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检索条件"主题词=芯片边缘"
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芯片边缘损坏检测方法和电路
芯片边缘损坏检测方法和电路
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作者: 湛伟 马淑彬 丛伟林 610000 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区益州大道中段1800号1栋22-23层2201、2301号
本发明属于集成电路领域,用于对晶圆切割后的芯片(Die)边缘是否有损坏进行实时监测和上报告警。本发明在芯片切割前沿芯片边缘设置芯片边缘走线,芯片边缘走线包括串联在一起的电阻和金属线;芯片边缘由一段芯片边缘走线环绕,或者由... 详细信息
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芯片边缘裂纹的探测结构及其探测方法
芯片边缘裂纹的探测结构及其探测方法
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作者: 张雄 200233 上海市徐汇区宜山路900号1幢A6
本申请公开了一种芯片边缘裂纹的探测结构及其探测方法。在一个实施例中,该探测结构包括:位于芯片切割道和密封环之间的测试环,其中,所述芯片内部包括两个用于测试所述测试环的连接性的测试引脚,所述密封环包括位于衬底中的P型掺... 详细信息
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一种芯片边缘结构及制作方法
一种芯片边缘结构及制作方法
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作者: 陈伟钿 周永昌 张永杰 李浩南 201302 上海市浦东新区南汇新城镇环湖西二路888号C楼
本发明涉及半导体器件技术领域,特别是涉及一种芯片边缘结构及制作方法。其中,芯片边缘结构包括边缘主体结构层、钝化层及有机膜层,钝化层沿预设方向设置在边缘主体结构层的表面,并且钝化层具有至少一个凹陷区;有机膜层沿预设方向... 详细信息
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具有芯片边缘稳定结构的包括有源电部件和无源电部件的单片集成芯片
具有芯片边缘稳定结构的包括有源电部件和无源电部件的单片集成芯...
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作者: J.鲍姆加特尔 B.艾青格 O.黑尔蒙德 J.T.路德维希 I.莫德 I.穆里 A.森格 D.佐默 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号
本发明公开了具有芯片边缘稳定结构的包括有源电部件和无源电部件的单片集成芯片。一种集成电路器件,包括:芯片管芯,其具有带有第一厚度的第一区域,该第一区域围绕带有第二厚度的第二区域,所述第一厚度大于所述第二厚度,所述芯片... 详细信息
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具有芯片边缘稳定结构的包括有源电部件和无源电部件的单片集成芯片
具有芯片边缘稳定结构的包括有源电部件和无源电部件的单片集成芯...
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作者: J.鲍姆加特尔 B.艾青格 O.黑尔蒙德 J.T.路德维希 I.莫德 I.穆里 A.森格 D.佐默 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号
本发明公开了具有芯片边缘稳定结构的包括有源电部件和无源电部件的单片集成芯片。一种集成电路器件,包括:芯片管芯,其具有带有第一厚度的第一区域,该第一区域围绕带有第二厚度的第二区域,所述第一厚度大于所述第二厚度,所述芯片... 详细信息
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一种芯片边缘放置误差确定方法、装置、设备、存储介质
一种芯片边缘放置误差确定方法、装置、设备、存储介质
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作者: 请求不公布姓名 311113 浙江省杭州市余杭区良渚街网周路99号1幢22层2208室
本申请公开了一种芯片边缘放置误差确定方法、装置、设备、存储介质,涉及光学邻近校正技术领域,包括:对芯片仿真的光刻胶图形边缘进行像素化处理,获取目标像素;利用预设编码方式对目标像素进行编码,获取目标像素编码;对目标像素... 详细信息
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一种芯片边缘检测方法及装置
一种芯片边缘检测方法及装置
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作者: 刘者 215000 江苏省苏州市高新区邓尉路1号1层103室
本发明公开了一种芯片边缘检测方法及装置,芯片包括至少一个存储区域,每个存储区域包括多个存储单元,包括:在向位于芯片边缘和/或存储区域边缘的各存储单元写入预设数据后,读取芯片边缘和/或存储区域边缘的各存储单元的数据作为读... 详细信息
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分段式防护环及芯片边缘密封件
分段式防护环及芯片边缘密封件
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作者: 安东尼·K·史塔佩尔 文森特·J·马格哈 何忠祥 美国加利福尼亚州
本揭示内容涉及分段式防护环及芯片边缘密封件,其有关于半导体结构,且更特别的是,有关于分段式防护环及芯片边缘密封件和制法。该结构包括:防护环结构,在一低k介电材料中形成;以及边缘密封结构,形成为穿过该低k介电材料至少直到... 详细信息
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芯片边缘损坏检测方法和电路
芯片边缘损坏检测方法和电路
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作者: 湛伟 马淑彬 丛伟林 610041 四川省成都市高新区益州大道中段1800号天府软件园G1楼22层
本发明属于集成电路领域,用于对晶圆切割后的芯片(Die)边缘是否有损坏进行实时监测和上报告警。本发明在芯片切割前沿芯片边缘设置芯片边缘走线,芯片边缘走线包括串联在一起的电阻和金属线;芯片边缘由一段芯片边缘走线环绕,或者由... 详细信息
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一种芯片边缘结构
一种芯片边缘结构
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作者: 陈伟钿 周永昌 张永杰 李浩南 201302 上海市浦东新区南汇新城镇环湖西二路888号C楼
本实用新型涉及半导体器件技术领域,特别是涉及一种芯片边缘结构。其中,芯片边缘结构包括边缘主体结构层、钝化层及有机膜层,钝化层沿预设方向设置在边缘主体结构层的表面,并且钝化层具有至少一个凹陷区;有机膜层沿预设方向设置在... 详细信息
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