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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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文献类型

99 篇 专利
5 篇 期刊文献
4 篇 学位论文
1 篇 会议

馆藏范围

109 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

10 篇 工学
- 4 篇 电子科学与技术（可...
- 2 篇 材料科学与工程（可...
- 2 篇 电气工程
- 2 篇 控制科学与工程
- 1 篇 光学工程
- 1 篇 动力工程及工程热...
- 1 篇 计算机科学与技术...
- 1 篇 核科学与技术
- 1 篇 软件工程
1 篇 管理学
- 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

10 篇 自举二极管
5 篇 自举电容
3 篇 ir2110
2 篇 自举电路
2 篇 自举电阻
1 篇 反向恢复鲁棒性
1 篇 电流密度
1 篇 ldmos
1 篇 600v
1 篇 divided resurf
1 篇 电平位移
1 篇 p+动态场限环
1 篇 外部门极电阻
1 篇 电机驱动器
1 篇 mosfet驱动
1 篇 h桥电路
1 篇 高压栅驱动芯片
1 篇 过温保护电路
1 篇 boot电流
1 篇 氮化镓功率器件

机构

7 篇 东南大学
6 篇 江苏中科君芯科技...
5 篇 广州金升阳科技有...
5 篇 电子科技大学
4 篇 美的集团股份有限...
3 篇 上海华虹宏力半导...
3 篇 富士电机株式会社
2 篇 杭州士兰微电子股...
2 篇 无锡市优利康电气...
2 篇 杰华特微电子股份...
2 篇 意法半导体股份有...
2 篇 无锡华润上华科技...
2 篇 珠海格力电器股份...
2 篇 成都华普电器有限...
2 篇 科域科技有限公司
2 篇 厦门芯达茂微电子...
2 篇 贵阳航空电机有限...
2 篇 惠州拓邦电气技术...
2 篇 无锡安趋电子有限...
2 篇 株式会社村田制作...

作者

6 篇 王海军
6 篇 程炜涛
5 篇 祝靖
4 篇 刘湘
3 篇 张波
3 篇 赵鹏
3 篇 高荣
3 篇 皮彬彬
3 篇 顾力晖
3 篇 李贺珈
3 篇 孙伟锋
3 篇 董志意
3 篇 时龙兴
3 篇 叶甜春
3 篇 金锋
3 篇 李少红
2 篇 f·普尔维伦蒂
2 篇 杨文清
2 篇 m·里瓦
2 篇 王燕晖

语言

109 篇 中文

检索条件"主题词=自举二极管"

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排序：

增强型GaN HEMT栅驱动芯片用功率集成自举二极管研究

增强型GaN HEMT栅驱动芯片用功率集成自举二极管研究

引用

作者：李少红东南大学

学位级别：博士

氮化镓（Gallium Nitride,GaN）功率器件因具有更大的电流密度、更高的击穿电压和更快的开关频率,已广泛应用于智能家电、新能源交通工具以及工业电子等领域,成为当下学术界和产业界共同关注的热点。因GaN基驱动芯片目前尚无法集成互补... 详细信息

氮化镓（Gallium Nitride,GaN）功率器件因具有更大的电流密度、更高的击穿电压和更快的开关频率,已广泛应用于智能家电、新能源交通工具以及工业电子等领域,成为当下学术界和产业界共同关注的热点。因GaN基驱动芯片目前尚无法集成互补金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS）、双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor,BJT）以及电阻等一些基本元器件,传统硅基栅驱动仍为主流。结合Bipolar、CMOS和双扩散金属氧化物半导体（Double-diffused Metal Oxide Semiconductor,DMOS）器件于一体的BCD工艺具有高低压兼容性好、寄生参数小及工艺成熟等优点,成为增强型GaN驱动芯片的首选工艺。集成型自举二极管(Bootstrap Diode,DBST)作为硅基驱动芯片高侧自举电路中的核心器件,其电学特性的好坏直接决定输出信号频率的高低。本文针对高压集成型DBST器件的关态、导通态、反向恢复过程的特性与鲁棒性进行了深入地研究。主要研究成果如下:1.在增强型氮化镓驱动芯片中,高侧和低侧的GaN器件需要快速交替导通,为了给高侧自举电容快速充电,具有高电流密度的集成型DBST器件必不可少。针对传统DBST器件电流密度低的问题,提出了一种基于单次外延工艺的新型变掺杂凹槽阳极技术。该技术采用高低掺杂交错的P型体区,在提升阳极注入效率的同时缩短了空穴抽取路径。实验结果表明,采用变掺杂凹槽阳极技术,DBST器件的电流密度提升了15.4%,反向恢复时间降低了5%。2.为了进一步提升DBST器件反向恢复特性,提出了一种基于双外延工艺的部分埋层技术。该技术利用在第一次外延后形成的部分高浓度N型埋层来抑制衬底电极分流及空穴载流子存储,大幅提升了DBST器件正向导通压降与反向恢复时间之间的折中关系。实验结果表明,采用双外延部分埋层技术,在电流密度提升55%的同时没有牺牲任何反向恢复特性。3.为了匹配增强型氮化镓器件的高频开关特性,需要DBST器件具有较高的di/dt鲁棒性。本文研究了采用单跑道形式的传统DBST器件反向恢复失效机理,指出失效根源是阳极场氧下方空穴抽取电流聚集所引起的局部电流过热。通过在阳极两侧引入P型动态场限环和浮空金属电极,解决了传统单跑道DBST器件在较低di/dt（109.5A/μs）下发生反向恢复失效的技术难题。实验结果表明,在续流电流为0.1A时,改进后的结构在di/dt达到896.7 A/μs时,反向恢复仍然正常,di/dt鲁棒性至少提升了8倍。4.为了降低DBST器件反向恢复时的电压和电流振荡对系统造成的电磁干扰与可靠性风险,本文研究揭示了阴极下方漂移区中空穴载流子被迅速抽取干净是造成振荡的关键原因,并提出了一种两极肖特基技术。阳极肖特基减小了导通期间漂移区内存储的空穴载流子总量,阴极肖特基在反向恢复期间维持了其下方漂移区中一定的空穴浓度。实验结果表明,与传统结构相比,在续流电流为0.1A,寄生电感为20n H时,采用两极肖特基技术的DBST器件的反向恢复振荡尖峰电流、电压分别降低了71%和28%。5.针对传统4跑道并联DBST器件在极低di/dt（22.3 A/μs）下在中间跑道发生反向恢复失效的问题,研究发现失效的根源是边界隔离PN结的非一致空穴抽取行为,提出了一种阳极可控肖特基技术。该技术在易失效跑道阳极两侧引入凹槽肖特基金属和动态场限环,在缩短反向恢复时间的同时大幅提升了di/dt鲁棒性。实验结果表明,在续流电流为0.1A,di/dt为12 A/μs时,采用该技术器件的反向恢复时间仅为30ns,比传统结构降低47.4%,同时反向恢复鲁棒性提升了至少40倍,di/dt达到894.2 A/μs时反向恢复仍然正常。

关键词：氮化镓功率器件驱动芯片自举二极管电流密度反向恢复鲁棒性快反向恢复

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100V横向自举二极管反向恢复优化设计

100V横向自举二极管反向恢复优化设计

引用

作者：李阿江东南大学

学位级别：硕士

GaN功率器件具有临界电场高、开关速度快、载流子迁移率高等优点,广泛应用于高频桥式电源系统中。在桥式系统中,GaN功率器件需依靠高速、高可靠的栅极驱动芯片来驱动。自举二极管是GaN功率器件驱动芯片中自举电路的核心高压器件,提升自... 详细信息

GaN功率器件具有临界电场高、开关速度快、载流子迁移率高等优点,广泛应用于高频桥式电源系统中。在桥式系统中,GaN功率器件需依靠高速、高可靠的栅极驱动芯片来驱动。自举二极管是GaN功率器件驱动芯片中自举电路的核心高压器件,提升自举二极管的性能对GaN功率器件驱动芯片的高频、高可靠性能具有重要意义。本文基于已流片的硅基自举二极管,对其正向导通能力、反向恢复速度以及反向恢复可靠性进行研究。研究发现反向恢复阶段在高d I/dt冲击下器件发生热损坏的原因是:阳极区掺杂浓度偏低导致反向恢复期间电势线在阳极边缘处过度聚集,从而造成双侧动态雪崩;反向恢复时间较大的原因是:反向恢复结尾处拖尾电流持续时间过长。在机理研究的基础上对自举二极管提出了三方面改进:(1)在阳极边缘处增设浮空P+动态场限环以减小阳极边缘处的电场峰值,降低发生双侧动态雪崩的风险;(2)在阴极下方的漂移区中增设高掺杂N型埋层以提升器件的导通能力,缩短拖尾电流的持续时间;(3)将阳极的掺杂注入剂量减半并减少该区域内P+岛区的数量以降低阳极发射效率,提升反向恢复速度。仿真结果表明,本文所设计的自举二极管正向导通压降为0.87V,反向击穿电压为157V,反向恢复时间为39ns,在d I/dt=350A/μs条件下自举二极管仍能正常工作,反向恢复可靠性得到显著改善。

关键词：自举二极管正向导通特性反向恢复特性高掺杂N型埋层 P+动态场限环

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集成自举二极管的600V高压栅驱动芯片关键技术研究

集成自举二极管的600V高压栅驱动芯片关键技术研究

引用

作者：李贺珈电子科技大学

学位级别：硕士

栅驱动电路(Gate Driver)主要用于对功率半导体器件的开关控制,目前应用的主流对象是Si材料器件,但随着GaN、SiC等第三代半导体材料在功率开关器件领域的逐步应用,对相应栅极驱动电路的需求将大大增加,因此对其关键技术的研究,在充分发... 详细信息

栅驱动电路(Gate Driver)主要用于对功率半导体器件的开关控制,目前应用的主流对象是Si材料器件,但随着GaN、SiC等第三代半导体材料在功率开关器件领域的逐步应用,对相应栅极驱动电路的需求将大大增加,因此对其关键技术的研究,在充分发挥功率半导体器件的独特优势、降低电路功耗、节约成本等方面有着重要意义。本课题的主要工作内容如下:重点研究600V半桥式高压栅驱动芯片,对其中自举以及电平位移等核心模块分别提出优化方案来提高芯片性能与集成度,在合作公司流片后进行测试验证。首先,在自举模块的研究方面,本文提出一种可集成的自举二极管复合器件发挥芯片中自举二极管的作用,该复合器件具体由一个中压二极管(MV-Diode)和一个高压结型场效应管(High-Voltage Junction Field Effect Transistor,HV-JFET)通过金属导线连接而成,所设计的HV-JFET器件在电平位移工作时主要负责承担的耐压以及通过调整HV-JFET的夹断电压来实现对MV-Diode的保护作用,而MVDiode主要用于在向自举电容充电时降低复合器件中的泄漏电流。由此既能改善传统体二极管在高耐压下产生大量泄漏电流的问题也能提高芯片的集成度,节约成本。第二,在电平位移模块的研究上,首先为保持良好的信号隔离以及高侧驱动在工作时的稳定性,本文研究的电平位移模块采取Divided RESURF结构,为了提高器件的击穿电压,本文基于原有的Divided RESURF结构LDMOS,调整VB电极处的NBL埋层与P型对通隔离的边距,辅助拓宽耗尽区宽度,进而提高器件耐压;此外,器件之间隔离结构的可靠性对于信号传输质量起着至关重要的作用,因此本文还通过调整Divided RESURF电平位移模块中LDMOS隔离两侧的N型埋层与隔离宽度,对隔离区域进行改进,使整体结构在满足基本耐压需求时能充分做好信号隔离与电位隔离。第三,设计了上述两部分在实际芯片中的版图布局,基于合作公司600V超薄外延工艺进行流片,后对其各项电学特性进行了测试,其中复合自举二极管模拟器件整体击穿电压可达到960V,内部中压二极管击穿电压约为129V,高压JFET击穿电压为853V,夹断电压13V,可以保证中压二极管不会因为JFET的过早夹断而提前承受高压导致击穿。至于Divided RESURF电平位移模块,流片测试结果显示,模块中核心器件LDMOS的击穿电压随着高压岛一侧的NBL与P型隔离距离的增加,从705V升至760V;模块中隔离结构的耐压随着隔离宽度增加而增加,从100V增加到130V,会使相邻的LDMOS器件击穿电压受到消极影响,从760V下降到610V;此外,对于隔离结构两侧添加N型埋层的LDMOS器件除了进行常规的击穿电压测试以外,还进行了HTRB老化试验,结果显示整体样品的常态测试耐压平均值约为689.3V,老化试验后平均击穿电压为616.2V,平均退化率不超过10%。

关键词： 600V 高压栅驱动芯片电平位移 Divided RESURF LDMOS 自举二极管 JFET

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自举二极管仿真器电路

自举二极管仿真器电路

引用

作者：陈安邦中国香港

一种自举二极管仿真器电路，包括晶体管器件和二极管式器件。晶体管器件被布置在自举二极管仿真器电路的阴极处。二极管式器件的阴极连接到晶体管器件而二极管式器件的阳极形成所述自举二极管仿真器电路的阳极。

标准号: CN108233901B

关键词：仿真器电路晶体管器件自举二极管二极管式阴极阳极

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一种提高反向恢复鲁棒性的快恢复自举二极管

一种提高反向恢复鲁棒性的快恢复自举二极管

引用

作者：祝靖邹艳勤李少红孙伟锋时龙兴 214135 江苏省无锡市新区菱湖大道99号

一种提高反向恢复鲁棒性的快恢复自举二极管，包括P型衬底，在P型衬底上设有N型漂移区，在N型漂移区的表面设有二氧化硅氧化层，在P型衬底与N型漂移区之间设有第一N型重掺杂区，在N型漂移区的表面设有P型重掺杂阳极区、P型轻掺杂阳极区... 详细信息

标准号: CN110828580B

一种提高反向恢复鲁棒性的快恢复自举二极管，包括P型衬底，在P型衬底上设有N型漂移区，在N型漂移区的表面设有二氧化硅氧化层，在P型衬底与N型漂移区之间设有第一N型重掺杂区，在N型漂移区的表面设有P型重掺杂阳极区、P型轻掺杂阳极区、N型轻掺杂阴极区及N型重掺杂阴极区，在N型漂移区的表面并处于N型重掺杂阴极区的外侧以及N型重掺杂阴极区与P型轻掺杂阳极区之间的区域设有氧化层，在P型重掺杂阳极区、N型重掺杂阴极区及P型衬底上分别连接有阳极金属、阴极金属及衬底金属，其特征在于，在P型轻掺杂阳极区的表面并位于P型重掺杂阳极区的外侧设有相互电连接的第一P型重掺杂区、N型重掺杂区和第二P型重掺杂区。

关键词：阳极区阴极区衬底二氧化硅氧化层自举二极管反向恢复阳极金属阴极金属电连接鲁棒性氧化层金属恢复

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自举二极管仿真器电路

自举二极管仿真器电路

引用

作者：陈安邦中国香港

标准号: CN108233901A

关键词：仿真器电路晶体管器件自举二极管二极管式阴极阳极

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一种自举二极管替代电路及芯片

一种自举二极管替代电路及芯片

引用

作者：卢山 518000 广东省深圳市福田区梅林街道梅都社区中康路136号深圳新一代产业园1栋1701

本实用新型实施例公开了一种自举二极管替代电路及芯片，包括：第一二极管，其第一端与供电电源端连接；N型MOS管，其第一端与第一二极管的第二端连接，其第二端与高边浮动电源端连接；升压模块，其与N型MOS管的栅极连接，升压模块用于... 详细信息

标准号: CN220342218U

本实用新型实施例公开了一种自举二极管替代电路及芯片，包括：第一二极管，其第一端与供电电源端连接；N型MOS管，其第一端与第一二极管的第二端连接，其第二端与高边浮动电源端连接；升压模块，其与N型MOS管的栅极连接，升压模块用于维持N型MOS管的栅极电压；第一电容，其第一端与高边浮动电源端连接，其第二端与高边浮动地端连接；其中，高边浮动地端用于与半桥电路的半桥节点连接，半桥电路包括第一开关管和第二开关管，第一开关管和第二开关管形成的共接处作为半桥节点。通过本方案，能够有效减少芯片面积，降低减小自举二极管电路的正向导通压降，更好地满足半桥驱动电路中高边供电电路的需求，同时也能够降低电路中器件的耐压需求。

关键词：高边第一端自举二极管二极管半桥电路第一开关浮动电源升压模块开关管半桥地端电路浮动芯片半桥驱动电路正向导通压降本实用新型供电电源端供电电路节点连接替代电路有效减少栅极电压栅极连接电容共接减小耐压

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高压自举二极管复合器件结构

高压自举二极管复合器件结构

引用

作者：乔明李贺珈袁章亦安张波 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

本发明提出一种在节省芯片面积、保证低泄漏电流、不额外添置控制电路的情况下，满足高耐压特性的高压自举二极管复合器件结构，所述复合器件可有效代替高压栅驱动芯片中的自举二极管，实现和优化自举二极管的功能。该复合器件由高压JFE... 详细信息

标准号: CN111415932A

本发明提出一种在节省芯片面积、保证低泄漏电流、不额外添置控制电路的情况下，满足高耐压特性的高压自举二极管复合器件结构，所述复合器件可有效代替高压栅驱动芯片中的自举二极管，实现和优化自举二极管的功能。该复合器件由高压JFET和二极管组成，可用于高压栅驱动电路高侧电路的电平位移模块中，其中JFET源极与二极管阴极通过金属相连，由此形成高压自举二极管复合器件。版图布局方面，该复合器件与用于电平位移的分区RESURF结构或自屏蔽结构的LDMOS组合形成高侧电路环岛，与岛内的高压电路形成高侧电路，共同控制高侧功率晶体管的开启与关断。

关键词：复合器件自举二极管高侧电路电平位移高侧功率晶体管高压栅驱动芯片低泄漏电流二极管阴极二极管组成版图布局高压电路控制电路驱动电路高耐压高压栅自屏蔽关断环岛可用源极分区芯片金属优化保证

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一种提高反向恢复鲁棒性的快恢复自举二极管

一种提高反向恢复鲁棒性的快恢复自举二极管

引用

作者：祝靖邹艳勤李少红孙伟锋时龙兴 214135 江苏省无锡市新区菱湖大道99号

标准号: CN110828580A

关键词：阳极区阴极区衬底二氧化硅氧化层自举二极管反向恢复阳极金属阴极金属电连接鲁棒性氧化层金属恢复

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一种半桥驱动电路中的自举二极管仿真电路

一种半桥驱动电路中的自举二极管仿真电路

引用

作者：孙伟锋黄泽祥张允武祝靖陆生礼时龙兴 214135 江苏省无锡市新区菱湖大道99号

一种半桥驱动电路中的自举二极管仿真电路，在现有自举二极管仿真电路的栅极驱动电路结构中加入了一个电平移位和一个简单电荷泵，在栅极驱动输入信号为低电平时，栅极驱动电路输出给N沟道LDMOS晶体管LD1的栅压为低电平，关断N沟道LDMO... 详细信息

标准号: CN104022776B

一种半桥驱动电路中的自举二极管仿真电路，在现有自举二极管仿真电路的栅极驱动电路结构中加入了一个电平移位和一个简单电荷泵，在栅极驱动输入信号为低电平时，栅极驱动电路输出给N沟道LDMOS晶体管LD1的栅压为低电平，关断N沟道LDMOS晶体管LD1。在栅极驱动输入信号为高电平时，栅极驱动电路输出给N沟道LDMOS晶体管LD1的栅压为高电平，从而提高了N沟道LDMOS晶体管LD1的栅极电压，降低了LD1的导通电阻，提高了给自举电容的充电电流。

关键词：栅极驱动电路自举二极管仿真电路栅极驱动栅压半桥驱动电路输出充电电流导通电阻电平移位栅极电压自举电容低电平电荷泵高电平低电高电关断

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