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文献类型

  • 12 篇 专利
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  • 13 篇 电子文献
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学科分类号

  • 1 篇 工学
    • 1 篇 材料科学与工程（可...
    • 1 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 1 篇 编程次数
  • 1 篇 编程电压
  • 1 篇 mtm反熔丝单元
  • 1 篇 编程电阻

机构

  • 2 篇 深圳市锐能微科技...
  • 2 篇 无锡中星微电子有...
  • 2 篇 恒宝股份有限公司
  • 2 篇 南京新联电子股份...
  • 1 篇 睿能科技有限公司
  • 1 篇 广州周立功单片机...
  • 1 篇 北京兆易创新科技...
  • 1 篇 广明光电股份有限...
  • 1 篇 中国电子科技集团...

作者

  • 2 篇 李庚清
  • 2 篇 沈梓荣
  • 2 篇 陈高飞
  • 2 篇 邱红霞
  • 2 篇 李国盛
  • 2 篇 彭洪伟
  • 2 篇 王钊
  • 2 篇 王爱民
  • 2 篇 苗书立
  • 2 篇 底明辉
  • 1 篇 郑若成
  • 1 篇 谢景星
  • 1 篇 刘国柱
  • 1 篇 王印权
  • 1 篇 张硕
  • 1 篇 苏志强
  • 1 篇 朱一明
  • 1 篇 洪根深
  • 1 篇 徐海铭
  • 1 篇 周立功

语言

  • 13 篇 中文
检索条件"主题词=编程次数"
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一种基于NOR FLASH的数据存储方法
一种基于NOR FLASH的数据存储方法
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作者： 李庚清 王爱民 李国盛 211100 江苏省南京市江宁经济技术开发区利源北路66号
本发明是一种基于NOR FLASH的数据存储方法，其特征在于，该方法是采用FLASH中存放一级索引，RAM中存放二级索引，存放数据时同时修改一级索引区和数据，并通过算法平衡FLASH每块的编程次数，防止掉电时数据丢失，具体包括如下步骤：A)... 详细信息
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一种EEPROM擦写控制装置
一种EEPROM擦写控制装置
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作者： 陈高飞 沈梓荣 彭洪伟 邱红霞 苗书立 518000 广东省深圳市南山区南商路97号华英大厦A201室
本发明适用于存储技术领域，提供了一种EEPROM擦写控制装置，包括系统接口和EEPROM存储单元，所述装置还包括：作为所述EEPROM存储单元活跃区域的映射缓存区的SRAM缓冲单元；分别与所述系统接口、EEPROM存储单元、SRAM缓冲单元电连接，... 详细信息
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一种JAVA卡利用缓存对编程只读存储器进行读写操作的方法
一种JAVA卡利用缓存对编程只读存储器进行读写操作的方法
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作者： 底明辉 100140 北京市西城区金融大街5号新盛大厦B座8层
本发明公开了一种JAVA卡利用缓存对可编程只读存储器(EEPROM/FLASH ROM)进行读写操作的方法，其技术方案是：JAVA卡操作系统根据EEPROM/FLASH的页面大小，分配数倍于页面大小的随机存储器(RAM)空间，用于EEPROM/FLASH的动态数据缓存。当... 详细信息
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