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文献类型

  • 2 篇 专利
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  • 3 篇 电子文献
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学科分类号

  • 1 篇 工学
    • 1 篇 计算机科学与技术...
    • 1 篇 软件工程

主题

  • 1 篇 相变存储器
  • 1 篇 非易失存储器
  • 1 篇 自旋转移力矩存储...
  • 1 篇 动态权衡
  • 1 篇 忆阻器

机构

  • 1 篇 计算机体系结构国...
  • 1 篇 中国科学院大学
  • 1 篇 上海集成电路研发...
  • 1 篇 英特尔公司
  • 1 篇 上海集成电路装备...

作者

  • 1 篇 c·c·郭
  • 1 篇 罗鑫
  • 1 篇 张明喆
  • 1 篇 胡少坚
  • 1 篇 d·e·尼科诺夫
  • 1 篇 d·l·肯克
  • 1 篇 张法
  • 1 篇 r·s·周
  • 1 篇 zhang fa
  • 1 篇 liu zhiyong
  • 1 篇 b·s·多伊尔
  • 1 篇 刘志勇
  • 1 篇 zhang mingzhe
  • 1 篇 尚恩明

语言

  • 3 篇 中文
检索条件"主题词=自旋转移力矩存储器"
3 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
自旋转移力矩存储器设备中的写电流的降低
在自旋转移力矩存储器设备中的写电流的降低
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作者: B·S·多伊尔 D·L·肯克 C·C·郭 D·E·尼科诺夫 R·S·周 美国加利福尼亚
本公开内容涉及用于非易失性微电子存储器设备的自旋转移力矩存储器元件的制造。所述自旋转移力矩存储器元件可以包括与具体限定了大小和/或形状的固定磁层连接的磁性隧道结,所述固定磁层可以安置在邻接自由磁层的具体的位置处,所述... 详细信息
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一种利用磁畴壁钉扎的自旋转移力矩存储器
一种利用磁畴壁钉扎的自旋转移力矩存储器
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作者: 罗鑫 胡少坚 尚恩明 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号
本发明属于半导体的技术领域,公开了一种利用磁畴壁钉扎的自旋转移力矩存储器,自上而下包括钉扎层、势垒层和自由层,在所述钉扎层的顶面、自由层的底面分别设置有读操作电极,在所述自由层的左右两端均设置有写操作连接区域,所述写... 详细信息
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基于动态权衡的新型非易失存储器件体系结构研究综述
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计算机研究与发展 2019年 第4期56卷 677-691页
作者: 张明喆 张法 刘志勇 中国科学院大学 北京100049 计算机体系结构国家重点实验室(中国科学院计算技术研究所) 北京100190
作为现有存储器的潜在替代技术,新型非易失存储器受到了来自学术界和工业界越来越多的关注.目前,制约新型非易失存储器广泛应用的主要问题包括写延迟长、写操作动态功耗高、写寿命有限等.针对这些问题,传统的解决方法是利用计算机体系... 详细信息
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