺序及分配，判断存储器区块中存储器单元的编程次数。依据判断... 详细信息

标准号: CN103700401A

一种快闪存储器编程及读取的方法，在编程时存储快闪存储器中存储器区块的最后编程逻辑页数。读取时由存储的最后编程逻辑页数，配合预设存储器区块的逻辑页分配表的逻辑页顺序及分配，判断存储器区块中存储器单元的编程次数。依据判断的编程次数，选择预设的临界电压，执行读取程序，以提高读取效率。

关键词：存储器区块快闪存储器编程次数编程逻辑逻辑页编程存储存储器单元临界电压分配表

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一种JAVA卡利用缓存对编程只读存储器进行读写操作的方法

一种JAVA卡利用缓存对编程只读存储器进行读写操作的方法

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作者：底明辉 100140 北京市西城区金融大街5号新盛大厦B座8层

标准号: CN102063384A

关键词：缓存操作系统数据缓存页面大小卡片可编程只读存储器随机存储器编程次数动态数据读写操作缓存数据分配数编程刷新

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一种EEPROM擦写控制装置

一种EEPROM擦写控制装置

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作者：陈高飞沈梓荣彭洪伟邱红霞苗书立 518000 广东省深圳市南山区南商路97号华英大厦A201室

本发明适用于存储技术领域，提供了一种EEPROM擦写控制装置，包括系统接口和EEPROM存储单元，所述装置还包括：作为所述EEPROM存储单元活跃区域的映射缓存区的SRAM缓冲单元；分别与所述系统接口、EEPROM存储单元、SRAM缓冲单元电连接，... 详细信息

标准号: CN102768859A

本发明适用于存储技术领域，提供了一种EEPROM擦写控制装置，包括系统接口和EEPROM存储单元，所述装置还包括：作为所述EEPROM存储单元活跃区域的映射缓存区的SRAM缓冲单元；分别与所述系统接口、EEPROM存储单元、SRAM缓冲单元电连接，管理所述EEPROM存储单元与SRAM缓冲单元之间映射关系，分发处理数据的缓存和擦写的存储映射控制器；以及与所述存储映射控制器电连接，监测电源掉电过程，在系统电源跌落到阈值范围以下时，向所述存储映射控制器发送预刷写信号的电源管理单元。本发明实现了对EEPROM存储单元的零延时访问，可以大幅提高EEPROM的擦写和编程次数，拓展EEPROM存储单元的擦写寿命。

关键词：存储单元擦写存储映射缓冲单元控制器系统接口电连接存储技术领域电源管理单元缓存编程次数处理数据电源掉电活跃区域控制装置系统电源映射关系阈值范围缓存区延时映射跌落分发监测拓展

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