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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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58 篇 专利
1 篇 期刊文献
1 篇 会议

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60 篇 电子文献
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日期分布

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2 篇 工学
- 2 篇 电子科学与技术（可...
- 1 篇 材料科学与工程（可...

主题

2 篇 增强型器件
2 篇 耗尽型器件
1 篇 硅基gan
1 篇 电路设计
1 篇 单片集成功率ic
1 篇 环形振荡器

机构

9 篇 苏州英嘉通半导体...
8 篇 无锡华润上华科技...
3 篇 电子科技大学
3 篇 江苏能华微电子科...
2 篇 长安大学
2 篇 苏州捷芯威半导体...
2 篇 中国电子科技集团...
2 篇 西交利物浦大学
2 篇 安世有限公司
2 篇 密克罗奇普技术公...
2 篇 西南交通大学
2 篇 嘉兴景焱智能装备...
2 篇 北京大学
2 篇 杭州电子科技大学
1 篇 苏州晶湛半导体有...
1 篇 扬州国宇电子有限...
1 篇 南京电子器件研究...
1 篇 中芯国际集成电路...
1 篇 半导体元件工业有...
1 篇 山东华光光电子股...

作者

10 篇 蒋胜
8 篇 张森
8 篇 程诗康
8 篇 顾炎
7 篇 柳永胜
7 篇 胡峰
7 篇 陈辉
7 篇 唐瑜
7 篇 于洁
7 篇 白强
3 篇 朱廷刚
3 篇 李继华
3 篇 章涛
3 篇 郝跃
2 篇 赖春兰
2 篇 郑梦婕
2 篇 裴轶
2 篇 蒲松
2 篇 冯全源
2 篇 叶力

语言

60 篇 中文

检索条件"主题词=耗尽型器件"

共 60 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

一种基于耗尽型器件的移位寄存器及栅极驱动电路

一种基于耗尽型器件的移位寄存器及栅极驱动电路

引用

作者：耿玓季寒赛李泠卢年端刘明 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

本发明公开了一种基于耗尽型器件的移位寄存器及栅极驱动电路，其中，输入单元，根据第一时钟信号和输入端的控制，向防漏电单元传输输入信号；防漏电单元，响应于输入信号或时钟控制防漏电单元的控制，对第一节点的电平进行控制；反向... 详细信息

标准号: CN117542397A

本发明公开了一种基于耗尽型器件的移位寄存器及栅极驱动电路，其中，输入单元，根据第一时钟信号和输入端的控制，向防漏电单元传输输入信号；防漏电单元，响应于输入信号或时钟控制防漏电单元的控制，对第一节点的电平进行控制；反向单元，根据输入端控制端的控制，向第二节点传输输入信号；以及根据第四时钟信号的控制使第二节点的电平相反；输出单元，在第一节点的电平控制下将第三时钟信号输送至输出端，以及在第二节点的电平控制下将高电平输送至输出端；时钟控制防漏电单元，通过第二时钟信号和第四时钟信号的控制，交替向防漏电单元提供持续有效的高电平信号，从而控制第一节点的持续保持在高电平状态。

关键词：防漏电时钟信号电平控制时钟控制输出端时钟信号输送栅极驱动电路高电平信号高电平状态耗尽型器件输入端控制移位寄存器单元传输反向单元节点传输输出单元输入单元高电平响应

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具有RCD网络的耗尽型器件的开关电路的设计方法

具有RCD网络的耗尽型器件的开关电路的设计方法

引用

作者：刘树林周闵阳光雷泰韩跃云祁俐俐韩长端王玉婷 710054 陕西省西安市雁塔路中段58号

本发明公开了一种具有RCD网络的耗尽型器件的开关电路的设计方法，开关电路包括N沟道耗尽型氮化镓开关器件Q1、N沟道增强型开关器件Q2、电阻R1、极性电容C1和二极管D1，耗尽型氮化镓开关器件Q1的源极与增强型开关器件Q2的漏极和二极管D... 详细信息

标准号: CN103915991B

本发明公开了一种具有RCD网络的耗尽型器件的开关电路的设计方法，开关电路包括N沟道耗尽型氮化镓开关器件Q1、N沟道增强型开关器件Q2、电阻R1、极性电容C1和二极管D1，耗尽型氮化镓开关器件Q1的源极与增强型开关器件Q2的漏极和二极管D1的阴极相接，耗尽型氮化镓开关器件Q1的栅极与电阻R1的一端、极性电容C1的负极和二极管D1的阳极相接。方法包括步骤：一、选择合适参数的极性电容C1以及电阻R1、R2和R3，二、连接所述N沟道耗尽型氮化镓开关器件Q1、N沟道增强型开关器件Q2、电阻R1、极性电容C1、二极管D1、电阻R2和R3。本发明增强了耗尽型开关器件关断的快速性、可靠性及实用性。

关键词：氮化镓开关器件电阻二极管极性电容开关电路耗尽型耗尽型开关器件增强型开关器件阴极耗尽型器件负极阳极合适参数快速性关断漏极源极网络

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集成增强型和耗尽型的HEMT器件及其制备方法

集成增强型和耗尽型的HEMT器件及其制备方法

引用

作者：王哲力蔡仙清张辉谷鹏王晶晶孙帆刘胜厚卢益锋侯艺伟 361100 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号

一种集成增强型和耗尽型的HEMT器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。该制备方法包括：在厚度在3nm至5nm之间的势垒层上形成包括第一区域和第二区域的氮化硅钝化层；在第一区域形成增强型器件的源极金属和漏极金属、在第二区域形... 详细信息

标准号: CN113053826A

一种集成增强型和耗尽型的HEMT器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。该制备方法包括：在厚度在3nm至5nm之间的势垒层上形成包括第一区域和第二区域的氮化硅钝化层；在第一区域形成增强型器件的源极金属和漏极金属、在第二区域形成耗尽型器件的源极金属和漏极金属，并通过高温退火形成欧姆接触；在氮化硅钝化层上沉积第二光刻胶层；定义出增强型器件的栅极区域；在增强型器件的栅极区域蒸镀栅极金属以形成增强型器件的栅极；去除第二光刻胶层；在第二区域形成耗尽型器件的栅极。该集成增强型和耗尽型的HEMT器件的制备方法对栅槽损伤小、栅控能力强、饱和电流大、结构可靠性高。

关键词：增强型器件第二区域制备氮化硅钝化层耗尽型器件第一区域光刻胶层漏极金属源极金属栅极区域耗尽型增强型半导体器件技术结构可靠性饱和电流高温退火欧姆接触栅极金属能力强势垒层对栅蒸镀沉积去除损伤

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基于AlGaN/GaN E/D器件设计环形振荡器

基于AlGaN/GaN E/D器件设计环形振荡器

引用

2012全国第十四届微波集成电路与移动通信学术年会

作者：陆海燕周建军孔月婵董逊孔岑耿习娇南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京 210016

基于0.8μm GaN HEMT E/D集成工艺设计并制备了17级GaN环形振荡器,采用两级缓冲输出,共采用38个晶体管.对GaN增强型和耗尽型器件进行详细的直流以及微波小信号测试,基于以上测试进行了设计.研制的17级环形振荡器采用反相器闭环结构,基... 详细信息

基于0.8μm GaN HEMT E/D集成工艺设计并制备了17级GaN环形振荡器,采用两级缓冲输出,共采用38个晶体管.对GaN增强型和耗尽型器件进行详细的直流以及微波小信号测试,基于以上测试进行了设计.研制的17级环形振荡器采用反相器闭环结构,基波的振荡频率为197.5MHz,振荡周期为5.06ns,平均每级反相器延迟为148ps.

关键词：环形振荡器电路设计增强型器件耗尽型器件

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级联电路及级联器件

级联电路及级联器件

引用

作者：蒋胜柳永胜胡峰白强唐瑜陈辉于洁 215000 江苏省苏州市相城区高铁新城南天成路88号天成信息大厦601-A148室

本发明揭示了一种级联电路及级联器件，所述级联电路包括：低压增强型器件及高压耗尽型器件，所述低压增强型器件和高压耗尽型器件分别包括栅极、源极及漏极，且所述低压耗尽型器件的漏极与高压耗尽型器件的源极电性连接，作为级联电路... 详细信息

标准号: CN111916450A

本发明揭示了一种级联电路及级联器件，所述级联电路包括：低压增强型器件及高压耗尽型器件，所述低压增强型器件和高压耗尽型器件分别包括栅极、源极及漏极，且所述低压耗尽型器件的漏极与高压耗尽型器件的源极电性连接，作为级联电路的中间电极，低压增强型器件的源极与高压耗尽型器的栅极电性连接，作为级联电路的源极，低压增强型器件的栅极作为级联电路的栅极，高压耗尽型器件的漏极作为级联电路的漏极；电容及电阻，并联设置且分别电性连接于级联电路的中间电极与级联电路的源极之间。本发明能有效控制级联结构中间电极点的电压在高速开关过程中的漂移，降低中间电极点关断时刻的电压；具有较小的等效米勒电容，能够实现更高的开关频率。

关键词：级联电路源极低压增强型耗尽型器件漏极电性连接中间电极电极点漂移低压耗尽型并联设置高速开关关断时刻级联结构开关频率米勒电容有效控制栅极电性耗尽型电容电阻级联

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基于超结的集成功率器件及其制造方法

基于超结的集成功率器件及其制造方法

引用

作者：章文通蒲松叶力赖春兰乔明李肇基张波 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

本发明提供一种基于超结的集成功率器件及其制造方法，其元胞结构包括第一掺杂类型衬底，所述第一掺杂类型衬底上设置有增强型超结MOSFET、耗尽型超结MOSFET和一个隔离结构，两种超结MOSFET器件共用漏极，隔离结构设置于增强型超结MOSFE... 详细信息

标准号: CN108389895B

本发明提供一种基于超结的集成功率器件及其制造方法，其元胞结构包括第一掺杂类型衬底，所述第一掺杂类型衬底上设置有增强型超结MOSFET、耗尽型超结MOSFET和一个隔离结构，两种超结MOSFET器件共用漏极，隔离结构设置于增强型超结MOSFET和耗尽型超结MOSFET之间；本发明在传统的集成功率器件中引入超结，一方面，超结条形成的增强型、耗尽型器件，提高了芯片的电流能力、耐压能力及开关态特性；另一方面，将超结MOSFET器件集成在一起，可独立或组合使用，可集成多种功率器件，不仅应用灵活多变，且更有利于系统集成化和小型化；能有效防止器件表面发生穿通，可靠性高。

关键词：超结MOSFET 增强型超结集成功率器件掺杂类型隔离结构耗尽型衬底耗尽型器件系统集成化电流能力功率器件耐压能力器件表面器件共用器件集成元胞结构传统的可集成穿通漏极芯片引入灵活应用制造

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一种半导体器件的制造方法和集成半导体器件

一种半导体器件的制造方法和集成半导体器件

引用

作者：程诗康顾炎张森 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

本发明提供一种半导体器件的制造方法和集成半导体器件，所述方法在半导体器件制造过程中在外延层上形成介质岛，在耗尽型器件形成沟道的过程中，由于介质岛的存在阻挡了沟道离子的注入，介质岛下方的离子浓度低，使得器件在开态下的击... 详细信息

标准号: CN109980010A

本发明提供一种半导体器件的制造方法和集成半导体器件，所述方法在半导体器件制造过程中在外延层上形成介质岛，在耗尽型器件形成沟道的过程中，由于介质岛的存在阻挡了沟道离子的注入，介质岛下方的离子浓度低，使得器件在开态下的击穿可靠性大大提高；同时，由于介质岛的存在，使得栅介电层的厚度增加，降低了栅极电容，减小器件的开关损耗。同时，在制造过程中以介质岛作为掩膜，可以自对准形成第一掺杂类型源区，节省了一块光刻版，使得工艺成本下降。

关键词：半导体器件制造集成半导体器件半导体器件耗尽型器件掺杂类型工艺成本沟道离子厚度增加开关损耗栅极电容栅介电层制造过程光刻版外延层自对准沟道击穿减小开态掩膜源区离子阻挡制造

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一种集成式的肖特基器件及制备方法

一种集成式的肖特基器件及制备方法

引用

作者：朱廷刚章涛李亦衡李继华武乐可 215600 江苏省苏州市张家港市杨舍镇福新路2号B12幢(能华微电子)

本发明公开了一种集成式的肖特基器件及制备方法，器件包括二极管单元、耗尽型器件和双向截止保护单元，其中，耗尽型器件的源极与二极管单元的负极级联，耗尽型器件的源极与双向截止保护单元级联，耗尽型器件的栅极与二极管单元的正极... 详细信息

标准号: CN117296152A

本发明公开了一种集成式的肖特基器件及制备方法，器件包括二极管单元、耗尽型器件和双向截止保护单元，其中，耗尽型器件的源极与二极管单元的负极级联，耗尽型器件的源极与双向截止保护单元级联，耗尽型器件的栅极与二极管单元的正极连接，双向截止保护单元设置在二极管单元的两端；二极管单元、耗尽型器件和双向截止保护单元集成为肖特基集成器件，耗尽型器件的漏极构成肖特基集成器件的阴极，二极管单元的正极构成肖特基集成器件的阳极。本发明利用耗尽型器件、低压二极管、双向截止保护电路集成的肖特基器件同时具有低的导通压降和反向恢复电荷，并且保护低压二极管免受尖峰电压的冲击。

关键词：耗尽型器件二极管单元保护单元截止集成器件肖特基低压二极管肖特基器件级联源极阴极正极负极阳极导通压降电路集成反向恢复尖峰电压正极连接电荷集成式漏极制备

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一种高动态稳定性的GaN器件

一种高动态稳定性的GaN器件

引用

作者：魏进杨俊杰 100871 北京市海淀区颐和园路5号

本发明公开了一种高动态稳定性的GaN器件，在GaN HEMT的栅极帽层上采用欧姆接触电极‑介质层‑栅极互连金属的结构，该欧姆接触电极至少与第一耗尽型器件或电阻相连。在器件开启过程中，欧姆接触电极的存在能够消除阈值电压漂移，在栅极... 详细信息

标准号: CN117410327A

本发明公开了一种高动态稳定性的GaN器件，在GaN HEMT的栅极帽层上采用欧姆接触电极‑介质层‑栅极互连金属的结构，该欧姆接触电极至少与第一耗尽型器件或电阻相连。在器件开启过程中，欧姆接触电极的存在能够消除阈值电压漂移，在栅极电压进一步增大时，由第一耗尽型器件或电阻承受过高的栅极电压，有效抑制栅极电流；且栅极互连金属与欧姆接触电极之间通过介电层形成一个大电容，从而提高栅极的驱动速率。所述GaN器件进一步包括第二耗尽型器件，以在关断过程中释放GaN HEMT栅极帽层中积累的正电荷。本发明可以增大GaN HEMT的驱动电压摆幅，降低驱动电流，消除阈值电压漂移现象，从而提高GaN HEMT的动态稳定性。

关键词：欧姆接触电极耗尽型器件阈值电压漂移互连金属栅极电压电阻帽层动态稳定性关断过程开启过程驱动电流驱动电压有效抑制栅极电流大电容高动态介电层介质层正电荷摆幅驱动释放积累

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一种E/D-mode GaN HEMT集成器件的制备方法

一种E/D-mode GaN HEMT集成器件的制备方法

引用

作者：蒋洋于洪宇汪青 518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号

本发明实施例公开了一种E/D‑mode GaN HEMT集成器件的制备方法。该制备方法首先在衬底上形成至少两个GaN HEMT异质结结构，其中，异质结结构包括依次叠层设置的GaN层、空间隔离层以及势垒层，以及在异质结结构远离衬底的一侧形成源极欧... 详细信息

标准号: CN112466941A

本发明实施例公开了一种E/D‑mode GaN HEMT集成器件的制备方法。该制备方法首先在衬底上形成至少两个GaN HEMT异质结结构，其中，异质结结构包括依次叠层设置的GaN层、空间隔离层以及势垒层，以及在异质结结构远离衬底的一侧形成源极欧姆接触电极和漏极欧姆接触电极。然后，通过在异质结结构远离衬底的一侧采用干法氧化‑湿法刻蚀重复循环的方式形成第一栅极开孔，在第一栅极开孔处形成第一栅极，形成第二栅极开孔和第二栅极，形成源极和漏极，实现了D‑mode GaN HEMT器件和E‑mode GaN HEMT器件在材料和工艺上的兼容，从而实现了增强型和耗尽型器件的集成。

关键词：异质结结构栅极开孔衬底欧姆接触电极漏极源极制备耗尽型器件空间隔离层干法氧化集成器件湿法刻蚀重复循环势垒层增强型叠层兼容

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