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学科分类号

  • 1 篇 工学
    • 1 篇 材料科学与工程(可...
    • 1 篇 电子科学与技术(可...

主题

  • 1 篇 脉冲mocvd法
  • 1 篇 薄膜应力
  • 1 篇 algan材料

机构

  • 1 篇 西安电子科技大学
  • 1 篇 宽禁带半导体材料...

作者

  • 1 篇 李培咸
  • 1 篇 周小伟
  • 1 篇 郝跃

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=脉冲MOCVD法"
1 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
基于AlN基板的不同Al组分的AlGaN材料生长
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功能材料与器件学报 2009年 第6期15卷 575-580页
作者: 周小伟 李培咸 郝跃 西安电子科技大学微电子学院 西安710071 宽禁带半导体材料与器件重点实验室 西安710071
采用脉冲生长了200nm厚的AlN薄膜,其XRD摇摆曲线的半高宽为130arcsec,表面粗糙度为2.021nm。以此AlN层为基板生长了不同Al组分的AlGaN薄膜,高分辨率XRD测试发现,随Al组分的增加,AlN基板层对AlGaN薄膜施加的压应力增大,同时,AlGaN薄膜... 详细信息
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