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文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

74 篇 专利

馆藏范围

74 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

15 篇 西安电子科技大学
4 篇 中国电子科技集团...
4 篇 上海华虹宏力半导...
4 篇 南京大学
3 篇 湖北九峰山实验室
3 篇 中国电子科技集团...
3 篇 北京大学
2 篇 南京励盛半导体科...
2 篇 杜伊斯堡-埃森大学...
2 篇 江苏晶曌半导体有...
2 篇 江苏新顺微电子股...
2 篇 北京华碳元芯电子...
2 篇 中国科学院微电子...
2 篇 清华大学
2 篇 北京元芯碳基集成...
2 篇 深圳第三代半导体...
2 篇 深圳尚阳通科技有...
2 篇 华润微电子有限公...
2 篇 捷捷半导体有限公...
2 篇 国网山东省电力公...

作者

12 篇 张进成
9 篇 冯倩
8 篇 郝跃
7 篇 张春福
5 篇 张雅超
4 篇 孔月婵
4 篇 韩根全
4 篇 田旭升
3 篇 陈鹏
3 篇 郑有炓
3 篇 冯志红
3 篇 马红叶
3 篇 张荣
3 篇 吕元杰
3 篇 于明扬
3 篇 陈敦军
3 篇 修向前
3 篇 王元刚
3 篇 赵红
3 篇 杨新杰

语言

74 篇 中文

检索条件"主题词=肖特基二极管器件"

共 74 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

肖特基二极管器件

肖特基二极管器件

引用

作者：袁俊 430070 湖北省武汉市东湖高新技术开发区未来科技城B4-5楼

本申请公开了一种肖特基二极管器件，所述肖特基二极管器件包括：外延片，具有外延层；所述外延层具有相对的第一表面和第二表面；所述第一表面具有功能区以及位于所述功能区两侧的沟槽区；位于所述沟槽区的多级沟槽，所述多级沟槽的侧... 详细信息

标准号: CN217641350U

本申请公开了一种肖特基二极管器件，所述肖特基二极管器件包括：外延片，具有外延层；所述外延层具有相对的第一表面和第二表面；所述第一表面具有功能区以及位于所述功能区两侧的沟槽区；位于所述沟槽区的多级沟槽，所述多级沟槽的侧壁以及底部露出的外延层表面内具有第一离子注入区域；所述多级沟槽包括：多个子沟槽，所述多个子沟槽在第一方向上，依次为第1级子沟槽至第N级子沟槽；同一所述多级沟槽中，在所述第一方向上，各个所述子沟槽的宽度依次增大，至少第1级子沟槽的侧壁具有侧墙保护结构；填充所述多级沟槽的第一金属电极，所述第一金属电极还覆盖所述第一表面的功能区，与所述第一表面的功能区具有肖特基接触。

关键词：多级沟槽第一表面功能区肖特基二极管器件金属电极沟槽区外延层侧壁离子注入区域外延层表面肖特基接触侧墙保护第二表面依次增大外延片填充覆盖申请

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肖特基二极管器件及其制作方法

肖特基二极管器件及其制作方法

引用

作者：袁俊 430070 湖北省武汉市东湖高新技术开发区未来科技城B4-5楼

本申请公开了一种肖特基二极管器件及其制作方法，所述肖特基二极管器件包括：外延片，具有外延层；所述外延层具有相对的第一表面和第二表面；所述第一表面具有功能区以及位于所述功能区两侧的沟槽区；位于所述沟槽区的多级沟槽，所述... 详细信息

标准号: CN114759096A

本申请公开了一种肖特基二极管器件及其制作方法，所述肖特基二极管器件包括：外延片，具有外延层；所述外延层具有相对的第一表面和第二表面；所述第一表面具有功能区以及位于所述功能区两侧的沟槽区；位于所述沟槽区的多级沟槽，所述多级沟槽的侧壁以及底部露出的外延层表面内具有第一离子注入区域；所述多级沟槽包括：多个子沟槽，所述多个子沟槽在第一方向上，依次为第1级子沟槽至第N级子沟槽；同一所述多级沟槽中，在所述第一方向上，各个所述子沟槽的宽度依次增大，至少第1级子沟槽的侧壁具有侧墙保护结构；填充所述多级沟槽的第一金属电极，所述第一金属电极还覆盖所述第一表面的功能区，与所述第一表面的功能区具有肖特基接触。

关键词：多级沟槽第一表面功能区肖特基二极管器件金属电极沟槽区外延层侧壁离子注入区域外延层表面肖特基接触侧墙保护第二表面依次增大外延片填充覆盖申请制作

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一种高速软恢复高压肖特基二极管器件及制造方法

一种高速软恢复高压肖特基二极管器件及制造方法

引用

作者：陈晓伦朱涛韩笑崔鹏李建立朱瑞 214431 江苏省无锡市江阴市长山大道78号

本发明公开了一种高速软恢复高压肖特基二极管器件及制造方法。一种高速软恢复高压肖特基二极管器件，包括硅衬底；硅衬底背面设置有背面电极金属层，背面电极金属层上方设置有交替排列的第一掺杂区以及第二掺杂区；第一掺杂区与第二掺... 详细信息

标准号: CN115241293B

本发明公开了一种高速软恢复高压肖特基二极管器件及制造方法。一种高速软恢复高压肖特基二极管器件，包括硅衬底；硅衬底背面设置有背面电极金属层，背面电极金属层上方设置有交替排列的第一掺杂区以及第二掺杂区；第一掺杂区与第二掺杂区的上方设置有第三掺杂区；硅衬底的上侧设置有第四掺杂区，第四掺杂区内设置有第五掺杂区；第四掺杂区以及相邻的第四掺杂区之间硅衬底上方设置有作为肖特基势垒的金属硅化物层；第四掺杂区右侧设置有第六掺杂区；第四掺杂区右方区域上方设置有二氧化硅层。金属硅化物层、二氧化硅层上方设置有正面电极金属层；在正面电极金属层、二氧化硅层上方设置有氮化硅钝化层。本发明降低了反向恢复时间，提高了开关速度。

关键词：掺杂区硅衬底金属层二氧化硅层肖特基二极管器件金属硅化物层背面电极正面电极氮化硅钝化层肖特基势垒背面设置反向恢复交替排列恢复掺杂制造

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薄势垒层的场板型肖特基二极管器件模型及参数提取方法

薄势垒层的场板型肖特基二极管器件模型及参数提取方法

引用

作者：刘芷诫郑英奎康玄武陈晓娟魏珂刘新宇 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

本发明涉及一种薄势垒层的场板型肖特基二极管器件模型及参数提取方法；模型中的非线性沟道电阻Rch、肖特基结和导通电阻Rs为串联连接结构；非线性电容CFP与串联的肖特基结和非线性沟道电阻Rch成并联连接结构；本发明提供模型能够综合... 详细信息

标准号: CN112883676B

本发明涉及一种薄势垒层的场板型肖特基二极管器件模型及参数提取方法；模型中的非线性沟道电阻R_ch、肖特基结和导通电阻R_s为串联连接结构；非线性电容C_FP与串联的肖特基结和非线性沟道电阻R_ch成并联连接结构；本发明提供模型能够综合提取出器件的寄生和本征参数建立小信号等效电路，可以方便地模拟器件的直流特性和高频特性，模型仿真结果与实际测试结果有较好地一致性；本发明的场板型肖特基二极管器件模型的参数提取方法，能够准确地提取器件场板在不同频率，不同偏置点下的电容，能够准确地提取器件的本征参数，提高模型参数提取的效率和模型的准确性。

关键词：肖特基二极管器件非线性沟道本征参数参数提取提取器件肖特基结板型电阻并联连接结构串联连接结构模型参数提取模型仿真结果信号等效电路非线性电容薄势垒层导通电阻高频特性模拟器件直流特性偏置点电容寄生场板串联

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一种复合沟槽型肖特基二极管器件及其制作方法

一种复合沟槽型肖特基二极管器件及其制作方法

引用

作者：张小辛李秋梅艾治州 401331 重庆市沙坪坝区西永大道25号

本发明提供一种复合沟槽型肖特基二极管器件及其制作方法，该器件包括衬底、外延层、沟槽结构阵列、肖特基金属层、正面金属电极层及背面金属电极层，其中，外延层位于衬底的正面；沟槽结构阵列位于外延层中并包括多个排列成至少两行及... 详细信息

标准号: CN117913147A

本发明提供一种复合沟槽型肖特基二极管器件及其制作方法，该器件包括衬底、外延层、沟槽结构阵列、肖特基金属层、正面金属电极层及背面金属电极层，其中，外延层位于衬底的正面；沟槽结构阵列位于外延层中并包括多个排列成至少两行及至少两列的沟槽结构阵列单元，每个沟槽结构阵列单元包括多个相互平行且间隔设置的线型沟槽结构，相邻两个沟槽结构阵列单元中的线型沟槽结构的延伸方向互相垂直；肖特基金属层位于外延层的正面并覆盖线型沟槽结构；正面金属电极层位于肖特基金属层上；背面金属电极层位于衬底的背面。本发明的复合型沟槽器件设计可以有效改善晶圆翘曲问题，降低器件位错等缺陷，同时可进一步改善电场分布，有助于提高器件稳定性。

关键词：沟槽结构外延层肖特基金属层线型沟槽阵列单元衬底背面金属电极层正面金属电极层肖特基二极管器件器件稳定性电场分布沟槽器件互相垂直间隔设置降低器件晶圆翘曲沟槽型位错背面平行复合延伸覆盖制作

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一种沟槽型肖特基二极管器件及其制作方法

一种沟槽型肖特基二极管器件及其制作方法

引用

作者：陈显平罗厚彩钱靖 401120 重庆市璧山区璧泉街道东林大道92号(52号厂房、53号厂房)

本发明属于半导体制作技术领域，公开了一种沟槽型肖特基二极管器件及其制作方法，包括第一导电类型衬底，第一导电类型衬底分为元胞区和终端区，第一导电类型衬底表面形成第一导电类型外延层，第一导电类型外延层的前端面阵列有若干沟... 详细信息

标准号: CN114005885A

本发明属于半导体制作技术领域，公开了一种沟槽型肖特基二极管器件及其制作方法，包括第一导电类型衬底，第一导电类型衬底分为元胞区和终端区，第一导电类型衬底表面形成第一导电类型外延层，第一导电类型外延层的前端面阵列有若干沟槽，沟槽的内表面设有沟槽介质层，沟槽内填充有导电材料，所述上端面的终端区除沟槽开口面以外的位置覆盖有绝缘介质层，所述绝缘介质层表面、上端面中的沟槽开口面和上端面的元胞区均设有肖特基金属层，所述肖特基金属层与沟槽内的导电材料接触；所述肖特基金属层的表面和第一导电类型衬底的下端面覆盖金属电极层。以解决现有技术高电压肖特基二极管器件工艺难度高、可靠性低以及耐压效果差的问题。

关键词：第一导电类型肖特基金属层衬底肖特基二极管器件导电材料沟槽开口外延层元胞区终端区上端半导体制作技术绝缘介质层表面金属电极层绝缘介质层衬底表面工艺难度沟槽介质高电压沟槽型内表面前端面上端面下端面覆盖耐压填充制作

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一种横向肖特基二极管器件及其制备方法

一种横向肖特基二极管器件及其制备方法

引用

作者：张金风张景豪殷红苏凯许琦辉张进成郝跃 710071 陕西省西安市太白南路2号

本发明涉及一种横向肖特基二极管器件及其制备方法，器件包括：高阻硅衬底层、六方氮化硼势垒层、阳极、阴极和钝化层；六方氮化硼势垒层位于高阻硅衬底层的上表面；高阻硅衬底层和六方氮化硼势垒层的接触界面形成异质结，异质结界面存... 详细信息

标准号: CN117080250A

本发明涉及一种横向肖特基二极管器件及其制备方法，器件包括：高阻硅衬底层、六方氮化硼势垒层、阳极、阴极和钝化层；六方氮化硼势垒层位于高阻硅衬底层的上表面；高阻硅衬底层和六方氮化硼势垒层的接触界面形成异质结，异质结界面存在二维电子气沟道；阳极、阴极位于六方氮化硼势垒层的上表面；阳极和高阻硅衬底层形成肖特基接触；阴极和二维电子气沟道形成欧姆接触；钝化层，一部分位于阳极和阴极之间，另一部分延伸至阳极的部分上表面和阴极的部分上表面。通过高阻硅衬底层和六方氮化硼势垒层在异质结界面处的二维电子气，获得高载流子浓度、高迁移率的导电沟道，进而使器件获得更高的电流密度和更好的高频特性。

关键词：阴极六方氮化硼阳极硅衬底层势垒层高阻上表面二维电子气沟道异质结界面钝化层载流子肖特基二极管器件二维电子气肖特基接触导电沟道高频特性高迁移率接触界面欧姆接触异质结制备延伸

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薄势垒层的场板型肖特基二极管器件模型及参数提取方法

薄势垒层的场板型肖特基二极管器件模型及参数提取方法

引用

作者：刘芷诫郑英奎康玄武陈晓娟魏珂刘新宇 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

标准号: CN112883676A

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一种多级沟槽自保护肖特基二极管器件及制作方法

一种多级沟槽自保护肖特基二极管器件及制作方法

引用

作者：袁俊徐东彭若诗郭飞王宽魏强民黄俊杨冰吴畅 430000 湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号19层

本发明公开了一种多级沟槽自保护肖特基二极管器件，包括：氧化镓衬底，位于所述氧化镓衬底上侧的氧化镓外延层，所述氧化镓外延层上部设有多级沟槽，所述多级沟槽包括M≥2级子沟槽，第一级子沟槽至第M级子沟槽的开口距离依次缩小，所... 详细信息

标准号: CN116207164A

本发明公开了一种多级沟槽自保护肖特基二极管器件，包括：氧化镓衬底，位于所述氧化镓衬底上侧的氧化镓外延层，所述氧化镓外延层上部设有多级沟槽，所述多级沟槽包括M≥2级子沟槽，第一级子沟槽至第M级子沟槽的开口距离依次缩小，所述氧化镓外延层表面与所述多级沟槽底部设有高阻区，所述多级沟槽表面沉积有肖特基金属，所述肖特基金属与所述氧化镓外延层形成肖特基接触，所述肖特基金属与所述高阻区形成欧姆接触。本发明的肖特基二极管器件具有低表面电场，电导调制效应快，能够制作高耐压、大电流、高可靠性的氧化镓SBD器件。

关键词：氧化镓多级沟槽外延层肖特基肖特基二极管器件高阻区金属衬底电导调制效应外延层表面肖特基接触电场表面沉积高可靠性开口距离欧姆接触大电流低表面第一级高耐压自保护制作

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借助印刷技术制作含有肖特基二极管器件的方法

借助印刷技术制作含有肖特基二极管器件的方法

引用

作者：尼尔斯·贝森罗兰·斯切尔马克·霍夫曼托马斯·卡西尔丹尼尔·尔尼德国埃森大学街2号45141

本发明涉及一种借助印刷技术制作含有肖特基二极管器件的方法。该方法涉及：将半导体‑纳米颗粒粉体（HND）应用和沉积（100）在第一电极（E1）上的步骤，第一电极（E1）设置在衬底（S）上；所述沉积半导体‑纳米颗粒粉体（HND）经激光（... 详细信息

标准号: CN107438893A

本发明涉及一种借助印刷技术制作含有肖特基二极管器件的方法。该方法涉及：将半导体‑纳米颗粒粉体（HND）应用和沉积（100）在第一电极（E₁）上的步骤，第一电极（E₁）设置在衬底（S）上；所述沉积半导体‑纳米颗粒粉体（HND）经激光（L）照射（200）以形成具有底部和圆弧尖端的圆锥体（C₁、C₂），其中，圆锥体的底部结合至第一电极（E₁）；将形成的微圆锥体（C₁、C₂）嵌入（300）在电绝缘聚合物基体（P）中；以及施加（500）第二电极（E₂）使圆锥体（C₁、C₂）的尖端结合至第二电极（E₂）。

关键词：圆锥体第一电极纳米颗粒粉体第二电极沉积半导体肖特基二极管器件电绝缘聚合物技术制作圆弧尖端衬底嵌入照射激光施加印刷应用

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