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文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

分类表

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文献类型

434 篇 专利
69 篇 期刊文献

馆藏范围

503 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

57 篇 工学
- 33 篇 计算机科学与技术...
- 25 篇 软件工程
- 10 篇 机械工程
- 6 篇 生物工程
- 3 篇 材料科学与工程（可...
- 2 篇 仪器科学与技术
- 2 篇 控制科学与工程
- 2 篇 化学工程与技术
- 2 篇 交通运输工程
- 1 篇 电子科学与技术（可...
- 1 篇 建筑学
- 1 篇 航空宇航科学与技...
- 1 篇 食品科学与工程（可...
8 篇 农学
- 7 篇 作物学
- 2 篇 畜牧学
7 篇 教育学
- 7 篇 教育学
5 篇 理学
- 4 篇 生物学
4 篇 管理学
- 4 篇 管理科学与工程(可...
1 篇 文学
- 1 篇 新闻传播学
1 篇 医学
- 1 篇 临床医学
1 篇 艺术学
- 1 篇 设计学（可授艺术学...

主题

69 篇 编程过程
3 篇 多能干细胞
3 篇 生物医药
3 篇 编程思想
2 篇 应用程序
2 篇 编程语言
2 篇 程序员
2 篇 java
2 篇 异常处理
2 篇 数控加工
2 篇 编程人员
2 篇 重编程
2 篇 编程工具
2 篇 体细胞
2 篇 加工工艺
2 篇 编制
2 篇 数据库
2 篇 程序代码
2 篇 编程能力
2 篇 数控编程

机构

19 篇 北京兆易创新科技...
15 篇 长江存储科技有限...
14 篇 桑迪士克股份有限...
12 篇 中国科学院微电子...
10 篇 中国科学院上海微...
9 篇 桑迪士克科技有限...
8 篇 上海华虹宏力半导...
7 篇 华中科技大学
7 篇 南京大学
7 篇 清华大学
6 篇 北京编程猫科技有...
6 篇 北京工业大学
5 篇 华中师范大学
5 篇 西安格易安创集成...
4 篇 安徽机电职业技术...
4 篇 沈阳飞机工业有限...
4 篇 西安交通大学
4 篇 芯天下技术股份有...
4 篇 合肥格易集成电路...
4 篇 北京大学

作者

10 篇 宋志棠
8 篇 宋三年
7 篇 李天驰
7 篇 孙悦
6 篇 洪丹霞
6 篇 尼玛·穆赫莱斯
6 篇 万维俊
6 篇 吕杭炳
5 篇 李戈
5 篇 刘明
5 篇 王淑莹
5 篇 龙世兵
5 篇 钱鹤
5 篇 张宇坤
5 篇 杨光军
5 篇 李彦
5 篇 刘琦
5 篇 缪向水
5 篇 马思博
5 篇 吴华强

语言

503 篇 中文

检索条件"主题词=编程过程"

共 503 条记录，以下是91-100 订阅

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详细简洁

排序：

基于复合介质栅MOSFET光敏探测器源漏浮空编程方法

基于复合介质栅MOSFET光敏探测器源漏浮空编程方法

引用

作者：闫锋马浩文吴福伟夏好广卜晓峰 210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号

基于复合介质栅MOSFET光敏探测器源漏浮空编程方法，复合介质栅MOSFET光敏探测器单元结构包括：P型半导体衬底（1），半导体衬底正上方依次设有底层绝缘介质（5），电荷存储层（4），顶层绝缘介质（3），控制栅（2）；半导体衬底中靠近... 详细信息

标准号: CN102544039A

基于复合介质栅MOSFET光敏探测器源漏浮空编程方法，复合介质栅MOSFET光敏探测器单元结构包括：P型半导体衬底（1），半导体衬底正上方依次设有底层绝缘介质（5），电荷存储层（4），顶层绝缘介质（3），控制栅（2）；半导体衬底中靠近叠层介质两侧通过离子注入掺杂形成N型源极（6）和漏极（7）；曝光编程过程步骤:曝光过程中源极和漏极浮空，衬底加一负偏压脉冲Vb，同时控制栅要加一正向偏压脉冲Vg。通过调节电压可以使衬底耗尽收集光电子从而使器件可以曝光成像,具有量子效率高，暗电流小等特点。

关键词：半导体衬底光敏探测器复合介质绝缘介质衬底漏极源极离子注入掺杂曝光编程方法编程过程单元结构电荷存储量子效率偏压脉冲曝光过程负偏压正上方顶层脉冲光电子叠层正向电流耗尽电压两侧

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一种信息交换协议方法

一种信息交换协议方法

引用

作者：潘兆平徐保根陈向明彭志华王伟周谦熊振姣魏志强徐艳倪健熊爱金张瑞桥林兰修 332000 江西省九江市开发区九瑞大道111号

本发明公开了一种信息交换协议方法，该方法包括：对整个信息交换帧结构进行优化；为动态增删数据块进行辅助设计；对接收数据处理流程进行适应性更改。通过该方法，在统一帧结构的前提下实现了命令帧和数据帧的灵活配置、在保证信息完... 详细信息

标准号: CN112653663B

本发明公开了一种信息交换协议方法，该方法包括：对整个信息交换帧结构进行优化；为动态增删数据块进行辅助设计；对接收数据处理流程进行适应性更改。通过该方法，在统一帧结构的前提下实现了命令帧和数据帧的灵活配置、在保证信息完整的情况下减少了冗余数据空间；实现了参数块和数据包的灵活组合，使得在编程过程中增删参数块或数据包变得十分简单、方便；提高了新旧版本软硬件的兼容性；由于本发明采用以上3条特殊措施，使得该协议具备兼容性强和易于扩展的特点；采用该协议减少了设计人员进行低水平软件的重复开发工作；缩短了应用软件接口联调联试时间，有利于软件的维护。

关键词：兼容性数据包帧结构数据处理流程信息交换协议应用软件接口编程过程辅助设计灵活配置冗余数据信息交换信息完整低水平旧版本命令帧软硬件数据块数据帧灵活重复优化保证统一维护开发

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代码自动编写方法、装置、计算机设备和存储介质

代码自动编写方法、装置、计算机设备和存储介质

引用

作者：陈家荣 518000 广东省深圳市福田区福田街道福安社区益田路5033号平安金融中心23楼

本发明揭示了一种代码自动编写方法、装置、计算机设备和存储介质，属于开发辅助工具技术领域，所述方法包括：接收区块链节点的用户输入的对该区块链上的数据分析系统进行测试的第一测试代码配置文件的第一部分，所述第一部分是所述第... 详细信息

标准号: CN110096435B

本发明揭示了一种代码自动编写方法、装置、计算机设备和存储介质，属于开发辅助工具技术领域，所述方法包括：接收区块链节点的用户输入的对该区块链上的数据分析系统进行测试的第一测试代码配置文件的第一部分，所述第一部分是所述第一测试代码配置文件的起始部分；根据所述第一部分，在区块链中查询配置文件起始部分与所述第一部分相同的第二测试代码，为用户显示所述第二测试代码配置文件的起始部分后的剩余部分；接收用户对显示的剩余部分的接受的指令，将接受的第二测试代码配置文件作为用户要输入的第一测试代码配置文件存储到区块链上。通过这种方法使编程过程更加简便，提高了编程的效率，有效减少了人为失误的几率。

关键词：测试代码配置文件区块数据分析系统计算机设备编程过程存储介质辅助工具接收用户人为失误用户显示有效减少链节点块链编程存储指令测试查询开发

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存储阵列层和编程3D RRAM的方法

存储阵列层和编程3D RRAM的方法

引用

作者：许胜籐日本大阪市

在硅基底上与外围电路一起形成在3D RRAM中使用的存储器阵列层；沉积和形成氧化硅、底部电极材料、氧化硅、电阻器材料、氧化硅、氮化硅、氧化硅、顶部电极以及覆盖氧化物的层。多个存储器阵列层彼此层叠形成。本发明的RRAM可以在单步... 详细信息

标准号: CN100382320C

在硅基底上与外围电路一起形成在3D RRAM中使用的存储器阵列层；沉积和形成氧化硅、底部电极材料、氧化硅、电阻器材料、氧化硅、氮化硅、氧化硅、顶部电极以及覆盖氧化物的层。多个存储器阵列层彼此层叠形成。本发明的RRAM可以在单步或两步编程过程中编程。

关键词：氧化硅存储器阵列底部电极材料电阻器材料编程过程氮化硅硅基底电极氧化物沉积单步编程顶部电路外围

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用于编程非易失性存储器的智能验证

用于编程非易失性存储器的智能验证

引用

作者： M.邓加 G.J.赫明克 Z.周东谷政昭美国得克萨斯州

提供了在编程非易失性储存器时减少电流消耗的技术。使用存储器单元的子集来进行智能验证。通过将智能验证施加到存储器单元的仅一个子集来节省电流。智能验证可以用来表征编程速度。智能验证的结果可以用来确定稍后在编程过程中要被施... 详细信息

标准号: CN108028069A

提供了在编程非易失性储存器时减少电流消耗的技术。使用存储器单元的子集来进行智能验证。通过将智能验证施加到存储器单元的仅一个子集来节省电流。智能验证可以用来表征编程速度。智能验证的结果可以用来确定稍后在编程过程中要被施加的虚拟编程脉冲的幅度。虚拟编程脉冲之后没有编程验证，从而减少了电流。如果虚拟编程脉冲将阈值电压推到足够高，则在稍后的编程中验证时，这些存储器单元将不传导电流。因此，在编程验证期间节省了电流。另外，在编程脉冲之前，接收虚拟脉冲的存储器单元的位线不需要预充电，从而可以节省更多的电流。

关键词：存储器单元编程编程脉冲智能验证虚拟验证子集施加编程过程传导电流电流消耗非易失性虚拟脉冲阈值电压储存器预充电位线

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电子节气门及其在线编程系统及方法

电子节气门及其在线编程系统及方法

引用

作者：刘天俊邵涛涛 401122 重庆市渝北区北部新区经开园云枣路3号

本发明公开了一种电子节气门及其在线编程系统及方法，包括：在线编程模块，用于对电子节气门进行编程；驱动信号发生模块，用于响应用户的编程指令并生成第一驱动信号；断开驱动模块，用于响应所述第一驱动信号并产生第一执行信号；以... 详细信息

标准号: CN117572802A

本发明公开了一种电子节气门及其在线编程系统及方法，包括：在线编程模块，用于对电子节气门进行编程；驱动信号发生模块，用于响应用户的编程指令并生成第一驱动信号；断开驱动模块，用于响应所述第一驱动信号并产生第一执行信号；以及断开执行模块，用于响应所述第一执行信号，产生第一控制信号并断开所述在线编程模块与电子节气门控制板的连接，使所述在线编程模块独立编程。本发明通过在线编程模块对电子节气门的位置芯片进行在线编程，以实时更新电子节气门的性能参数，进而满足不同的工况条件；通过断开执行模块将在线编程模块与电子节气门控制板的连接断开，从而解决了在线编程模块在编程过程中因电子节气门控制板干扰导致编程失败的问题。

关键词：在线编程模块电子节气门断开电子节气门控制驱动信号编程响应第一控制信号在线编程系统编程过程编程指令发生模块工况条件连接断开驱动模块实时更新性能参数在线编程芯片失败

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Sb₂Te₃-HfO₂纳米复合相变材料及其在相变存储器中的用途

Sb2Te3-HfO2纳米复合相变材料...

引用

作者：宋三年宋志棠吕业刚 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种Sb2Te3-HfO2纳米复合相变材料及其在相变存储器中的用途，其中，所述Sb2Te3-HfO2纳米复合相变材料包含：重量百分比为2-30％的介质材料HfO2和重量百分比为70-98％的Sb2Te3相变材料，由于Sb2Te3相变材料与HfO2在纳米尺度... 详细信息

标准号: CN102157681A

本发明提供一种Sb₂Te₃-HfO₂纳米复合相变材料及其在相变存储器中的用途，其中，所述Sb₂Te₃-HfO₂纳米复合相变材料包含：重量百分比为2-30％的介质材料HfO₂和重量百分比为70-98％的Sb₂Te₃相变材料，由于Sb₂Te₃相变材料与HfO₂在纳米尺度的均匀复合，相变材料分布在介质材料HfO₂形成的纳米框架结构中，一方面抑制了相变材料的结晶，提升了材料的晶化温度；另一方面相变材料的挥发得到了有效的抑制，组分偏析情况得到明显改善，增加了材料的稳定性。这种新型纳米复合相变薄膜应用到存储器中，可使相变存储器件的RESET电压降低，有利于实现高密度存储，提高了相变存储器的编程过程中的加热效率，降低了其功耗，提升了数据保持能力、疲劳特性和抗辐照能力等。

关键词：相变材料相变存储器介质材料纳米复合复合高密度存储薄膜应用编程过程电压降低辐照能力加热效率晶化温度框架结构纳米尺度疲劳特性新型纳米组分偏析存储器功耗相变

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一种间隙自动补偿填充数控焊接方法

一种间隙自动补偿填充数控焊接方法

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作者：杨艳群姜中辉邹光厚赵冬王建王川 611434 四川省成都市新津县工业园区清云中路199号

本发明公开了一种间隙自动补偿填充数控焊接方法，涉及数控焊接技术领域，包括以下步骤：根据数控焊接部件的坡口形式，计算得出坡口间隙数值的波动范围ΔW，确定焊缝上部间距W；结合坡口间隙数值的波动范围ΔW，得出焊接速度v1，送丝速... 详细信息

标准号: CN110576242B

本发明公开了一种间隙自动补偿填充数控焊接方法，涉及数控焊接技术领域，包括以下步骤：根据数控焊接部件的坡口形式，计算得出坡口间隙数值的波动范围ΔW，确定焊缝上部间距W；结合坡口间隙数值的波动范围ΔW，得出焊接速度v₁，送丝速度v₂，摆动频率f，弧长修正u与焊缝上部间距W之间的函数关系；在焊接编程过程中，插入焊缝上部间距W与各参数的关系函数式，实时跟踪焊缝上部间距W，并反馈到焊接程序中，进行焊接过程中的自动调整。本发明将坡口间隙数值的波动范围ΔW定义为固定值不同，在计算焊缝上部间距W时引入坡口间隙数值的波动范围ΔW，并且在焊接编程中插入焊缝上部间距W与各参数间的函数关系式，无需人工操作，简单方便，安全性高。

关键词：焊缝坡口间隙焊接数控焊接技术领域间隙自动补偿函数关系式摆动频率编程过程关系函数函数关系焊接部件焊接程序焊接过程人工操作实时跟踪弧长坡口送丝编程填充修正反馈引入

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在应用编程方法、计算机可读取的存储介质

在应用编程方法、计算机可读取的存储介质

引用

作者：张俊伟王日金钟国强晋红姚成林江昂彭景李争超舒伟华 412002 湖南省株洲市芦淞区董家塅

本发明公开了一种在应用编程方法和计算机可读取的存储介质，本发明的在应用编程方法包括以下步骤：将在应用编程软件的代码和工作代码烧写在Flash存储器中；将单片机配置成上电后先加载运行Flash存储器中的在应用编程软件的代码；控制... 详细信息

标准号: CN110990044B

本发明公开了一种在应用编程方法和计算机可读取的存储介质，本发明的在应用编程方法包括以下步骤：将在应用编程软件的代码和工作代码烧写在Flash存储器中；将单片机配置成上电后先加载运行Flash存储器中的在应用编程软件的代码；控制上位机软件发出更新指令主动开始在应用编程过程，单片机接收更新指令后与上位机进行通信以完成工作代码的更新。该在应用编程方法可适用于不同单片机型号的数据存储和管理装置，不再依赖单片机厂家提供的固件和源代码，也不再依赖第三方软件；在应用编程过程由上位机软件主动发起的，通过上位机软件发送更新指令使数据存储和管理装置进入在应用编程状态，不再需要外部的离散开关量输入来配置产品进入在应用编程状态。

关键词：应用单片机上位机软件更新指令编程数据存储和管理编程过程编程软件编程状态工作代码源代码第三方软件存储介质离散开关主动发起可读取上位机加载上电烧写配置发送计算机外部更新通信

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一种基于GPU加速的二次电子发射模拟方法及系统及设备

一种基于GPU加速的二次电子发射模拟方法及系统及设备

引用

作者：翟永贵王洪广李永东陈坤王柯林舒王瑞彭敏 710049 陕西省西安市咸宁西路28号

一种基于GPU加速的二次电子发射模拟方法及系统及设备，包括以下步骤：初始化微放电模拟所需的参数及数据结构，对GPU设备进行初始化，在进行CUDA语言编程过程中，将GPU设备的初始化代码放置在电子推进函数的起始位置，并保证该函数在... 详细信息

标准号: CN114186468B

一种基于GPU加速的二次电子发射模拟方法及系统及设备，包括以下步骤：初始化微放电模拟所需的参数及数据结构，对GPU设备进行初始化，在进行CUDA语言编程过程中，将GPU设备的初始化代码放置在电子推进函数的起始位置，并保证该函数在整个程序生命周期内仅执行一次；GPU读取数据后采用并行方式推进计算电子，并对二次电子发射过程进行计算；若达到结束调节则终止模拟计算过程，否则继续计算下一时间的电子推进模拟。本发明提出了一种基于GPU加速的二次电子发射模拟计算方法，采用GPU设备对微波器件中的大量电子进行并行轨迹计算并计算二次电子发射过程，实现了航天微波器件微放电模拟过程的快速、准确模拟。

关键词：二次电子发射模拟计算微波器件初始化微放电初始化代码系统及设备编程过程并行方式并行轨迹模拟过程生命周期数据结构整个程序航天语言保证

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