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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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141 篇 专利

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141 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

16 篇 长江存储科技有限...
12 篇 深圳市华星光电半...
8 篇 北京大学
7 篇 美光科技公司
6 篇 桑迪士克科技有限...
5 篇 旺宏电子股份有限...
4 篇 夏普株式会社
4 篇 中国科学院自动化...
4 篇 中国电子科技集团...
4 篇 深圳市华星光电技...
4 篇 爱思开海力士有限...
4 篇 闪迪技术有限公司
4 篇 中国科学院软件研...
4 篇 桑迪士克技术有限...
3 篇 精工爱普生株式会...
2 篇 京微雅格科技有限...
2 篇 上海华虹宏力半导...
2 篇 深圳忆联信息系统...
2 篇 杜克大学
2 篇 上海航空电器有限...

作者

10 篇 聂诚磊
9 篇 刘红涛
8 篇 冷传利
8 篇 张盛东
8 篇 王翠翠
7 篇 y·董
6 篇 贾建权
5 篇 崔莹
5 篇 宋雅丽
4 篇 陆彤
4 篇 迪潘舒·杜塔
4 篇 m·j·布朗洛
4 篇 王丹力
4 篇 马金龙
4 篇 贾信磊
4 篇 姜柯
4 篇 张安
4 篇 闵园园
4 篇 李楷威
4 篇 金乔

语言

141 篇 中文

检索条件"主题词=编程阶段"

共 141 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

一种图形渲染中可编程阶段火焰效果的实现方法

一种图形渲染中可编程阶段火焰效果的实现方法

引用

作者：蔡欢郑培枫刘衡娜冯永 100195 北京市海淀区五棵松路49号新奥特科技大厦

本发明公开了一种图形渲染中可编程阶段火焰效果的实现方法，具体包括：在可编程顶点处理阶段对顶点位置和顶点纹理坐标进行处理；在可编程片段处理器阶段对每帧计算片段的主体颜色和火焰颜色；所述主体颜色与所述火焰颜色结果混合形成... 详细信息

标准号: CN102752515A

本发明公开了一种图形渲染中可编程阶段火焰效果的实现方法，具体包括：在可编程顶点处理阶段对顶点位置和顶点纹理坐标进行处理；在可编程片段处理器阶段对每帧计算片段的主体颜色和火焰颜色；所述主体颜色与所述火焰颜色结果混合形成火焰效果。通过本发明可以定位到每一帧并且前后两帧不具有关联性，充分利用了GPU的并行性，渲染效率高。

关键词：火焰效果火焰颜色主体颜色编程处理器阶段编程阶段顶点位置顶点纹理计算片段图形渲染并行性关联性

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预编程和编程阶段期间的偏置电压方案

预编程和编程阶段期间的偏置电压方案

引用

作者： V·Q·叶 Y·董卢景煌美国爱达荷州

本公开涉及预编程和编程阶段期间的偏置电压方案。控制逻辑可执行包含以下的操作：对于一组虚设字线中的每一虚设字线，获得相应的一组升压电压参数，其中每一组升压电压参数包含对应于所述虚设字线的阶跃比，且根据所述相应的一组升压... 详细信息

标准号: CN116312696A

本公开涉及预编程和编程阶段期间的偏置电压方案。控制逻辑可执行包含以下的操作：对于一组虚设字线中的每一虚设字线，获得相应的一组升压电压参数，其中每一组升压电压参数包含对应于所述虚设字线的阶跃比，且根据所述相应的一组升压电压参数，使相对于所述一组虚设字线中的每一虚设字线的偏置电压斜变到相应的编程禁止偏置电压。另外或替代地，控制逻辑可执行包含以下的存储器操作：在预编程阶段的种子设定起初子阶段期间，使相对于每一虚设字线的偏置电压斜变到电源电压，且在所述预编程阶段的整个位线设置子阶段期间，将第一虚设字线的所述偏置电压保持在第一虚设字线种子电压。

关键词：虚设字线偏置电压升压电压预编程控制逻辑可执行子阶段存储器操作编程阶段电源电压阶跃位线编程替代

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一种图形渲染中可编程阶段多层渲染的方法

一种图形渲染中可编程阶段多层渲染的方法

引用

作者：蔡欢吕精华饶文辉廖健 100195 北京市海淀区五棵松路49号新奥特科技大厦

本发明公开了一种图形渲染中可编程阶段多层渲染的方法，具体为：预算特技作用始末的最大轮廓，放大顶点的物体坐标并同步放大物体的纹理坐标；在可编程片段处理器阶段进行多层渲染并混合渲染结果。通过本发明的渲染方法可以充分利用显... 详细信息

标准号: CN102737402A

本发明公开了一种图形渲染中可编程阶段多层渲染的方法，具体为：预算特技作用始末的最大轮廓，放大顶点的物体坐标并同步放大物体的纹理坐标；在可编程片段处理器阶段进行多层渲染并混合渲染结果。通过本发明的渲染方法可以充分利用显卡的并行性，提高渲染效率。

关键词：放大处理器阶段编程阶段图形渲染纹理坐标物体坐标并行性始末显卡编程特技预算

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无源低频电子标签数字基带处理器控制方法

无源低频电子标签数字基带处理器控制方法

引用

作者：王雅鑫高攀罗洵 518000 广东省深圳市光明区凤凰街道东坑社区科能路中集低轨卫星物联网产业园A座901-1

本发明涉及无源低频电子标签数字基带处理器控制方法，包括以下步骤：步骤1：接收射频模拟前端的解调电平信号，进行同步滤波初步处理，检测起始条件启动接收；步骤2：对步骤1处理后的信号进行编码格式检测，并锁存获取数据；步骤3：对... 详细信息

标准号: CN118070835A

本发明涉及无源低频电子标签数字基带处理器控制方法，包括以下步骤：步骤1：接收射频模拟前端的解调电平信号，进行同步滤波初步处理，检测起始条件启动接收；步骤2：对步骤1处理后的信号进行编码格式检测，并锁存获取数据；步骤3：对步骤2执行帧格式检测，根据预设条件进行指令译码及crc校验，判断指令功能执行对应处理。其为基于I SO 11784/11785标准实现的电子标签，对接收信号的检测及起始条件的加强，增强了抗干扰性能，避免误触发；依据通信格式进行检测，编程阶段的错误管理及crc校验，进一步保证标签信息安全，及可以有效的反馈标签状态；这种方法更对于标签上的信息并不敏感的领域更适用，面积功耗更优，成本更低。

关键词：检测起始条件解调电平信号对接收信号基带处理器抗干扰性能帧格式检测编程阶段编码格式标签数字标签信息标签状态标准实现初步处理错误管理低频电子电子标签获取数据射频模拟通信格式预设条件指令功能指令译码误触发功耗滤波锁存无源标签反馈敏感保证安全

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存储器子系统中具有减少的编程干扰的短编程验证恢复

存储器子系统中具有减少的编程干扰的短编程验证恢复

引用

作者： H-Y·陈 Y·董美国爱达荷州

本申请案涉及存储器子系统中具有减少的编程干扰的短编程验证恢复。存储器装置中的控制逻辑在所述存储器装置上启动编程操作，所述编程操作包括编程阶段、编程恢复阶段、编程验证阶段和编程验证恢复阶段。所述控制逻辑进一步使负电压信... 详细信息

标准号: CN113808657A

本申请案涉及存储器子系统中具有减少的编程干扰的短编程验证恢复。存储器装置中的控制逻辑在所述存储器装置上启动编程操作，所述编程操作包括编程阶段、编程恢复阶段、编程验证阶段和编程验证恢复阶段。所述控制逻辑进一步使负电压信号在所述编程操作的所述编程验证恢复阶段期间被施加到所述存储器装置的数据块的第一多个字线，其中所述第一多个字线中的每一个耦合到所述数据块中的存储器单元串中的第一多个存储器单元的对应存储器单元，所述第一多个字线包括与所述编程操作相关联的所选择字线以及邻近于所述所选择字线的一或多个数据字线。

关键词：编程编程操作存储器装置验证字线存储器单元控制逻辑选择字线数据块恢复存储器单元串存储器子系统负电压信号编程干扰编程阶段申请案耦合到邻近施加关联

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使用数量减少的验证操作来编程非易失性存储器

使用数量减少的验证操作来编程非易失性存储器

引用

作者：迪潘舒·杜塔格里特·扬·赫明克美国德克萨斯州

提供了一种方法和非易失性存储系统，其中，通过减少验证操作的数量来提高编程速度，同时保持窄的阈值电压分布。编程方案在达到目标数据状态的验证电平前在偏移电平处执行验证操作，以便使得编程慢下来。然而，不必总是在偏移和目标电... 详细信息

标准号: CN102725798A

提供了一种方法和非易失性存储系统，其中，通过减少验证操作的数量来提高编程速度，同时保持窄的阈值电压分布。编程方案在达到目标数据状态的验证电平前在偏移电平处执行验证操作，以便使得编程慢下来。然而，不必总是在偏移和目标电平两者处执行验证操作。在第一编程阶段中，仅在目标验证电平处对于给定的数据状态执行验证操作。在第二编程阶段中，对于偏移和目标验证电平执行验证操作。在第三编程阶段中，再次仅在目标验证电平处执行验证操作。在阶段之间的过渡可以是基于编程脉冲数量预定的或是自适应的。

关键词：验证编程阶段目标验证偏移编程方案编程脉冲编程速度存储系统目标电平目标数据偏移电平数据状态验证电平阈值电压编程过渡

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用于半导体器件的编程方法及半导体器件

用于半导体器件的编程方法及半导体器件

引用

作者：李楷威贾建权闵园园崔莹宋雅丽刘红涛贾信磊张安 430205 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

本发明公开了一种用于半导体器件的编程方法及半导体器件。所述半导体器件包括存储串，所述存储串包括依次堆叠设置的多个第一存储单元和第一虚设单元，每个所述第一存储单元与一个字线对应连接，所述第一虚设单元的栅极与第一虚设字线... 详细信息

标准号: CN113889170A

本发明公开了一种用于半导体器件的编程方法及半导体器件。所述半导体器件包括存储串，所述存储串包括依次堆叠设置的多个第一存储单元和第一虚设单元，每个所述第一存储单元与一个字线对应连接，所述第一虚设单元的栅极与第一虚设字线连接；所述方法包括：在预充电阶段，向所述多个第一存储单元中的已编程存储单元对应的字线输入预充电电压，所述已编程存储单元为所述多个第一存储单元中的待编程存储单元与所述第一虚设单元之间的存储单元；在编程阶段，向所述待编程存储单元对应的字线输入编程电压。本发明实施例能够降低编程干扰，且提高升压电势。

关键词：存储单元编程存储单元半导体器件虚设单元字线存储预充电电压预充电阶段编程干扰编程阶段堆叠设置升压电势输入编程虚设字线编程

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使用数量减少的验证操作来编程非易失性存储器

使用数量减少的验证操作来编程非易失性存储器

引用

作者：迪潘舒·杜塔格里特·扬·赫明克美国德克萨斯州

标准号: CN102725798B

关键词：验证操作编程阶段目标验证偏移编程非易失性存储系统阈值电压分布编程方案编程脉冲目标电平目标数据偏移电平数据状态自适应

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对虚设存储单元编程以减少选择栅极晶体管中的电荷损失

对虚设存储单元编程以减少选择栅极晶体管中的电荷损失

引用

作者： V.戴普卢景煌董颖达美国得克萨斯州

本发明提供了一种用于减少选择栅极晶体管中的电荷损失的存储器设备和相关联技术。虚设存储器单元使用热电子注入类型的干扰被弱编程，以减少空穴朝向公共电荷俘获层中的相邻选择栅极晶体管的移动。所述弱编程可以发生在编程循环中，例... 详细信息

标准号: CN110770836B

本发明提供了一种用于减少选择栅极晶体管中的电荷损失的存储器设备和相关联技术。虚设存储器单元使用热电子注入类型的干扰被弱编程，以减少空穴朝向公共电荷俘获层中的相邻选择栅极晶体管的移动。所述弱编程可以发生在编程循环中，例如在预充电阶段和编程阶段之间的转换中，或者发生在紧接在虚设存储器单元和数据存储器单元的擦除之后的擦除循环中。所述弱编程不涉及时间惩罚，因为它与其他操作同时进行。所述干扰可以通过增加所述虚设存储器单元的所述控制栅极电压和/或降低所述选择栅极晶体管的所述控制栅极电压来提供。

关键词：虚设存储器单元选择栅极晶体管编程控制栅极电压数据存储器单元空穴存储器设备预充电阶段编程阶段编程循环擦除循环电荷损失公共电荷关联技术俘获层热电子擦除惩罚转换移动

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AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法

AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法

引用

作者：聂诚磊 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号

本发明提供一种AMOLED像素驱动电路及驱动方法，利用双栅极薄膜晶体管作为驱动薄膜晶体管，在预充电阶段使第一薄膜晶体管(T1)即驱动薄膜晶体管的底栅(BG)写入预设电压(Vpre)，顶栅(TG)写入电源电压(VDD)；在阈值电压编程阶段使第一薄... 详细信息

标准号: CN105741781A

本发明提供一种AMOLED像素驱动电路及驱动方法，利用双栅极薄膜晶体管作为驱动薄膜晶体管，在预充电阶段使第一薄膜晶体管(T1)即驱动薄膜晶体管的底栅(BG)写入预设电压(V_pre)，顶栅(TG)写入电源电压(VDD)；在阈值电压编程阶段使第一薄膜晶体管(T1)的顶栅(TG)电压降低、而阈值电压升高，直至阈值电压提升至Vth＝V_pre?V_OLED；在驱动发光阶段，第一薄膜晶体管(T1)的顶栅(TG)电压保持不变，维持其阈值电压仍为Vth＝V_pre?V_OLED，数据信号(Data)驱动第一薄膜晶体管(T1)导通，使有机发光二极管(D1)发光，流过有机发光二极管(D1)的电流与第一薄膜晶体管(T1)的阈值电压和有机发光二极管(D1)的阈值电压都无关，既能够补偿阈值电压漂移，又能够简化数据信号。

关键词：薄膜晶体管阈值电压有机发光二极管顶栅驱动薄膜晶体管数据信号驱动写入阈值电压漂移预充电阶段编程阶段电压保持电压降低电源电压发光阶段预设电压双栅极导通底栅发光升高

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